Title:
ＣＭＯＳ増幅器のための静電放電保護
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2018510560
Kind Code:
A
Abstract:
静電放電（ＥＳＤ）保護回路を含むＣＭＯＳ増幅器が開示される。１つの実施形態において、ＣＭＯＳ増幅器は、ＣＭＯＳ増幅器の端子間の電圧差を制限するために１つまたは複数の補助保護ダイオードと、一次保護ダイオードと、ＮＭＯＳトランジスタと、ＰＭＯＳトランジスタを含むことができる。いくつかの実施形態において、補助保護ダイオードはＣＭＯＳ増幅器の入力端子と供給電圧との間、ＣＭＯＳ増幅器の入力端子とグラウンドとの間、およびＣＭＯＳ増幅器の入力端子と出力端子との間の電圧差を制限することができる。
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Inventors:
Yousef, Ahmed Abdel Monen
Goodem, Prasad Srinivasa Shiva
Wally, Eugene Roberto
Bread and donlin
Chang, Lee Chun
Goodem, Prasad Srinivasa Shiva
Wally, Eugene Roberto
Bread and donlin
Chang, Lee Chun
Application Number:
JP2017544896A
Publication Date:
April 12, 2018
Filing Date:
January 27, 2016
Export Citation:
Assignee:
QUALCOMM INCORPORATED
International Classes:
H03F1/52; H03F3/21
Attorney, Agent or Firm:
Kurata Masatoshi
Yoshihiro Fukuhara
Morisezo Iseki
Takashi Okada
Yoshihiro Fukuhara
Morisezo Iseki
Takashi Okada