Title:
位相シフトマスク
Document Type and Number:
Japanese Patent JP3246540
Kind Code:
U
Abstract:
位相シフトマスク及びその製造方法において、位相シフトマスクは、透光基板（１０１）と、透光基板（１０１）を被覆することで遮光領域（１０３）を形成する遮光層（１０２）であって、遮光層（１０２）が透光基板（１０１）の表面まで除去されて形成された領域が透光領域（１０４）を形成し、遮光層（１０２）が除去され且つその下方の透光基板（１０１）が部分的に除去された領域が第１位相シフト領域（１０５）を形成する遮光層（１０２）と、透光領域（１０４）を被覆することで第２位相シフト領域（１０６）を形成し、第１位相シフト領域（１０５）を被覆することで第３位相シフト領域（１０７）を形成する位相シフト層（１０８）であって、位相シフト層（１０８）を透過する露光光線に位相変換又は／及び光減衰を発生させる位相シフト層（１０８）、を含む。これにより、第一に、「ゴースト線」の発生を回避可能となるため、位相シフトマスクにより露光して得られるフォトレジストパターンのコントラスト及び解像度が大幅に向上する。第二に、位相シフトマスクの機能を有効に拡大できるため、各種の異なる応用場面のニーズを満たすことが可能となる。【選択図】図６
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Inventors:
黄 早▲紅▼
Shinpei Im
Shinpei Im
Application Number:
JP2023600151U
Publication Date:
May 01, 2024
Filing Date:
March 11, 2022
Export Citation:
Assignee:
SHANGHAI CHUANXIN SEMICONDUCTOR CO., LTD.
International Classes:
G03F1/30
Attorney, Agent or Firm:
Suguru Ito