Title:
窒化物半導体装置およびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6771706
Kind Code:
B1
Abstract:
窒化物半導体装置に関し、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板の上に設けられた第１のグラフェン層と、第１のグラフェン層の上に設けられた第２のグラフェン層と、前記第２のグラフェン層の上に設けられた窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に設けられた電極を有する窒化物半導体素子と、を備え、前記第１および第２のグラフェン層は、ダイヤモンド基板と窒化物半導体層との界面層として設けられる。
Inventors:
Yuki Takiguchi
Shuichi Hiza
Eiji Yagyu
Shuichi Hiza
Eiji Yagyu
Application Number:
JP2020539304A
Publication Date:
October 21, 2020
Filing Date:
March 23, 2020
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01L21/338; C01B32/182; H01L29/778; H01L29/812
Domestic Patent References:
| JP2011009268A | 2011-01-13 | |||
| JP2018535536A | 2018-11-29 | |||
| JP2009190918A | 2009-08-27 | |||
| JP2012121751A | 2012-06-28 | |||
| JP2015015321A | 2015-01-22 |
Foreign References:
| US20110108854A1 | 2011-05-12 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoshitake Hidetoshi
Takahiro Arita
Takahiro Arita