窒化物バルク単結晶層を用いる発光素子構造 - アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオンＡＭＭＯＮＯＳｐ．ｚｏ．ｏ．

Title:

窒化物バルク単結晶層を用いる発光素子構造

Document Type and Number:

Japanese Patent JPWO2003043150

Kind Code:

A1

Abstract:

高出力タイプの窒化物発光素子を提供するもので、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に、活性層を含む窒化物発光素子において、上記基板がガリウム含有窒化物のバルク単結晶から切り出され、欠陥密度が１０５／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長面を有し、六方晶のＣ軸に平行なエピタキシャル成長のためのＡ面またはＭ面を備えることができ、該面の上に直接上記ｎ型半導体層が積層されてなる。前記活性層がＩｎを含む窒化物半導体からなる場合は活性層に損傷を与えない低温で単結晶ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなる保護膜を形成することができる。

More Like This:

JP5252042	Method for manufacturing group III nitride semiconductor light emitting device and group III nitride semiconductor light emitting device
JPH11238687	SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
JP4457549	Nitride semiconductor laser device and its manufacturing method

Inventors:

ロベルト・ドヴィリニスキ
ロマン・ドラジニスキ
イエジ・ガルチニスキ
レシェック・シェシュプトフスキ
神原康雄

Application Number:

JP2003544869A

Publication Date:

March 10, 2005

Filing Date:

October 28, 2002

Export Citation:

Click for automatic bibliography generation Help

Assignee:

アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオンＡＭＭＯＮＯＳｐ．ｚｏ．ｏ．
日亜化学工業株式会社

International Classes:

H01S5/323; C30B7/00; C30B7/10; C30B9/00; C30B29/40; H01L21/205; H01L21/318; H01L33/00; H01S5/00; H01S5/16; H01S5/02; H01S5/028; H01S5/22; H01S5/32; H01S5/343

Previous Patent: RADIOACTIVE RAY DETECTING CIRCUIT

Next Patent: RADIOACTIVE RAY DETECTOR AND RADIOGRAPHIC DEVICE