Title:
スパッタリングによる成膜方法とその装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2009028055
Kind Code:
A1
Abstract:
ターゲットから放出されたスパッタ粒子を、基板に対して斜めに選択入射するようなターゲットならびに基板を配置することで斜め成膜を可能とし、高い一軸磁気異方性を有する磁性膜を均一に、且つコンパクトに成膜できるようなスパッタ装置を提供する。スパッタリングターゲット支持面を有するカソードであって、該スパッタリングターゲット支持面が回転する回転軸を備えたカソードと、基板支持面を有するステージであって、該基板支持面が回転する回転軸を備えたステージとからなるスパッタリング装置であり、スパッタリングターゲット支持面と基板支持面とが互いに対面しており、それぞれの回転軸を中心として独立して回転可能に構成した。さらに、遮蔽板がスパッタリングターゲット支持面と基板支持面との間に配置されており、カソード及びステージと独立して回転可能に構成した。
Inventors:
Tetsuya Endo
Abara Ain Citaine Noel
Abara Ain Citaine Noel
Application Number:
JP2009529905A
Publication Date:
November 25, 2010
Filing Date:
August 29, 2007
Export Citation:
Assignee:
Canon ANELVA Corporation
International Classes:
C23C14/34
Domestic Patent References:
| JPH08296042A | 1996-11-12 | |||
| JPH02221371A | 1990-09-04 | |||
| JPS60113330A | 1985-06-19 | |||
| JP2001195711A | 2001-07-19 | |||
| JP2005213585A | 2005-08-11 |
Attorney, Agent or Firm:
Okabe
Masao Okabe
Nobuaki Kato
Asahi Shinmitsu
Katsumi Miyama
Masao Okabe
Nobuaki Kato
Asahi Shinmitsu
Katsumi Miyama