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Title:
半導体デバイス用基板の洗浄方法及び洗浄液
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2009072529
Kind Code:
A1
Abstract:
基板表面に付着した微小パーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、強力な超音波をかけなくても高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄方法を提供する。超音波照射基板１cm２あたり０．２W以上１．５W以下の強度の超音波を施しながら、以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有する洗浄液を用いて半導体デバイス用基板を洗浄する半導体デバイス用の基板の洗浄方法。（Ａ）過酸化水素（Ｂ）アルカリ（Ｃ）水（Ｄ）下記一般式（１）で表される化合物Ｒ１−Ｏ−（−Ｒ２−Ｏ−）ｎ−Ｈ （１）（式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ２は炭素数２〜３のアルキレン基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。）

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Inventors:
Mochizuki Hideaki
Makoto Ishikawa
Noriyuki Saito
Application Number:
JP2009507257A
Publication Date:
April 28, 2011
Filing Date:
December 03, 2008
Export Citation:
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Assignee:
Mitsubishi Chemical Corporation
International Classes:
H01L21/304
Attorney, Agent or Firm:
Shohei Oguri
Hironori Honda
Toshimitsu Ichikawa



 
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