Title:
光起電力装置およびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2009118861
Kind Code:
A1
Abstract:
外部回路への光電流の取り出し効率を従来に比して落とさずに、光電変換効率を従来に比して改善することができる光起電力装置を得ること。Ｐ型シリコン基板１０１と、光の入射面側に形成されるＮ型の不純物が第１の濃度で拡散された低抵抗Ｎ型拡散層１０２Ｌと、低抵抗Ｎ型拡散層１０２Ｌ上に形成されるグリッド電極１１１と、裏面に形成されるＰ＋層１１０と、Ｐ＋層１１０上に形成される裏面電極と、を備え、低抵抗Ｎ型拡散層１０２Ｌの上面からシリコン基板１０１に到達するように、所定の間隔で設けられた凹部１０６を有し、隣接する凹部１０６間の領域の上面は、低抵抗Ｎ型拡散層１０２Ｌを含み、凹部１０６の形成面から所定の深さの範囲には、第１の濃度よりも低い第２の濃度でＮ型の不純物が拡散された高抵抗Ｎ型拡散層１０２Ｈが形成される。
Inventors:
Takashi Ishihara
Kunihiko Nishimura
Kunihiko Nishimura
Application Number:
JP2010505101A
Publication Date:
July 21, 2011
Filing Date:
March 27, 2008
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01L31/04; H01L31/068
Domestic Patent References:
| JPH11508088A | 1999-07-13 | |||
| JP2002217430A | 2002-08-02 | |||
| JPS60158678A | 1985-08-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Hiroaki Sakai
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