Title:
ＧａＮ単結晶材料の研磨加工方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015152021
Kind Code:
A1
Abstract:
難加工材料である窒化ガリウムＧａＮの単結晶基板を、ＣＭＰ法により十分な研磨効率や研磨性能が得られる研磨加工方法を提供する。ＣＭＰ法による研磨加工において、窒化ガリウムＧａＮから成る単結晶基板の表面が酸化性の研磨液の存在下において砥粒内包研磨パッドを用いて研磨されるので、低い表面粗度を得つつ、高い研磨能率が好適に得られる。この研磨液は、酸化還元電位がＥｈｍｉｎ（式（１）で定められる値）ｍＶ〜Ｅｈｍａｘ（式（２）で定められる値）ｍＶであり、且つｐＨが０．１〜６．５である酸化性の研磨液である。Ｅｈｍｉｎ（ｍＶ）＝−３３．９ｐＨ＋７５０ ・・・（１）Ｅｈｍａｘ（ｍＶ）＝−８２．１ｐＨ＋１４９１ ・・・（２）
Inventors:
Makoto Sato
Hisashi Omori
Maiko Takahashi
Hisashi Omori
Maiko Takahashi
Application Number:
JP2016511608A
Publication Date:
April 13, 2017
Filing Date:
March 26, 2015
Export Citation:
Assignee:
Noritake Company Limited
International Classes:
H01L21/304; B24B37/00; B24B37/24
Domestic Patent References:
| JP2008010835A | 2008-01-17 | |||
| JP2007103457A | 2007-04-19 | |||
| JP2007299979A | 2007-11-15 | |||
| JP2008068390A | 2008-03-27 | |||
| JP2011129752A | 2011-06-30 | |||
| JP2012253259A | 2012-12-20 | |||
| JP2006179647A | 2006-07-06 |
Attorney, Agent or Firm:
Haruyuki Ikeda
Kojiro Ikeda
Kojiro Ikeda