Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019116696
Kind Code:
A1
Abstract:
トランジスタ部とダイオード部とを有する半導体装置であって、半導体基板の上面の上方に設けられたゲート金属層と、半導体基板の上面の上方に設けられたエミッタ電極と、トランジスタ部において半導体基板の上面側に設けられた第１導電型のエミッタ領域と、トランジスタ部において半導体基板の上面側に設けられ、ゲート金属層と電気的に接続され、エミッタ領域と接するゲートトレンチ部と、ダイオード部において半導体基板の上面側に設けられ、エミッタ電極と電気的に接続されたエミッタトレンチ部と、半導体基板の上面側に設けられ、ゲート金属層と電気的に接続され、エミッタ領域と接していないダミートレンチ部とを備える半導体装置を提供する。
Inventors:
Tomoyuki Obata
Soichi Yoshida
Imagawa Tetsutaro
Seiji Momota
Soichi Yoshida
Imagawa Tetsutaro
Seiji Momota
Application Number:
JP2019558931A
Publication Date:
April 02, 2020
Filing Date:
October 05, 2018
Export Citation:
Assignee:
Fuji Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/78; H01L21/336; H01L21/8234; H01L27/06; H01L29/12; H01L29/739; H01L29/861; H01L29/868
Domestic Patent References:
| JP2013080796A | 2013-05-02 | |||
| JP2013021104A | 2013-01-31 | |||
| JP2017147435A | 2017-08-24 | |||
| JP2016219774A | 2016-12-22 |
Foreign References:
| WO2017141998A1 | 2017-08-24 | |||
| WO2017047276A1 | 2017-03-23 | |||
| WO2017006711A1 | 2017-01-12 | |||
| WO2014188570A1 | 2014-11-27 |
Attorney, Agent or Firm:
Longhua International Patent Service Corporation