Title:
Flash memory
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6164712
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】 ＳＦＤＰデータの高速読み出しが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。【解決手段】 フラッシュメモリは、メモリセルアレイと、メモリセルアレイから読み出されたデータを保持する第１のラッチ回路Ｌ１と、第１のラッチ回路Ｌ１から転送されたデータを保持可能な第２のラッチ回路Ｌ２とを含むページバッファ／センス回路１７０と、コントローラ１５０とを含む。コントローラ１５０は、電源投入直後またはリセット直後に、メモリセルアレイのブロック０／ページ０のデータを第２のラッチ回路Ｌ２に保持させ、ＳＦＤＰデータを第１のラッチ回路Ｌ１に保持させる。そして、入力されるコマンドに応じて、ＳＦＤＰデータまたはブロック０／ページ０のデータをシリアル出力する。【選択図】 図６
Inventors:
Kazuki Yamauchi
Katsutoshi Mizuto
Katsutoshi Mizuto
Application Number:
JP2016160378A
Publication Date:
July 19, 2017
Filing Date:
August 18, 2016
Export Citation:
Assignee:
Winbond Electronics Corporation
International Classes:
G11C16/26; G06F12/06
Domestic Patent References:
| JP2013235642A | 2013-11-21 | |||
| JP2007133683A | 2007-05-31 |
Attorney, Agent or Firm:
Kyozo Katayose