Title:
多層ＰＥＣＶＤ ＴＥＯＳ酸化物膜における欠陥の低減方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023547370
Kind Code:
A
Abstract:
例示的な堆積方法は、半導体処理チャンバの処理領域内で、半導体基板を第１の電圧で静電チャックすることを含みうる。方法は、堆積処理の実行を含みうる。堆積処理は、半導体処理チャンバの処理領域内にプラズマを形成することを含みうる。方法は、半導体処理チャンバ内のプラズマの形成を停止させることを含みうる。方法は、停止と同時に、静電チャッキングの第１の電圧を第２の電圧に上昇させることを含みうる。方法は、半導体処理チャンバの処理領域をパージすることを含みる。【選択図】図２
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Inventors:
Howradal, Lana
Yu, Han
Muchara, Madou Santhosh Kumar
Yeah, Chung Jung
Keshri, Abigan
Barracuda, Sanjay
Raj, Damien Raj Benjamin
Paddy, Dinesh
Yu, Han
Muchara, Madou Santhosh Kumar
Yeah, Chung Jung
Keshri, Abigan
Barracuda, Sanjay
Raj, Damien Raj Benjamin
Paddy, Dinesh
Application Number:
JP2023524298A
Publication Date:
November 10, 2023
Filing Date:
October 15, 2021
Export Citation:
Assignee:
APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
International Classes:
H01L21/31; C23C16/42; C23C16/44; H01L21/316
Attorney, Agent or Firm:
Sonoda & Kobayashi Patent Attorneys Corporation