Title:
裏面エッチングによる超伝導量子ビットの寿命およびコヒーレンス改善
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023529563
Kind Code:
A
Abstract:
量子力学的デバイスの量子ビットの寿命およびコヒーレンス時間を改善するための方法が提供される。この方法は、前面および裏面を有する基板を準備することを含み、前面が、前面上に形成される少なくとも１つの量子ビットを有し、少なくとも１つの量子ビットが、コンデンサ・パッドを有する。この方法は、少なくとも１つの量子ビットの寿命（Ｔ１）およびコヒーレンス時間（Ｔ２）を増大させるために、シリコン－空気（ＳＡ）界面、金属－空気（ＭＡ）界面、またはシリコン－金属（ＳＭ）界面のうちの少なくとも１つによる、高周波電流損失を減少させるように、基板の裏面の、少なくとも１つの量子ビットの反対側のエリアから、所定の量の基板材料を除去することか、または基板の裏面の、少なくとも１つの量子ビットの反対側のエリアに、超伝導金属層を堆積させることのうちの少なくとも一方をさらに含む。
Inventors:
Jill, Douglas
Sandberg, Martin
Adiga, Viveca Nanda
Martin, Eves
Pike, Hanhe
Sandberg, Martin
Adiga, Viveca Nanda
Martin, Eves
Pike, Hanhe
Application Number:
JP2022567901A
Publication Date:
July 11, 2023
Filing Date:
June 17, 2021
Export Citation:
Assignee:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
International Classes:
H10N60/83; H10N60/01
Attorney, Agent or Firm:
Tadashi Taneichi
Tadahiko Kataoka
Tadahiko Kataoka
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