Title:
シス−３−ヘキセン−１−オールの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014156781
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明は、パラジウム触媒の存在下、無溶媒及び反応容器内の水素ゲージ圧を１０〜１０００ｋＰａの条件で、３−ヘキシン−１−オールの部分水素添加反応を行うことを特徴とする、シス−３−ヘキセン−１−オールの製造方法である。本発明によれば、パラジウム触媒を使用して、３−ヘキシン−１−オールを部分水素添加することにより、高純度のシス−３−ヘキセン−１−オールを工業的に有利に製造することができる。
Inventors:
Masahiro Endo
Application Number:
JP2015508328A
Publication Date:
February 16, 2017
Filing Date:
March 17, 2014
Export Citation:
Assignee:
Zeon Corporation
International Classes:
C07C29/17; C07C33/025
Attorney, Agent or Firm:
Haruhito Oishi