Title:
半導体酸化チタンの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6963853
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】煩雑な前処理が不要で、汎用的な装置で簡易に半導体酸化チタンを製造することができる半導体酸化チタンの製造法を提供する。【解決手段】チタンを含有する基材を、７０℃以上９０℃以下の過酸化水素水に１時間以上２８時間以下浸漬させる第１の浸漬工程、及び前記第１の浸漬工程を経た前記基材を水に２４時間以上９６時間以下浸漬させる第２の浸漬工程、を有する半導体酸化チタンの製造方法。【選択図】なし
Inventors:
Yoshihiro Ikejiri
Ryo Tanaka
Shinya Tsukada
Keiichi Endo
Konan Hiroshi
Ryo Tanaka
Shinya Tsukada
Keiichi Endo
Konan Hiroshi
Application Number:
JP2021004588A
Publication Date:
November 10, 2021
Filing Date:
January 15, 2021
Export Citation:
Assignee:
Shiken Co., Ltd.
International Classes:
B01J35/02; B01J37/20
Domestic Patent References:
| JP2012105915A | 2012-06-07 |
Foreign References:
| CN1252310C | 2006-04-19 | |||
| CN103936066A | 2014-07-23 | |||
| WO2008026864A1 | 2008-03-06 |
Other References:
J.-M. WU ET AL.: "Crystallization of Anatase from Amorphous Titania in Hot Water and In Vitro Biomineralization", JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN, vol. 110, JPN6021008977, 2002, pages 78 - 80, ISSN: 0004511677
Attorney, Agent or Firm:
Patent Business Corporation Unias International Patent Office