Title:
シリコン含有材料を製造するための方法及び装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022543382
Kind Code:
A
Abstract:
シリコン含有材料を製造するための方法であって、前記方法が、（ａ）ガスを、ガスが少なくとも部分的にプラズマ形態である過熱された状態に変換する工程；（ｂ）過熱されたガスをシリコン含有の第一出発材料と接触させてガス及びシリコンを含む混合物を形成する工程を含み、シリコン含有材料が、（ｃ）混合物中のシリコンと直接化学反応させることができるか、又は過熱されたガス及び／又は混合物と接触すると熱的に分解する第二出発材料をガス又は混合物に添加する工程によって製造され；（ｄ）工程（ａ）及び（ｂ）が互いに空間的に分離して実施されることを特徴とする。【選択図】 図１
Inventors:
Schmidt, Christian
pedric, georgie
Khan, Johem
feinergre, peter
pedric, georgie
Khan, Johem
feinergre, peter
Application Number:
JP2022506539A
Publication Date:
October 12, 2022
Filing Date:
July 30, 2020
Export Citation:
Assignee:
Schmidt Silicon Technology Gesellschaft Mitt Beschlenktel Hafzung
International Classes:
C01B21/068; C01B32/963
Domestic Patent References:
| JP2012509834A | 2012-04-26 | |||
| JPH05228363A | 1993-09-07 | |||
| JPS57183369A | 1982-11-11 | |||
| JP2012504100A | 2012-02-16 | |||
| JPH0648709A | 1994-02-22 | |||
| JP2018524808A | 2018-08-30 |
Attorney, Agent or Firm:
Nobuaki Kazehaya
Noriko Asano
Noriko Asano