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Title:
基板を処理するための方法および装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024519714
Kind Code:
A
Abstract:
基板を処理するための方法および装置が提供される。例えば、基板を処理する方法は、ルテニウムのベース層上のケイ素系ハードマスク層と反応させてケイ素系ハードマスク層を覆うＳｉＯのような材料の被覆を形成するために、酸素（Ｏ２）をエッチチャンバの処理容積の中に供給することと、Ｏ２または塩化物（Ｃｌ２）のうちの少なくとも一方を用いてルテニウムのベース層をエッチングするとともに、エッチング中に作り出された露出したルテニウム側壁にＳｉＯのような材料の一部をスパッタリングするために窒素（Ｎ２）を供給することとを含む。【選択図】図３

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Inventors:
Jean, Hao
Lu, Chi
Ren, Ho
Naiku, Mayur
Application Number:
JP2023567869A
Publication Date:
May 21, 2024
Filing Date:
April 26, 2022
Export Citation:
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Assignee:
APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
International Classes:
H01L21/3065; C23F4/00
Attorney, Agent or Firm:
Sonoda & Kobayashi Patent Attorneys Corporation



 
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