Title:
溝を使用した素子の除去のための方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024016247
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】溝を使用して基板から素子のバーを除去するための方法及び本方法によって加工される素子を提供する。【解決手段】光電子素子１１４は、エピタキシャル側方過成長（ＥＬＯ）層１０５が、基板１０１の開放面積上で成長され、ＥＬＯ層は、基板内の溝１０９の表面よりも高い。溝は、ＥＬＯ層の対称形状を形成しやすく、これは、フリップチップ接合のためにこれを好適にする。ＥＬＯ層の形状は、ＥＬＯ層によって形成されるバーの裏側における窪みのある表面領域１０７を有する。劈開点１１２を、力が素子１１４のバーを除去するために劈開点に効率的に印加されるように、ＥＬＯ層の底部よりも高く位置する。【選択図】図１ａ
Inventors:
Tsuyoshi Kamikawa
Srinivas Gandrotura
Masahiro Araki
Srinivas Gandrotura
Masahiro Araki
Application Number:
JP2023193580A
Publication Date:
February 06, 2024
Filing Date:
November 14, 2023
Export Citation:
Assignee:
The Regents of the University of California
International Classes:
H01L21/20; H01L21/205; H01S5/02; H01S5/22; H01S5/343
Attorney, Agent or Firm:
Shusaku Yamamoto
Natsuki Morishita
Natsuki Morishita