Title:
検出パラメータが改善された裏面照射型光学センサーの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022549602
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、裏面照射型（ＢＳＩ）ＣＭＯＳ光学センサーを製造する方法、より具体的には、クロストークを低減し、裏面照射型（ＢＳＩ）ＣＭＯＳ光学センサーにおける光子検出効率（ＰＤＥ）を向上させる方法に関する。特に、特許請求された方法は、隣接するすべての検出素子を互いに分離するために、前記ＢＳＩＣＭＯＳ光学センサーのピクセルアレイの隣接する検出素子間に分離構造を作成するステップと、すべての検出素子を共通の電圧バイアスに接続するために、前記ピクセルアレイのすべての検出素子に共通電圧裏側印加構造を作成するステップとを含む。
Inventors:
Paolo Organtini
Giovanni Margutti
Giovanni Margutti
Application Number:
JP2022517453A
Publication Date:
November 28, 2022
Filing Date:
September 14, 2020
Export Citation:
Assignee:
El Foundry Esse Elle Elle
International Classes:
H01L31/107; H01L27/146; H01L31/10
Attorney, Agent or Firm:
Murayama Yasuhiko
Shinya Mihiro
Tatsuhiko Abe
Shinya Mihiro
Tatsuhiko Abe