Title:
ランダムテレグラフノイズを呈するメモリセルに対するプログラム後調整によってアナログ不揮発性メモリにおける読み出し電流安定性を改善する方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024520275
Kind Code:
A
Abstract:
ゲートを有する不揮発性メモリセルのためのメモリデバイス及び方法であって、メモリセルを、ターゲット読み出し電流及び閾値電圧に対応する初期プログラム状態にプログラミングするステップを含み、第１の値を有するプログラム電圧をゲートに印加するステップと、第１の値をメモリに記憶するステップと、第１の読み出し電流を生成するように、ゲートに印加される、ターゲット閾値電圧より小さい読み出し電圧を使用して、第１の読み出し動作において、メモリセルを読み出すステップと、第１の読み出し電流がターゲット読み出し電流より大きいと判定することに応答して、メモリセルを追加のプログラミングに供するステップと、を含む、メモリデバイス及び方法。追加のプログラミングは、メモリから第１の値を取り出すステップと、第１の値より大きい第２の値を決定するステップと、第２の値を有するプログラム電圧をゲートに印加するステップを含む、選択された不揮発性メモリセルをプログラミングするステップと、を含む。【選択図】 図４
Inventors:
Markov, Victor
Kotov, Alexander
Kotov, Alexander
Application Number:
JP2023565896A
Publication Date:
May 24, 2024
Filing Date:
September 27, 2021
Export Citation:
Assignee:
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
International Classes:
G11C16/34
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Wisdom International Patent and Trademark Office
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