Title:
ＲＦ用途を目的とした複合構造のためのハンドル基板を形成するためのプロセス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023504594
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、複合構造のためのハンドル基板（１００）であって、１０～５００Ω・ｃｍの抵抗率を有する、チョクラルスキー引き上げ法によって得られる単結晶シリコンウェハ（１）上のエピタキシャルシリコン層（２）から成るベース基板（１２）であって、上記エピタキシャルシリコン層（２）が、２０００Ω・ｃｍよりも大きい抵抗率及び２～１００マイクロメートルに及ぶ厚さを呈する、ベース基板（１２）と、エピタキシャルシリコン層（２）上にあり、エピタキシャルシリコン層（２）と接しているパッシベーション層（３）であって、上記パッシベーション（３）層が、非晶質又は多結晶である、パッシベーション層（３）と、パッシベーション層（３）上にあり、パッシベーション層（３）と接している電荷トラップ層（４）とを備える、ハンドル基板（１００）に関する。【選択図】 図１
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Inventors:
Kim, Yang Pil
Delpratt, Daniel
Capello, Luciana
Bertrand, Isabel
Alibert, Frederick
Delpratt, Daniel
Capello, Luciana
Bertrand, Isabel
Alibert, Frederick
Application Number:
JP2022528160A
Publication Date:
February 06, 2023
Filing Date:
November 25, 2020
Export Citation:
Assignee:
Soitec
International Classes:
H01L21/02
Attorney, Agent or Firm:
Ikeda Adult
Junichiro Sakamaki
Masakazu Noda
Junichiro Sakamaki
Masakazu Noda
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