Title:
半導体光デバイスにおけるオージェ再結合の低減
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023516143
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】半導体光デバイスにおけるオージェ再結合を低減する。【解決手段】半導体光デバイス（４０，５０，６０）は、デバイスに電圧が印加されると電子及び正孔がアクティブ領域内で再結合して光子を生成するように構成されるアクティブ領域を含む第１の領域４２を備える。デバイスは、電子のみをトラップする、正孔のみをトラップする、又は異なる量の電子及び正孔をトラップするように構成される量子井戸構造を含む少なくとも１つの第２の領域（４３，４４，５３，５４，６２，６３）を備える。第２の領域は、デバイスに電圧が印加されると電荷不均衡が第１の領域内に発展し、それにより第１の領域内でのオージェ再結合を低減するように第１の領域に十分に近い第１の領域からある距離に配置される。
Inventors:
Adams, Alfred Rodney
Application Number:
JP2022550729A
Publication Date:
April 18, 2023
Filing Date:
February 26, 2021
Export Citation:
Assignee:
University of Surrey
International Classes:
H01S5/34
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation RYUKA International Patent Office
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