Title:
半導体装置及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024001641
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】 特性劣化の抑制を図れる酸化物半導体層を含む半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体装置１は、第１の絶縁層２２と、第１の絶縁層２２上に設けられたゲート電極層５３と、ゲート電極層５３上に設けられた第２の絶縁層２３とを含む。半導体装置１は、更に、第２の絶縁層２３、ゲート電極層５３及び第１の絶縁層２２に沿って設けられた酸化物半導体層５１と、第２の絶縁層２３、ゲート電極層５３及び第１の絶縁層２２に沿って設けられ、酸化物半導体層５１の側面を囲むゲート絶縁層５２とを含む。半導体装置１は、更に、第１の絶縁層２２、ゲート電極層５３及び第２の絶縁層２３を介して、酸化物半導体層５１及びゲート絶縁層５２を囲む、第１の水素バリア膜４２を含む。【選択図】 図２Ａ
Inventors:
Itsuki Kikuchi
Keiko Sakuma
Shosuke Fujii
Keiko Sakuma
Shosuke Fujii
Application Number:
JP2022100420A
Publication Date:
January 10, 2024
Filing Date:
June 22, 2022
Export Citation:
Assignee:
Kioxia Corporation
International Classes:
H10B12/00; H01L21/8234
Attorney, Agent or Firm:
Suzue International Patent Office