Title:
半導体装置及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024030592
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】 層間絶縁膜がトレンチ内部に位置する半導体装置において、半導体基板の上面と層間絶縁膜の上面を覆う金属膜の被覆性を向上する技術を提案する。【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上面に設けられたトレンチと、トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜と、トレンチの内部に設けられており、ゲート絶縁膜によって半導体基板から絶縁されているゲート電極と、トレンチの内部に設けられており、ゲート電極の上面を覆う層間絶縁膜と、金属膜、を備えている。半導体基板が、半導体基板の上面よりも下側に位置しており、半導体基板の上面とトレンチの側面とを接続する接続面を備えている。ゲート絶縁膜の上面が、接続面よりも下側に位置しており、層間絶縁膜の上面が、ゲート絶縁膜の上面よりも下側に位置しており、金属膜が、半導体基板の上面、接続面、ゲート絶縁膜の上面、及び層間絶縁膜の上面を覆っている。【選択図】図２
Inventors:
Fumito Tachibana
Application Number:
JP2022133568A
Publication Date:
March 07, 2024
Filing Date:
August 24, 2022
Export Citation:
Assignee:
株式会社デンソー
International Classes:
H01L29/78; H01L21/329; H01L21/336; H01L29/12; H01L29/739; H01L29/861
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Kaiyu International Patent Office
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