Title:
半導体デバイス、メモリデバイス、及びメモリシステム
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024511021
Kind Code:
A
Abstract:
半導体デバイス、メモリ、およびメモリシステムが提供される。半導体デバイスは、アレイデバイスおよび複数のソース引き出し接点を備え、アレイデバイスは、複数のチャネル構造、および複数のチャネル構造に接続されたソース層を備える。複数のソース引き出し接点は、ソース層に接続され、複数のソース引き出し接点および複数のチャネル構造は、ソース層の両側にそれぞれ位置し、ソース層上の複数のソース引き出し接点の正投影は、等間隔に分布している。
Inventors:
Chen Fu
Juan Ray
Juan Ray
Application Number:
JP2023556974A
Publication Date:
March 12, 2024
Filing Date:
March 25, 2022
Export Citation:
Assignee:
Yangtze Memory Technologies Co.,Ltd.
International Classes:
H10B43/40; G11C16/04; H01L21/336; H10B41/27; H10B41/40; H10B43/27
Attorney, Agent or Firm:
Hiromori Arai
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