Title:
半導体記憶装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024074160
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】ショットキー接合を含むトランジスタをメモリセルとして用いた半導体記憶装置において、その信頼性を向上すること。【解決手段】ビット線対と、ソース線と、ワード線と、行列状に配置された複数のメモリセルからなるメモリセルアレイを有し、メモリセルは、ｎ型ウェルに形成された一対のｐ型のトランジスタ対であって、トランジスタの端子の一つはｎ型ウェル上に形成した金属薄膜からなるショットキー接合であり他の端子はソース線に接続されたことを特徴とする半導体記憶装置。【選択図】図２
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Inventors:
Kazuhiko Koyama
Tadahiko Horiuchi
Tadahiko Horiuchi
Application Number:
JP2022185262A
Publication Date:
May 30, 2024
Filing Date:
November 18, 2022
Export Citation:
Assignee:
Nscore inc.
International Classes:
H10B43/30; G11C16/04; G11C16/10; G11C16/24; G11C16/26; H01L21/336
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Takahashi Hayashi and Partners