Title:
炭化珪素半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024074921
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】炭化珪素単結晶基板に含まれる基底面転位が積層欠陥へ拡張することを抑制する。【解決手段】一面１０ａおよび一面１０ａと反対側の他面１０ｂを有する炭化珪素単結晶基板１０と、一面１０ａ上に配置された炭化珪素で構成されるエピタキシャル層１２と、を備える炭化珪素半導体装置において、炭化珪素単結晶基板１０は、一面側に不純物元素１１ａが配置されており、不純物元素は、一面側に存在する基底面転位１０ｃの周囲に、周囲と異なる部分よりも多く配置されるようにする。【選択図】図４
Inventors:
Yuusuke Hayama
Uehara Junichi
Takehiro Kato
Yusuke Yamashita
Uehara Junichi
Takehiro Kato
Yusuke Yamashita
Application Number:
JP2024060395A
Publication Date:
May 31, 2024
Filing Date:
April 03, 2024
Export Citation:
Assignee:
株式会社デンソー
International Classes:
H01L29/78; H01L21/336; H01L29/12
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Yuuai Patent Office