Title:
同時デュアルバンド検出器
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017506436
Kind Code:
A
Abstract:
放射線検出器（１２）は、共通層上に配置された一対の隣接するメサ（２２、２４）を有し、共通層は、第１の導電型と第１のスペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップとを持つ第１の半導体層（１６）を有し、メサの各々が、第２の半導体層（１８）と、第２の半導体層上に配置され、第１の導電型と第２のスペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップとを持つ第３の半導体層（２０）とを有する。第２の半導体層は、第１導電型とは逆の導電型を持つことができ、あるいは、これら３つの層がｎＢｎ又はｐＢｐ構造を提供してもよい。第２のメサの第３の半導体層は、第２のスペクトル領域内の放射線に応答して、不所望のキャリアとして、第１のメサに向かって共通層に流れる少数キャリアを生み出す。共通層内にバリア領域が配設される。
Inventors:
Queer slurs, craig
Wener, Justin, Gordon Adams
Willes, Richard, H.
King, Donald, F.
Roberts, Peter, Sea.
Marys, Christopher, Elle.
Wener, Justin, Gordon Adams
Willes, Richard, H.
King, Donald, F.
Roberts, Peter, Sea.
Marys, Christopher, Elle.
Application Number:
JP2016553358A
Publication Date:
March 02, 2017
Filing Date:
November 18, 2014
Export Citation:
Assignee:
RAYTHEON COMPANY
International Classes:
H01L31/10
Attorney, Agent or Firm:
Tadashige Ito
Tadahiko Ito
Shinsuke Onuki
Tadahiko Ito
Shinsuke Onuki