Title:
酸素濃度の低い領域を有するウェハ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022543548
Kind Code:
A
Abstract:
単結晶シリコンウェハは、第１の表面と対向側の第２の表面との間の厚さが５０μｍから３００μｍである。ウェハは、第１の表面から第１の深さまで延びる第１の領域を含む。第１の領域は、ウェハの隣接する領域と比較して、低減された酸素濃度を有する。ウェハは、１００μｓより大きいバルク少数キャリアライフタイムを有する。
Inventors:
Jesse S. Appel
Allison Greenley
Nathan Studdard
peter kellerman
Partif Duggor
Alexander Martinez
Said Pirooji
Allison Greenley
Nathan Studdard
peter kellerman
Partif Duggor
Alexander Martinez
Said Pirooji
Application Number:
JP2022505324A
Publication Date:
October 13, 2022
Filing Date:
August 09, 2020
Export Citation:
Assignee:
LEADING EDGE EQUIPMENT TECHNOLOGIES,INC.
International Classes:
C30B29/06; C30B15/06
Attorney, Agent or Firm:
Maruyama Eiichi
Shigeki Maruyama
Tomoki Maruyama
Shigeki Maruyama
Tomoki Maruyama