Title:
磁気レベル・ゲージ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022545492
Kind Code:
A
Abstract:
物質貯蔵容器のための壁装着式磁気レベル・ゲージは、物質貯蔵容器の側壁上に位置し、物質貯蔵容器内の物質の高さに応じて機械的変位を生じさせる磁性体変位アセンブリ（１０１）を備える。保護ハウジング（１０８）、保護ハウジング（１０８）内に位置する磁気抵抗チップ（１０３）、および処理モジュール（２ａ）を備えた磁気センサ・アセンブリ（２）をさらに含む。保護ハウジング（１０８）は、物質貯蔵容器の側壁に固定される。磁気抵抗チップ（１０３）は、磁石変位アセンブリ（１０１）に面する処理モジュール（２ａ）の側面に位置する。磁気センサ・アセンブリ（２）は、磁石変位アセンブリ（１０１）によって生成される磁場を感知して物質貯蔵容器内の物質の高さを決定するのに使用される。磁石変位アセンブリ（１０１）は、物質の高さに従って磁石を変位させる。磁気抵抗チップは、磁石変位アセンブリ（１０１）の磁場変化を感知して、それに応じて物質の高さを決定する。磁気レベル・ゲージは、単純な構造、低消費電力、高感度、および低コストという利点を有する。これは、固体および液体物質測定に適している。【選択図】図２
Inventors:
chi, bin
Shwe, Songchon
Shwe, Songchon
Application Number:
JP2022512289A
Publication Date:
October 27, 2022
Filing Date:
August 18, 2020
Export Citation:
Assignee:
MULTIDIMENSION TECHNOLOGY CO., LTD.
International Classes:
G01F23/16
Domestic Patent References:
| JP2001324399A | 2001-11-22 | |||
| JP2005221418A | 2005-08-18 |
Foreign References:
| US4495388A | 1985-01-22 |
Attorney, Agent or Firm:
Patent Business Corporation Unias International Patent Office
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