Title:
A manufacturing method of length type MOSFET and length type MOSFET
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6237845
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】トレンチの底部（特に角部）には、ゲートのターンオフ時にソース・ドレイン間に高電圧が印加されると電界が集中する。これにより、ゲート絶縁膜が破壊または劣化するという問題がある。この問題に対処するべく、トレンチの底部に比較的厚い絶縁膜を設けることが考えられる。ただし、絶縁膜に生じるアバランシェ・ブレークダウンは非可逆的な破壊現象であるので、絶縁膜が一旦破壊されると二度と使用することができない。【解決手段】化合物半導体層を有する縦型ＭＯＳＦＥＴであって、ゲート電極と、ゲート電極と化合物半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の少なくとも一部に直接接して設けられ、化合物半導体層の一部であるドリフト領域と、少なくとも前記ドリフト領域に設けられ、ゲート絶縁膜の少なくとも一部の下に位置し、ドリフト領域よりも単位長さ当たりの抵抗値が高い高抵抗領域とを備える縦型ＭＯＳＦＥＴを提供する。【選択図】図１
Inventors:
Katsunori Ueno
Application Number:
JP2016163995A
Publication Date:
November 29, 2017
Filing Date:
August 24, 2016
Export Citation:
Assignee:
Fuji Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/78; H01L21/28; H01L21/336; H01L29/12; H01L29/417
Domestic Patent References:
| JP2005510061A | 2005-04-14 | |||
| JP2013034031A | 2013-02-14 | |||
| JP2008543048A | 2008-11-27 | |||
| JP2016042595A | 2016-03-31 | |||
| JP2015126080A | 2015-07-06 | |||
| JP2007087985A | 2007-04-05 | |||
| JP2015126085A | 2015-07-06 | |||
| JP2003516631A | 2003-05-13 | |||
| JPS5658267A | 1981-05-21 | |||
| JPH0613621A | 1994-01-21 | |||
| JPH0778978A | 1995-03-20 | |||
| JP2008130959A | 2008-06-05 |
Foreign References:
| WO2014041731A1 | 2014-03-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Longhua International Patent Service Corporation
Previous Patent: A mobile station and a method
Next Patent: MEASURING METHOD FOR SUBSTANCE CLINGING TO ELECTRON TUBE MOUNT
Next Patent: MEASURING METHOD FOR SUBSTANCE CLINGING TO ELECTRON TUBE MOUNT