Title:
半導体基板をキャリアにボンディングする方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022549606
Kind Code:
A
Abstract:
半導体デバイスを製造する方法は、半導体基板を設けることと、半導体基板をキャリアにボンディングすることとを含む。半導体基板は、不活性材料層およびその上の半導体層を含む。半導体基板は、不活性材料層がキャリアと半導体基板の間にあるように、キャリアにボンディングされる。キャリアと半導体基板との間に不活性材料層を含むことによって、半導体基板をキャリアにボンディングするために使用される任意のボンディング剤の拡散に対する障壁が形成され、それによって半導体層の完全性が維持され、半導体基板をキャリアから容易に取り外しすることが可能になる。
Inventors:
Gardner, Geoffrey Sea.
Application Number:
JP2022517720A
Publication Date:
November 28, 2022
Filing Date:
June 16, 2020
Export Citation:
Assignee:
Microsoft Technology Licensing, LLC
International Classes:
H01L21/02
Attorney, Agent or Firm:
Tadashige Ito
Tadahiko Ito
Osamu Miyazaki
Tadahiko Ito
Osamu Miyazaki
Previous Patent: Light-emitting element for display and light-emitting package having the same
Next Patent: Coding block scaling process
Next Patent: Coding block scaling process