Title:
量子デバイス構造
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023542466
Kind Code:
A
Abstract:
シリコン系量子デバイスを提供する。このデバイスは、第１の金属構造と、第１の金属構造から横方向に分離した第２の金属構造と、第１の金属構造と第２の金属構造の間の分離によって画定された伸長したチャネルとを備え、伸長したチャネルは頂点を有する。デバイスはさらに、伸長したチャネル内に部分的に位置決めされた第３の金属構造と、第３の金属構造の第１の端部に配置された第４の金属構造と、第３の金属構造の第２の端部に配置された第５の金属構造を備えている。第１、第２、第３、第４および第５の金属構造は、それぞれ第１、第２、第３、第４および第５の電位に接続するように構成される。第１、第２、第３、第４および第５の電位は、伸長したチャネルの下の伸長した量子ドットに量子電荷キャリアを閉じ込めるための電位井戸を画定するように制御可能である。第４および第５の電位、ならびに第４および第５の金属構造の位置は、伸長したチャネルの第１および第２の端部をそれぞれ画定する。電位井戸の幅は、第１、第２および第３の金属構造の位置とそれらに対応する電位とによって画定され、電位井戸の長さは、第３、第４および第５の金属構造の位置とそれらに対応する電位とによって画定される。第３の電位は、電位井戸内の量子電荷キャリアエネルギーレベルを調節するために制御可能である。
Inventors:
Patomaki, Sofia
morton, joan
morton, joan
Application Number:
JP2023507993A
Publication Date:
October 10, 2023
Filing Date:
August 05, 2021
Export Citation:
Assignee:
Quantum Motion Technologies Limited
International Classes:
H01L29/06; G06N10/20
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Shinei Office
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