本申请主张在 2013 年 10 月 9 日在中国提交的中国专利申请号 No. 201310468481.4的优先权， 其全部内容通过引用包含于此。 技术领域

本发明涉及显示技术领域， 尤其涉及一种有源矩阵有机电致发光显示器 件、 显示装置及其制作方法。 背景技术

当前电子显示技术正显现蓬勃的发展态势， 先进的液晶显示器 (TFT-LCD)基本全面取代了传统的阴极射线管 （CRT), 并正向第三代显示 技术一有机电致发光器件（OLED) 过渡。 有机电致发光器件 （OLED) 作为 新一代显示器件， 因其具有薄而轻 （OLED器件封装后厚度约为 2mm)、 高 对比度、 快速响应、 宽视角、 高亮度、 全彩色、 耐低温、 可以实现柔性显示、 坚固等优点， 在手机、 个人电子助理、 数码相机、 车载显示、 笔记本电脑、 壁挂电视、 电子纸以及军事领域的应用前景十分广阔。

有机电致发光显示器件按驱动方式可以分为无 源驱动 OLED ( Passive Matrix Driving , PM-OLED ) 和有源驱动 OLED ( Active Matrix Driving, AM-OLED)两种。 其中 PM-OLED结构简单、 制造成本低廉， 多用于信息量 低的一般简单显示中； 而 AM-OLED—般采用多晶硅 p-Si或者氧化物半导体 (如研究和应用较为普遍的 IGZO) TFT作为开关元器件， 实际上相当于在 TFT-LCD的基础上形成有机电致发光层作为像素� �， 能够集合大量的显示信 息并具备良好的发光和显示效果， 因而在显示领域有取代 TFT-LCD的可能。 特别地， 如果在柔性基板上形成有机电致发光层， 还能实现柔性显示效果， 将会极大改变人们对显示终端的认识， 对显示领域产生深远影响。

AM-OLED虽然具有美好的前景, 但相比当前普遍应用到的 TFT-LCD, 其制备过程更复杂， 对制作工艺要求更高。 TFT-LCD是电场型器件， 每个像 素只需一个用作寻址开关的 TFT即可;而 AM-OLED是电流驱动的显示器件， 其亮度与流过有机电致发光层的电流成正比， 因而除寻址开关外， 还需要恒 流驱动控制开关。 所以， AM-OLED ········般采用两个及两个以上的 TFT器件构 成像素电路， 两个及两个以上 TFT器件分别起开关和驱动作用。 图 1是有源 矩阵有机电致发光器件的一种由两个 TFT 器件构成的像素电路的等效示意 图。 两个 TFT器件中的一个 TFT器件为开关薄膜晶体管 TFT1 , 另一个 TFT 器件为驱动薄膜晶体管 TFT2，所述开关薄膜晶体管 TFT1的栅极连接扫描线， 源极连接数据线， 漏极连接驱动薄膜晶体管 TFT2 的栅极； 驱动薄膜晶体管 TFT2的源极连接电源电压线， 漏极连接有机发光：：::：极管的第一电极。

图 2为传统的 AM-OLED的结构示意图。 如图 2所示， 传统的有源矩阵 有机电致发光显示器件形成于衬底基板 10上， 并于衬底基板 10上顺序形成 栅极 20、 栅极保护层 30、 半导体有源层 40、 源极 /漏极 50、 保护层 60、 平坦 层 70、 阳极 81、 有机功能层 82以及阴极 83。 其中， 栅极经第一次构图工艺 形成于衬底基板上， 然后制作栅极保护层覆盖栅极和衬底基板的表 面， 接着， 经第二次构图工艺在 »极保护层上形成半导体有源层， 之后， 经第三次构图 工艺在半导体有源层的两侧形成源极和漏极。 上述制作出的栅极、 栅极保护 层、 半导体有源层、 源极和漏极即构成薄膜晶体管； 在制成薄膜晶体管之后， 顺序制作保护层和平坦层覆盖于薄膜晶体管上 ， 并经第四次构图工艺在保护 层和平坦层上形成过孔。 接着， 经第五次构图工艺在平坦层上制作阳极， 阳 极经过过孔与薄膜晶体管的源极 /漏极其中一端电性连接， 在阳极制作完成 后， 在阳极表面制作有机功能层和阴极， 这样即完成有源矩阵有机电致发光 显示器件的制作。

现有技术中所存在的问题主要有：

AM-OLED中 TFT的源、 漏极和栅极分别位于半导体有源层的两侧， 由 于有源层在靠近栅极的一侧表面形成电流通道 ， 因此源、 漏极需要经过半导 体有源层厚度这一低导电性区域与电流通道相 连， TFT导电性能受到影响。

TFT的源、 漏极和栅极分别位于半导体有源层的两侧， 而 AM-OLED中 每一像素单元至少有两个 TFT， 且其中一个 TFT的栅极与另一个 TFT的源、 漏极需要通过钝化层上的过孔进行连接， 因而在 AM-OLED制作过程中有源 层和源、 漏极需要分别经过两次构图工艺形成， 不能采用半色调掩膜

(Half-tone Mask) 工艺一次形成， 导致 AM-OLED的工艺制程增加。 此外， 有机致电发光层需要在完成 TFT制程后再经过多次工艺形成， 增加了工艺制 程复杂性。 发明内容

本发明的目的是提供一种有源矩阵有机电致发 光显示器件， 其能够在很 大程度上减少工艺制程， 并能够提高 TFT导电性能。

本发明所提供的技术方案如― F：

一种有源矩阵有机电致发光显示器件， 包括衬底基板和形成于所述衬底 基板上的多个像素单元， 所述像素单元包括驱动区域和发光区域， 其中所述 驱动区域布置有至少两个薄膜晶体管； 所述发光区域布置有通过所述薄膜晶 体管驱动的有机电致发光结构； 所述薄膜晶体管为顶栅极结构， 其包括： 形成于所述衬底基板上的有源层；

形成于所述有源层的远离所述衬底基板一侧的 源、 漏极；

形成于所述源、 漏极的远离所述有源层一侧， 并覆盖整个所述驱动区域 和所述发光区域的钝化层； 以及，

形成于所述钝化层的远离所述源、 漏极一侧的栅极。

进一歩的，在所述栅极的远离所述衬底基板的 一侧还覆盖有像素隔离层。 进一歩的， 所述有机电致发光结构为顶部发光结构， 其包括：

形成于所述钝化层的远离所述衬底基板一侧， 并设置于与所述发光区域 相对应位置的阴极， 所述阴极与所述源、 漏极电性连接；

形成于所述阴极的远离所述衬底基板一侧的有 机功能层；

以及， 形成于所述有机功能层的远离所述阴极一侧的 阳极。

进一歩的， 所述阴极与所述栅极处于同一层。

进一歩的，至少两个薄膜晶体管包括第一薄膜 晶体管和第二薄膜晶体管， 所述钝化层在与所述第一薄膜晶体管的源、漏 极对应的位置形成有第一过孔; 其中所述第一薄膜晶体管的源、 漏极通过所述第一过孔与所述第二薄膜晶体 管的栅极电性连接。 进- 步的， 所述钝化层在与所述第二薄膜晶体管的源、 漏极对应的位置 形成有第二过孔； 所述有机电致发光结构的阴极通过所述第二过 孔与所述第 二薄膜晶体管的源、 漏极电性连接。

进一步的， 所述有机功能层包括：

形成于所述阴极的远离所述钝化层-一侧的电� �传输层；

形成于所述电子传输层的远离所述阴极- 侧的有机发光层；

以及，形成于所述有机发光层的远离所述电子 传输层一侧的空穴传输层。 进一步的， 所述有源矩阵有机电致发光显示器件还包括与 所述源、 漏极 连接的数据信号线和电源线， 其中所述数据信号线和所述电源线与所述源、 漏极处于同-一层。

本发明还提供了一种显示装置， 其包括如上所述的有源矩阵有机电致发 光显示器件。

本发明还提供了一种有源矩阵有机电致发光显 示器件的制作方法， 所述 方法包括：

在衬底基板上形成有源层及位于所述有源层两 侧的源、 漏极；

在所述源、 漏极上形成钝化层；

在所述钝化层上形成栅极。

进一歩的， 所述方法具体包括：

在衬底基板上依次沉积半导体层和第一金属层 ， 通过第一次构图工艺形 成有源层和位于所述有源层两侧的源、 漏极；

在所述源、 漏极上覆盖整个像素单元沉积第一绝缘层， 并通过第二次构 图工艺形成钝化层；

在所述钝化层上沉积第二金属层， 并通过第三次构图工艺形成栅极。 进一歩的， 所述第一次构图工艺采用半色调掩膜工艺， 具体包括： 在所述衬底基板上依次沉积半导体层和第一金 属层；

在所述第一金属层上， 沉积光刻胶；

通过半色调或灰色掩膜板对所述光刻胶进行曝 光， 形成光刻胶完全保留 区、 光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区， 其中， 在所述像素单元中所述光 刻胶完全保留区对应所述第一金属层上的预设 的布线区域， 所述布线区域包 括源极和漏极预设位置， 所述光刻胶半保留区对应所述源极和漏极之间 的第 一区域， 所述光刻胶完全去除区对应除所述布线区域和 第- 区域之外的其他 区域；

利用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除区对应 的第一金属层和半导体 层；

利用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区的光刻 胶；

利用刻蚀工艺去除所述光刻胶半保留区所对应 的第一金属层， 形成所述 有源层和所述源、 漏极。

进- 步的， 所述布线区域还包括数据信号线和电源线的预 设位置， 所述 数据信号线和所述电源线通过第一次构图工艺 与所述源、 漏极同时形成。

进-一步的， 所述第：::：:次构图工艺采用掩模工艺， 具体包括：

在所述源、 漏极上并覆盖整个像素单元沉积第- 绝缘层， 并通过所述掩 膜工艺处理得到钝化层， 其中所述钝化层包括第一过孔和第二过孔， 所述第 一过孔和所述第二过孔分别位于所述第一薄膜 晶体管和所述第二晶体管的 源、 漏极的上方。

进一歩的， 所述第三次构图工艺采用掩模工艺， 具体包括：

在所述钝化层上沉积第二金属层， 并通过所述掩膜工艺处理得到栅极和 阴极， 且所述 »极通过所述第一过孔与所述源、 漏极电性连接， 所述阴极通 过所述第二过孔与所述源、 漏极电性连接。

进一歩的， 所述方法还包括： 在所述 »极上沉积第二绝缘层， 通过第四 次构图工艺形成像素隔离层， 具体为：

在形成所述栅极后， 在所述栅极上沉积第二绝缘层， 并通过掩膜工艺刻 蚀定义出发光区域， 形成像素绝缘层；

在所述像素绝缘层上与所述发光区域对应的位 置沉积有机功能层， 并通 过掩膜曝光定义出像素图形；

在所述有机功能层上沉积有机电致发光的透明 阳极层， 并通过掩膜工艺 定义出像素图形。

本发明的有益效果如下：

以上方案， 通过将有源矩阵有机电致发光显示器件的薄膜 晶体管采用顶 栅极结构， 使得源、 漏极和栅极位于有源层的同侧， 从而源、 漏极可以无需 经过半导体厚度这 低导电性区域， 而直接与电流通道相连， 从而提高薄膜 晶体管导电性能； 并且 Εί:1于将源、 漏极和栅极位于有源层的同侧， 可以采用 一次构图工艺形成有源层和源、 漏极， 能够很大程度上减少工艺制程。 附图说明

图 1为有源矩阵有机电致发光器件的-一种由两个 TFT器件构成的像素电 路的等效示意图；

图 2为传统的有源矩阵有机电致发光器件的结构� �意图；

图 3为本发明的有源矩阵有机电致发光器件的结� �示意图。 具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述 ， 所举实例只用于解释本 发明， 并非用于限定本发明的范围。

为了解决现有技术中有源矩阵有机电致发光显 示器件工艺制程复杂， TFT 导电性能不良的问题， 本发明提供了一种有源矩阵有机电致发光显示 器件， 能够减少工艺制程， 并能提高 TFT导电性能。

如图 3所示， 本发明提供的有源矩阵有机电致发光显示器件 包括衬底基 板 100和形成于所述衬底基板 100上的多个像素单元， 所述像素单元包括驱 动区域和发光区域， 其中， 所述驱动区域至少布置有两个薄膜晶体管； 所述 发光区域布置有通过所述薄膜晶体管驱动的有 机电致发光结构； 所述薄膜晶 体管为顶栅极结构， 其包括：

形成于所述衬底基板 100上的有源层 200;

形成于所述有源层 200的远离所述衬底基板 100—侧的源、 漏极 300; 形成于所述源、 漏极 300的远离所述有源层 200—侧， 并覆盖整个所述 驱动区域和所述发光区域的钝化层 400; 以及，

形成于所述钝化层 400的远离所述源、 漏极 300—侧的 »极 500。

在上述方案中， 有源矩阵有机电致发光显示器件的薄膜晶体管 采用顶栅 极结构， 使得源、 漏极 300和栅极 500均位于有源层 200的同一侧， 这样， 有源层 200和源、 漏极 300就可以通过构图工艺一次形成， 减少工艺制程， 并且，通过对有源矩阵有机电致发光显示器件 的薄膜晶体管采用顶栅极结构， 从而使得源、漏极 300和栅极 500位于有源层 200的同侧， 从而源、漏极 300 可以无需经过半导体有源层厚度这一低导电性 区域，而直接与电流通道相连， 从而提高薄膜晶体管导电性能， 并且不同于 TFT- LCD, 由于没有背光单元， 该结构也不会出现有源层 200受光照影响的问题。

本发明中， 所述有源层 200和所述源、 漏极 300由依次沉积于所述衬底 基板 100上的半导体层和第一金属层通过第一次构图 工艺形成； 所述钝化层 400由沉积于所述源、 漏极 300的远离所述有源层 200 -一侧的第一绝缘层通 过第二次构图工艺形成； 所述栅极 500由沉积于所述钝化层 400的远离所述 源、 漏极 300—侧的第二金属层通过第三次构图工艺形成 。 I由此可见， 本发 明所提供的有源矩阵有机电致发光显示器件可 以通过三次构图工艺形成薄膜 晶体管， 而现有技术中需要经过四次构图工艺形成薄膜 晶体管， 显然本发明 所提供的有源矩阵有机电致发光显示器件可以 很大程度减少工艺制程。

优选的， 所述第一次构图工艺可以采用半色调掩膜 （Half- tone Mask) 工艺； 所述第二次构图工艺可以采用掩膜工艺； 第三次构图工艺可以采用掩 膜工艺。

此外， 本发明中， 如图 3所示， 所述有源矩阵有机电致发光显示器件还 可以包括在所述栅极 500的远离所述衬底基板 100的一侧覆盖的像素隔离层 600，所述像素隔离层 600由沉积于所述栅极 500的远离所述衬底基板 100的 一侧的第二绝缘层通过第四次构图工艺形成。

此外， 在本实施例中， 所述有机电致发光结构优选为顶部发光结构， 如 图 3所示， 所述有机电致发光结构包括：

形成于所述钝化层 400的远离所述衬底基板 100一侧， 并设置于与所述 发光区域相对应位置的阴极 700， 所述阴极 700与所述源、 漏极 300电性连 接；

形成于所述阴极 700的远离所述衬底基板 100—侧的有机功能层 800; 以及， 形成于所述有机功能层 800的远离所述阴极 700一侧的阳极 900。 采用上述方案， 有机电致发光结构采用顶部发光（Top- Emission) 结构， 相比现有技术中的底部发光（Bottom- Emi ssi on)结构（如图 2所示的现有技 术中 AM- 0LED的有机电致发光结构采用底部发光结构）� �这种顶部发光结构使 得光线不需要穿过 TFT层， 透光率和色彩还原性能够大幅提高。

需要说明的是， 在实际应用中， 有机电致发光结构也可以采用底部发光 结构。

此外， 本实施例中， 为了进一歩缩短工艺制程， 使所述阴极 700与所述 栅极 500处于同一层， 且所述阴极 700与所述栅极 500由所述第二金属层通 过所述第三次构图工艺一次形成。采用上述方 案， 由于 TFT采用顶栅极结构， 有机电致发光结构采用顶部发光结构， 在制作栅极 500层时， 可以直接将栅 极 500和有机电致发光结构的阴极 700同层同材质制作， 缩短制程。

此外， 如图 3所示， 本实施例中， 优选的， 至少两个薄膜晶体管包括第 一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管， 所述钝化层 400通过所述第二构图工艺在 与所述第一薄膜晶体管的源、 漏极 300对应的位置形成有第一过孔， 并且所 述第一薄膜晶体管的源、 漏极 300通过所述第一过孔与所述第二薄膜晶体管 的栅极电性连接； 所述钝化层 400通过所述第二构图工艺在与所述第二薄膜 晶体管的源、 漏极 300对应的位置形成有第二过孔; 且所述有机电致发光结 构的阴极 700通过所述第二过孔与所述第二薄膜晶体管得 源、 漏极 300电性 连接。

当然可以理解的是， 在实际应用中， 有源矩阵有机电致发光显示器件的 薄膜晶体管结构也可以包括多个 TFT, 且由多个 TFT构成的像素电路可以根 据实际需要进行调整。

此外， 本实施例中， 优选的， 如图 3所示， 所述有机功能层 800包括： 形成于所述阴极 700的远离所述钝化层 400—侧的电子传输层 801 ; 形成于所述电子传输层 801的远离所述阴极 700—侧的有机发光层 802; 以及， 形成于所述有机发光层 802的远离所述电子传输层 801—侧的空 穴传输层 803。

当然可以理解的是， 在实际应用中， 有机功能层 800可以根据实际需要 进行调整。

此外， 在本实施例中， 所述有源矩阵有机电致发光显示器件还包括与 所 述源、 漏极 300连接的数据信号线和电源线， 其中优选的， 所述数据信号线 和所述电源线与所述源、 漏极 300处于同一层， 且所述数据信号线和所述电 源线与所述源、 漏极 300通过所述第一次构图工艺形成。

本发明的另一个目的是提供一种显示装置， 其包括本发明所提供的有源 矩阵有机电致发光显示器件。 显然， 本发明所提供的显示装置也具有本发明 所提供的有源矩阵有机电致发光显示器件所带 来的有益效果。

此外， 本发明的还提供了-一种本发明所提供的有源� �阵有机电致发光显 示器件的制作方法， 所述方法包括：

在衬底基板上形成有源层及位于所述有源层两 侧的源、 漏极；

在所述源、 漏极上形成钝化层；

在所述钝化层上形成栅极。

具体地， 所述方法包括：

在衬底基板 100上依次沉积半导体层和第一金属层， 通过第一次构图工 艺形成有源层 200和位于所述有源层 200两侧的源、 漏极 300;

在所述源、 漏极 300上并覆盖整个像素单元沉积第一绝缘层， 并通过第 二次构图工艺形成钝化层 400;

在所述钝化层 400上沉积第二金属层， 并通过第三次构图工艺形成栅极

500。

优选的， 所述第一次构图工艺采用半色调掩膜工艺。

具体地， 针对本发明所提供的优选实施例中的有源矩阵 有机电致发光显 示器件， 首先可以采用 3次构图工艺在基板上形成源、 漏极 300和栅极 500 在有源层 200同侧的 TFT结构， 具体实施歩骤如下：

在所述衬底基板 100上依次沉积半导体层和第一金属层；

在所述第一金属层上， 沉积光刻胶；

通过半色调或灰色掩膜板对所述光刻胶进行曝 光， 形成光刻胶完全保留 区、 光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区， 其中， 在所述像素单元中所述光 刻胶完全保留区对应所述第一金属层上的预设 的布线区域， 所述布线区域包 括源极、 漏极以及数据信号线和电源线的预设位置， 所述光刻胶半保留区对 应所述源极和漏极之间的第一区域， 所述光刻胶完全去除区对应除所述布线 区域和第 -一区域之外的其他区域；

利用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除区对应 的第一金属层和半导体 层；

利用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区的光刻 胶；

利用刻蚀工艺去除所述光刻胶半保留区所对应 的第一金属层， 形成所述 有源层 200、 所述源、 漏极 300、 数据信号新以及电源线；

在所述源、 漏极 300上并覆盖整个像素单元沉积第一绝缘层， 并通过掩 膜工艺处理得到钝化层 400， 其中所述钝化层 400包括第一过孔和第二过孔， 所述第-一过孔和所述第 过孔位于所述源、 漏极 300的上方；

在所述钝化层 400上沉积第二金属层， 并通过掩膜工艺形成栅极 500和 阴极 700， 且所述栅极 500通过所述第- 过孔与所述源、 漏极 300电性连接， 所述阴极 700通过所述第二过孔与所述源、 漏极 300电性连接。

之后， 在上述形成的 TFT结构基础上进行有机电致发光结构的制程， 具 体歩骤为：

在所述栅极 500上沉积第二绝缘层， 并通过掩膜工艺刻蚀定义出发光区 域， 形成像素绝缘层；

在所述像素绝缘层上与所述发光区域对应的位 置沉积有机功能层 ■， 所述有机功能层 800包括依次沉积的电子传输层 (Electron Transfer Layer) 801、有机发光层（Emission Layer) 802和空穴传输层（Hole Transfer layer) 803， 并通过掩膜曝光定义出像素图形；

在所述有机功能层 800上沉积有机电致发光的透明阳极 900层， 并通过 掩膜工艺定义出像素图形。

上述歩骤完成后， 通过与彩膜片的结合以及驱动电路组件的组装 ， 即可 形成完整的有源矩阵有机电致发光显示器件。

以上所述是本发明的优选实施方式， 应当指出， 对于本技术领域的普通 技术人员来说， 在不脱离本发明所述原理的前提下， 还可以作出若千改进和 润饰， 这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。