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Title:
CIRCUIT ARRANGEMENT HAVING A SEMICONDUCTOR SWITCH AND AN ASSOCIATED ACTUATION CIRCUIT
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2013/010949
Kind Code:
A1
Abstract:
In order to be able to provide a high power, for example for an electrical machine, by means of an inverter, a higher operating voltage (Uzk) can be used. However, this possibility is limited by the maximum reverse voltage capability of semiconductor switches (44, 78) of the inverter. The object of the present invention is to provide a low-maintenance switching apparatus with which a current can be switched even at relatively high powers. The circuit arrangement according to the invention has a series circuit (80) comprising at least two semiconductor switches (44, 78), of which each is connected to a respective actuation circuit (42, 82) by means of its control input. In the case of at least one of the actuation circuits (42, 82), the switching behaviour thereof can be defined by at least one digital switching parameter. The value (K1(1)*Uzk, K2(1)*Uzk, K1 (n) *Uzk, K2 (n) *Uzk) of the switching parameter can be varied, and therefore the switching behaviour can be adjusted during operation, that is to say between two switching processes.

Inventors:
HANDT KARSTEN (DE)
HILLER MARC (DE)
SOMMER RAINER (DE)
Application Number:
PCT/EP2012/063824
Publication Date:
January 24, 2013
Filing Date:
July 13, 2012
Export Citation:
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Assignee:
SIEMENS AG (DE)
HANDT KARSTEN (DE)
HILLER MARC (DE)
SOMMER RAINER (DE)
International Classes:
H03K17/082; H03K17/10
Domestic Patent References:
WO2008032113A12008-03-20
WO2008032113A12008-03-20
Foreign References:
DE10350361A12005-06-02
DE10245293A12004-04-08
Other References:
GRECO G ET AL: "Control of the switching transients of IGBTs series strings by high-performance drive units", INDUSTRIAL ELECTRONICS SOCIETY, 1999. IECON '99 PROCEEDINGS. THE 25TH ANNUAL CONFERENCE OF THE IEEE SAN JOSE, CA, USA 29 NOV.-3 DEC. 1999, PISCATAWAY, NJ, USA,IEEE, US, vol. 1, 29 November 1999 (1999-11-29), pages 197 - 203, XP010366813, ISBN: 978-0-7803-5735-8, DOI: 10.1109/IECON.1999.822196
DONGSHENG ZHOU ET AL: "A practical series connection technique for multiple IGBT devices", 32ND.ANNUAL IEEE POWER ELECTRONICS SPECIALISTS CONFERENCE. PESC 2001. CONFERENCE PROCEEDINGS. VANCOUVER, CANADA, JUNE 17 - 21, 2001; [ANNUAL POWER ELECTRONICS SPECIALISTS CONFERENCE], NEW YORK, NY : IEEE, US, vol. 4, 17 June 2001 (2001-06-17), pages 2151 - 2155, XP010559255, ISBN: 978-0-7803-7067-8, DOI: 10.1109/PESC.2001.954438
Attorney, Agent or Firm:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT (DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Schaltungsanordnung (74,76) mit einer Reihenschaltung (80) aus zumindest zwei Halbleiterschaltern (44,78), von denen je- der über seinen Steuereingang (50) mit einer jeweiligen Ansteuerschaltung (42,82) verbunden ist, die ausgelegt ist, den Halbleiterschalter (44,78) in Abhängigkeit von einem vorgebbaren Schaltsignal (Sl,Sn) zu schalten, wobei während eines Schaltvorgangs ein Schaltverhalten von zumindest einer der Ansteuerschaltungen (42,82) durch zumindest einen digitalen Schaltparameter festgelegt ist, dessen Wert (Kl*Uzk, K2*Uzk, Kl(l)*Uzk, K2(l)*Uzk, Kl (n) *Uzk, K2 (n) *Uzk, dtl, dtn) veränderbar ist, so dass das Schaltverhalten im Betrieb einstell¬ bar ist.

2. Schaltungsanordnung (74,76) nach Anspruch 1, bei welcher zumindest eine der Ansteuerschaltungen (42,82) eine Span- nungsüberwachungseinrichtung (64) aufweist, die dazu ausgebildet ist, eine über dem durch die Ansteuerschaltung (42, 82) angesteuerten Halbleiterschalter (44, 78) abfallende

Spannung (Ud, Uce, Ulmax, Un,max) zu überwachen und, falls die Spannung (Ud, Uce, Ulmax, Un,max) größer als ein Grenz¬ wert (Kl*Uzk, Kl(l)*Uzk, Kl (n) *Uzk) ist, die Spannung (Ud, Uce, Ulmax, Un,max) durch Einwirken auf den Schaltvorgang zu verringern, wobei der Grenzwert (Kl*Uzk, Kl(l)*Uzk,

Kl (n) *Uzk) als ein Schaltparameter der Ansteuerschaltung (42, 82) einstellbar ist.

3. Schaltungsanordnung (74,76) nach Anspruch 1 oder 2, bei welcher bei zumindest einer der Ansteuerschaltungen (42,82) als Schaltparameter ein Spannungsendwert (K2*Uzk, K2(l)*Uzk, K2 (n) *Uzk) einstellbar ist, welchen eine über dem durch die Ansteuerschaltung (42,82) angesteuerten Halbleiterschalter (44,78) abfallende Spannung (Ud, Uce, Ul, Un) am Ende eines Schaltvorganges aufweisen soll, wobei die Ansteuerschaltung (42,82) dazu ausgelegt ist, zum Einstellen des Spannungsend¬ werts (K2*Uzk, K2(l)*Uzk, K2 (n) *Uzk) zum Abschluss des Schaltvorganges zumindest einen Symmetrierimpuls am Steuer¬ eingang (50) des Halbleiterschalters (44,78) zu erzeugen.

4. Schaltungsanordnung (74,76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher bei zumindest einer der Ansteuerschal¬ tungen (42,82) als Schaltparameter eine Schaltverzögerung (dtl, dtn) einstellbar ist und bei welcher diese Ansteuerschaltung (42,82) dazu ausgelegt ist, nach Empfang des

Schaltsignals (Sl,Sn) einen Schaltvorgang um die eingestellte Schaltverzögerung (dtl, dtn) verzögert zu beginnen.

5. Schaltungsanordnung (74,76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest eine der Ansteuerschaltungen (42, 82) eine Spannungsmesseinrichtung (64) zum Messen einer über zumindest einem der Halbleiterschalter (44,78) abfallenden Spannung (Ud,Uce) sowie einen Messausgang (68) aufweist, an welchem ein Messwert (Ul, Ulmax, Un, Un,max) auslesbar ist.

6. Schaltungsanordnung (74,76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit einer Stelleinrichtung (88,88')/ die dazu aus¬ gelegt ist, eine über sämtliche Halbleiterschalter (44,78) abfallende Gesamtspannung (Uzk) zu ermitteln und aus der ermittelten Gesamtspannung (Uzk) zu jedem Halbleiterschalter (44,78) einen Teilspannungswert zu ermitteln und die ermit- telten Teilspannungswerte als Parameterwerte (Kl*Uzk, K2*Uzk, Kl(l)*Uzk, K2(l)*Uzk, Kl (n) *Uzk, K2 (n) *Uzk) an die jeweils zugehörige Ansteuerschaltung (42,82) zu übertragen.

7. Schaltungsanordnung (74,76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit einer Stelleinrichtung (88,88')/ die dazu aus¬ gelegt ist, zu zumindest einer Ansteuerschaltung (42,82) einen Wert zu ermitteln, welcher einen Zeitversatz zwischen dem Beginn von Schaltvorgängen der Ansteuerschaltungen (42,82) verursacht, und aus dem ermittelten Wert eine Zeitverzögerung zu ermitteln und die ermittelte Zeitverzögerung als Parame¬ terwert (dtl, dtn) an eine der Ansteuerschaltungen (42,82) zu übertragen .

8. Schaltungsanordnung (74,76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher zumindest eine der Ansteuerschaltungen (42,82) dazu ausgelegt ist, ein Signal über eine Lichtwellen¬ leiter-Verbindung (54,70,84,90) mit einem externen Gerät (86, 86') auszutauschen.

9. Schaltungsanordnung (74,76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher zumindest eine der Ansteuerschaltungen (42,82) dazu ausgelegt ist, ein Signal mittels einem fehler- toleranten Übertragungsprotokoll mit einem externen Gerät (86,86') auszutauschen.

10. Schaltungsanordnung (74,76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher eine der Ansteuerschaltungen (42,82) als Master-Ansteuerung (82) und zumindest eine andere als Slave-Ansteuerung (42) betrieben wird, wobei die Slave-An- steuerung (42) Daten mit einer Signalgebereinrichtung (88, 88') der Schaltungsanordnung (74,76), welche Schaltsignale (Sl,Sn) für die Ansteuerschaltungen erzeugt, über die Master- Ansteuerung (82) austauscht.

11. Schaltungsanordnung (74,76) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die Ansteuerschaltungen (42,82) Daten über einen Ringbus miteinander austauschen.

12. Verfahren zum Betreiben einer Reihenschaltung (80) aus zwei Halbleiterschaltern (44,78), die jeweils über eine ihnen zugeordnete Ansteuerschaltung (42,82) schaltbar sind, mit den Schritten :

- Ermitteln eines aktuellen Gesamtwerts zu wenigstens einer Gesamtbetriebsgröße (Uzk) der Reihenschaltung (80),

- Bestimmen von jeweiligen Teilgrößen (Kl*Uzk, K2*Uzk,

Kl(l)*Uzk, K2(l)*Uzk, Kl (n) *Uzk, K2 (n) *Uzk) für die Ansteuerschaltungen (42, 82) auf der Grundlage des ermittelten Gesamtwerts (Uzk) ,

- Konfigurieren von zumindest einer Ansteuerschaltung (42,82) entsprechend der für sie ermittelten Teilgröße (Kl*Uzk, K2*Uzk, Kl(l)*Uzk, K2(l)*Uzk, Kl (n) *Uzk, K2 (n) *Uzk) , - Schalten der Halbleiterschalter (44,78) durch Erzeugen eines Schaltsignals (Sl,Sn) für jede der Ansteuerschaltungen (42, 82) .

13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Gesamtwert zu wenigstens einer der folgenden Gesamtbetriebsgrößen ermittelt wird :

- einem Höchstwert einer während eines Schaltvorganges über der Reihenschaltung abfallenden Spannung,

- einem Spannungswert einer Versorgungsspannung (Uzk) , die von einer Spannungsquelle erzeugt wird, deren Ausgangsstrom (Ic) mittels der Reihenschaltung (80) geschaltet werden soll ,

- einem Wert, durch welchen ein Zeitversatz zwischen dem Beginn von Schaltvorgängen der Ansteuerschaltungen (42,82) angegeben ist.

Description:
Beschreibung

Schaltungsanordnung mit einem Halbleiterschalter und einer zugehörigen Ansteuerschaltung

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit einem Halbleiterschalter, der über seinen Steuereingang mit einer Ansteuerschaltung verbunden ist, die ausgelegt ist, den Halbleiterschalter in Abhängigkeit von einem vorgebbaren Schalt- signal zu schalten. Die Schaltungsanordnung kann in einem Frequenzumrichter verwendet werden. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterschalters mit zugehöriger Ansteuerschaltung. Eine Schaltungsanordnung dieser Art ist aus der

WO 2008/032113 AI bekannt. Eine solche Schaltungsanordnung kann z.B. in einem Gleich- oder einem Wechselrichter eines steuerbaren Umrichters bereitgestellt sein, wie er zum

Betreiben einer Drehstrommaschine verwendet werden kann.

Die Funktionsweise eines steuerbaren Umrichters wird im Fol ¬ genden anhand von FIG 1 näher erläutert. Mittels eines Wech ¬ selrichters 10 können mit Hilfe einer Gleichspannung Uzk in Phasenleitern 12, 14, 16 Wechselströme II, 12, 13 erzeugt werden, die zusammen einen Drehstrom bilden, mit dem eine elektrische Maschine 18 betrieben werden kann. Die Gleichspannung Uzk kann beispielsweise zwischen zwei Stromschienen ZK+, ZK- eines Zwischenkreises eines Frequenzumrichters be ¬ reitgestellt sein. Zum Erzeugen der Wechselströme II, 12, 13 sind die Phasenleiter 12, 14, 16 jeweils über eine Halbbrücke 20, 22, 24 mit den Stromschienen ZK+, ZK- in der in FIG 1 gezeigten Weise verbunden. Wie die Wechselströme II, 12, 13 er ¬ zeugt werden, ist im Folgenden im Zusammenhang mit der Halbbrücke 20 erläutert. Entsprechendes gilt auch für die Wech- seiströme 12 und 13 in Verbindung mit den Halbbrücken 22 und Die Halbbrücke 20 weist zwei Halbleiter-Leistungsschalter 26, 28 auf, von denen jeder einen Transistor Tri bzw. Tr2 und eine diesem anti-parallel geschaltete Diode VI bzw. V2 auf ¬ weist. Über die Halbleiter-Leistungsschalter 26, 28 ist der Phasenleiter 12 einmal mit der Plus-Stromschiene ZK+ und ein ¬ mal mit der Minus-Stromschiene ZK- verschaltet. Bei den Tran ¬ sistoren Tri, Tr2 kann es sich z.B. um IGBT (Insulated gate bipolar transistor) oder um MOSFET (Metal oxide semiconductor field effect transistor) handeln. Die Halbleiter-Leistungs- Schalter 26, 28 sind jeweils über eine Steuerleitung 30, 32 mit einer Steuereinheit 34 verbunden. Die Steuereinheit 34 erzeugt ein Taktsignal 36, welches über die Steuerleitung 30 zum Halbleiter-Leistungsschalter 26 übertragen wird. Durch das Taktsignal 36 wird der Transistor Tri des Halbleiter- Leistungsschalters 26 abwechseln in einen leitenden und einen sperrenden Zustand geschaltet. Über die andere Steuerleitung 32 überträgt die Steuereinheit 34 ein Gegentaktsignal zum Halbleiter-Leistungsschalter 26, so dass der Transistor Tr2 des Halbleiter-Leistungsschalters 28 im Gegentakt zum Tran- sistor Tri geschaltet wird. Das abwechselnde Schalten der

Transistoren Tri und Tr2 erzeugt in dem Phasenleiter 12 eine Wechselspannung und damit den Wechselstrom II. Zum Erzeugen des Drehstroms werden durch die Steuereinheit 34 entsprechend phasenversetzte Taktsignale über weitere Steuerleitungen an Leistungsschalter der übrigen Halbbrücken 22 und 24 übertragen. Mittels der Dioden der Halbleiter-Leistungsschalter ist es möglich, eine von der elektrischen Maschine 18 erzeugte Wechselspannung gleichzurichten. Die von der Steuereinheit 34 erzeugten Taktsignale, wie das Taktsignal 36, sind in der Regel nicht in einer Form vorhan ¬ den, um damit einen Halbleiter-Leistungsschalter direkt ansteuern zu können. Daher ist einem Steuereingang 38 des Halbleiter-Leistungsschalters 26 eine Ansteuerschaltung 40 vorge- schaltet, welche mittels einer (nicht näher dargestellten)

Verstärkerschaltung in Abhängigkeit von dem Taktsignal 36 ei ¬ ne Steuerspannung an dem Steuereingang 38 erzeugt. Der Steuereingang 38 ist im Falle eines Transistors dessen Gate bzw. Basis. In gleicher Weise ist dem Halbleiter-Leistungsschalter 28 eine entsprechende Ansteuerschaltung und sind auch den Leistungsschaltern der Brücken 22 und 24 entsprechende Ansteuerschaltungen vorgeschaltet.

Um Mittels des Wechselrichters 10 eine große Leistung, z.B. mehr als 50 kW, für die elektrische Maschine 18 bereitstellen zu können ohne dabei zu große Stromstärken der Wechselströme II, 12, 13 zu erhalten, kann eine höhere Gesamtbetriebsspan- nung, also eine höhere Gleichspannung Uzk, verwendet werden. Diese Möglichkeit ist aber durch die maximale Sperrspannungs ¬ fähigkeit der Halbleiter-Leistungsschalter Tri, Tr2 begrenzt. Zudem verursacht ein Betrieb eines Halbleiter-Leistungs ¬ schalters bei einer Spannung, die nahe der maximal zulässigen Sperrspannung liegt, einen größeren Verschleiß dieses Bau ¬ teils als ein Betrieb mit einer deutlich kleineren Spannung.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine wartungsarme Schaltvorrichtung bereitzustellen, mit der sich ein Strom auch bei verhältnismäßig großen Leistungen schalten lässt.

Die Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung gemäß Patent ¬ anspruch 1 und durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 12 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung und des erfindungsgemäßen Verfahrens sind durch die Unteransprüche gegeben.

Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung weist eine Reihen ¬ schaltung aus zumindest zwei Halbleiterschaltern auf, d.h. eine Reihenschaltung aus den Laststrecken dieser Halbleiterschalter. In Abhängigkeit vom verwendeten Typ eines Halbleiterschalters ist dessen Laststrecke die Kollektor-Emitter- Strecke, Drain-Source-Strecke oder Anoden-Kathoden-Strecke. Durch Verwendung von zumindest zwei Halbleiterschaltern in einer Reiheschaltung ist es möglich, einen Strom auch bei einer höheren Betriebsspannung zu schalten. Zum Unterbrechen des Stromes werden dabei sämtliche Halbleiterschalter der Reihenschaltung in einen sperrenden Zustand geschaltet. Die Gesamtbetriebsspannung teilt sich dann auf die einzelnen Halbeiterschalter auf, so dass deren maximale Sperrspannungen kleiner als die Gesamtbetriebsspannung sein können. Um die einzelnen Halbleiterschalter durch Vorgabe eines Schaltsig- nals schalten zu können, ist der Halbleiterschalter bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung über seinen Steuereingang (Basis bzw. Gate) mit einer jeweiligen Ansteuerschaltung verbunden. Jede dieser Ansteuerschaltungen schaltet den ihr zugeordneten Halbleiterschalter in der bereits beschriebenen Weise. Dabei weist jede Ansteuerschaltung ein bestimmtes

Schaltverhalten auf, also z.B. eine bestimmte Schaltverzöge ¬ rung oder ein Regelverhalten, durch welches die Spannung über dem Halbleiterschalter auf einen Höchstwert begrenzt wird. Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung lässt sich bei zumindest einer der Ansteuerschaltungen deren Schaltverhalten durch zumindest einen digitalen Schaltparameter festlegen. Der Wert des Schaltparameters ist veränderbar, so dass das Schaltverhalten im Betrieb, also zwischen zwei Schaltvorgän- gen, einstellbar ist. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, dass die Halbleiterschalter auch in einer Reihenschaltung schonend betrieben werden können. Ohne das steuerbare Schaltverhalten der Ansteuerschaltungen käme es in Folge von Parameterstreuungen bei den Halbleiterschaltern oder den Ansteuerschaltun- gen nämlich zu einer ungleichmäßigen Spannungsaufteilung zum einen während der Schaltvorgänge und zum anderen in der sta ¬ tischen Sperrphase, wenn alle Halbleiterschalter sperrend geschaltet sind. Diese Unsymmetrien können zu einer unzulässig hohen Spannungsbelastung einzelner Halbleiterschalter und zu einer unsymmetrischen Verlustaufteilung unter den Leistungsschaltern führen. Damit würden die Halbleiterschalter unterschiedlich schnell verschleißen. Durch das Einstellen des Schaltverhaltens der Ansteuerschaltungen im Betrieb kann erreicht werden, dass die über den einzelnen Halbleiterschalter abfallenden Teilspannungen besser symmetriert, Schaltverluste gleichmäßig auf die Halbleiterschalter aufgeteilt und die einzelnen Halbleiterschalter vor Überspannungen geschützt werden. Bevorzugt ist das Schaltverhalten aller Ansteuer- Schaltungen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung im Betrieb einstellbar.

Diese Vorteile sind auch mittels des erfindungsgemäßen Ver- fahrens erreichbar. Dieses betrifft den Betrieb einer Reihen ¬ schaltung aus zwei Halbleiterschaltern, die jeweils über eine ihnen zugeordnete Ansteuerschaltung schaltbar sind. Gemäß dem Verfahren wird zunächst ein aktueller Gesamtwert zu wenigs ¬ tens einer Gesamtbetriebsgröße der Reihenschaltung ermittelt. Der Gesamtwert kann also z.B. zu wenigstens einer der im Fol ¬ genden beschriebenen Gesamtbetriebsgrößen ermittelt werden: Es kann ein Höchstwert einer während eines Schaltvorganges über der Reihenschaltung abfallenden Spannung ermittelt werden. Dieser Spannungswert kann größer als die Gesamtbetriebs- Spannung sein, wenn beispielsweise Induktivitäten während des Schaltvorganges eine zusätzliche Spannung induzieren. Genauso kann ein Spannungswert einer Versorgungsspannung, also der Gesamtbetriebsspannung, ermittelt werden. Die Gesamtbetriebsspannung ist diejenige elektrische Spannung, die von einer Spannungsquelle erzeugt wird, deren Ausgangsstrom mittels der Reihenschaltung geschaltet werden soll. Ein weiterer Wert, durch dessen Berücksichtigung die beschriebenen Vorteile erzielt werden können, ist ein Jitterwert, durch welchen ein Zeitversatz zwischen dem Beginn von Schaltvorgängen der An- Steuerschaltungen angegeben ist. Durch ein solches zeitlich versetztes Schalten der Halbleiterschalter, wie es durch Jit- ter verursacht wird, kann es vorkommen, dass die Gesamtbe ¬ triebsspannung während des versetzten Schaltens der einzelnen Halbleiterschalter vollständig über einem von diesen abfällt, wodurch dieser dann übermäßig belastet wird.

Auf Grundlage des ermittelten Gesamtwerts der wenigstens ei ¬ nen Gesamtbetriebsgröße werden für die einzelnen Ansteuerschaltungen jeweilige Teilgrößen ermittelt, also am Beispiel der Gesamtbetriebsspannung könnten dies etwa gleichgroße

Teilspannungen sein, die jeweils über einem der Halbleiterschalter abfallen sollen. Dann wird das Schaltverhalten von zumindest einer der Ansteuerschaltungen entsprechend der für sie ermittelten Teilgröße konfiguriert. Schließlich werden die Halbleiterschalter durch Erzeugen eines Schaltsignals für jede der Ansteuerschaltungen geschaltet. Durch die Konfigura ¬ tion ist zumindest eine der Ansteuerschaltungen dabei in ih- rem Schaltverhalten derart festgelegt, dass sich die ermit ¬ telten Teilgrößen auch tatsächlich ergeben.

Zu dieser Form der Vorgabe von Teilgrößen gibt es mehrere besonders bevorzugte Ausführungsformen. So ist bei einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung bei zumindest einer Ansteuerschaltung eine Spannungs- überwachungseinrichtung vorgesehen, die dazu ausgebildet ist, eine über dem durch die Ansteuerschaltung angesteuerten Halbleiterschalter abfallende Spannung (z.B. eine Kollektor- Emitter-Spannung) zu überwachen. Falls die Spannung größer als ein Grenzwert ist, wirkt die Spannungsüberwachungsein- richtung auf den Schaltvorgang derart ein, dass sich die Spannung auf einen Wert unterhalb des oder gleich dem Grenzwert verringert. Der Grenzwert ist dabei als ein Schaltpara ¬ meter der Ansteuerschaltung in der beschriebenen Weise einstellbar. Ein möglicher Grenzwert ist die Teilspannung, die sich durch Aufteilen der während eines Schaltvorgangs durch Induktion entstehenden Höchstspannung ergibt. Durch die Span- nungsüberwachungseinrichtung mit einstellbarem Grenzwert ergibt sich der Vorteil, dass die Spannung stets auf die ein ¬ zelnen Halbleiterschalter aufteilbar ist.

Eine andere vorteilhafte Weiterbildung ergibt sich, wenn bei zumindest einer der Ansteuerschaltungen als Schaltparameter ein Spannungsendwert einstellbar ist, welchen eine über dem durch die Ansteuerschaltung angesteuerten Halbleiterschalter abfallende Spannung am Ende eines Schaltvorgangs aufweisen soll. Die Ansteuerschaltung ist hierbei dazu ausgelegt, zum Einstellen des Spannungsendwerts zum Abschluss des Schaltvor- ganges zumindest einen Symmetrierimpuls am Steuereingang des Halbleiterschalters zu erzeugen. Durch den Symmetrierimpuls wird erreicht, dass der angesteuerte Halbleiterschalter kurz ¬ zeitig seinen Schaltzustand wechselt (von sperrend zu leitend oder umgekehrt) und hierdurch die über den einzelnen Halbleiterschaltern abfallenden Teilspannungen in ihren Spannungswerten angeglichen werden. Indem der Spannungsendwert als Schaltparameter einstellbar ist, kann auch bei veränderlicher Gesamtbetriebsspannung stets erreicht werden, dass die Teilspannungen zumindest an ¬ nähernd gleich groß sind, so dass die Halbleiterschalter gleichmäßig belastet werden.

Eine andere vorteilhafte Weiterbildung der erfindungsgemäßen Schaltungseinrichtung sieht vor, dass bei zumindest einer der Ansteuerschaltungen als Schaltparameter eine Schaltverzögerung einstellbar ist. Diese Ansteuerschaltung ist dabei dazu ausgelegt, nach Empfang des Schaltsignals einen Schaltvorgang um die eingestellte Schaltverzögerung verzögert zu beginnen. Hierdurch können Toleranzen der Ansteuerschaltungen und der leistungselektronischen Schalter ausgeglichen werden. Ein weiterer Vorteil ergibt sich, wenn zumindest eine der An ¬ steuerschaltungen eine Spannungsmesseinrichtung zum Messen einer über zumindest einem der Halbleiterschalter abfallenden Spannung sowie einen Messausgang aufweist, an welchem ein Messwert auslesbar ist. Dann kann mittels der Schaltungsan- Ordnung eine momentane Gesamtbetriebsspannung ermittelt werden .

Um einen Einfluss einer elektromagnetischen Störstrahlung auf das Schaltverhalten einer der Ansteuerschaltungen zu verrin- gern, kann diese dazu ausgelegt sein, ein Signal über eine

Lichtwellenleiter-Verbindung mit einem externen Gerät auszutauschen .

Eine weitere Möglichkeit, eine Ansteuerschaltung vor einer Störstrahlung zu schützen, ergibt sich, wenn diese dazu ausgelegt ist, ein Signal mittels eines fehlertoleranten Über ¬ tragungsprotokolls mit einem externen Gerät auszutauschen. Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Schaltungsanordnung wird eine der Ansteuerschaltungen als Master- Ansteuerung und die zumindest eine andere als Slave-Ansteue- rung betrieben. Mit dem Begriff Slave-Ansteuerung ist ge- meint, dass diese Ansteuerschaltung Daten mit einer Signalge ¬ bereinrichtung der Schaltungsanordnung, welche die Schaltsignale für die Ansteuerschaltungen erzeugt, über die Master- Ansteuerung austauscht. Indem nur die Master-Ansteuerung Daten unmittelbar mit der Signalgebereinrichtung austauscht, sind nur sehr wenige Kommunikationsleitung nötig, um Daten zwischen der Signalgebereinrichtung und den Ansteuerschaltungen auszutauschen.

Ein weiterer Vorteil ergibt sich, wenn die Ansteuerschaltun- gen Daten über einen Ringbus miteinander austauschen. Dann müssen nur sehr wenige Kommunikationsleitungen bereitgestellt werden, damit die Ansteuerschaltungen untereinander Daten austauschen können. Zudem können zum Bereitstellen von Daten für alle Ansteuerschaltungen Geräte vom selben Typ verwendet werden, wodurch die Herstellung der Schaltungsanordnung vereinfacht und verbilligt wird.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbei ¬ spielen näher erläutert. Dazu zeigt:

FIG 1 eine schematische Darstellung eines prinzi ¬ piellen Aufbaus eines Wechselrichters;

FIG 2 eine schematische Darstellung einer Ansteu ¬ erschaltung und eines Halbleiter- Leistungsschalters, die in einer Ausfüh ¬ rungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung eingebaut sind;

FIG 3 zwei Diagramme, durch die veranschaulicht ist, welchen Einfluss auf einen Abschaltvorgang Schaltparameter haben, die bei der Ansteuerschaltung von FIG 2 einstellbar sein können; FIG 4 einen Schaltplan zweier Reihenschaltungen von Halbleiterschaltern mit zugehörigen Ansteuerschaltungen, wobei die Reihenschaltungen jeweils eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung bilden;

FIG 5 bis FIG 7 jeweils eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung. Die Beispiele stellen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung dar.

In FIG 2 ist eine Ansteuerschaltung 42 gezeigt, die in einem (in FIG 2 nicht näher dargestellten) steuerbaren Wechselrich- ter eines Frequenzumrichters eingebaut ist. Der Wechselrich ¬ ter entspricht in seiner Funktionsweise dem in FIG 1 gezeig ¬ ten Wechselrichter. Die Ansteuerschaltung 42 steuert einen Halbleiter-Leistungsschalter 44. Dieser weist einen Transistor 46 (hier einen IGBT) und eine zu diesem anti-parallel ge- schaltete Diode 48 auf. Anstelle des IGBT kann z.B. auch ein MOSFET vorgesehen sein. Zum Steuern des Halbleiter-Leistungsschalters 44 erzeugt die Ansteuerschaltung 42 eine Steuerspannung an einem Steuereingang 50 des Halbleiter-Leistungsschalters 44. Der Steuereingang 50 entspricht hier dem Gate des IGBT. Mittels des Halbleiter-Leistungsschalters 44 wird ein Strom Ic kontrolliert geschaltet.

Die Steuerspannung am Steuereingang 50 wird in Abhängigkeit von einem Schaltsignal Sl erzeugt, welches die Ansteuerschal- tung 42 über einen Lichtempfänger oder Eingangs-Optokoppler

52 empfängt, über den die Ansteuerschaltung 42 mit einer Signalleitung 54 einer (nicht dargestellten) Wechselrichtersteuerung verbunden ist. Die Signalleitung 54 umfasst einen

Lichtwellenleiter. Die Wechselrichtersteuerung umfasst eine Signalgebereinrichtung des Wechselrichters.

Das Schaltsignal Sl wird von einer programmierbaren Steuereinrichtung 56 ausgewertet. Die Steuereinrichtung 56 kann z.B. durch einen FPGA (field programmable gate array) oder einen ASIC (application-specific integrated circuit) bereit ¬ gestellt sein. Über das Schaltsignal Sl gibt die Wechselrich ¬ tersteuerung vor, ob sich der Halbleiter-Leistungsschalter 44 in einem leitenden oder einem sperrenden Zustand befinden soll. Die Steuereinrichtung 56 erzeugt ein entsprechendes di ¬ gitales Signal, zu welchem von einem Digital-Analog-Wandler 58 ein analoges Signal erzeugt wird. Das analoge Signal wird von einer Verstärkerschaltung 60 verstärkt und als Steuer- Spannung über einen Gate-Widerstand 62 zum Steuereingang 50 übertragen. In Abhängigkeit von einem Typ der Verstärkerschaltung 60 und des Transistors 46 kann die Ansteuerschal ¬ tung 42 auch ohne einen Gate-Widerstand betrieben werden. In der Steuereinrichtung 56 kann ein digitales Filter oder eine digitale Regelung vorgesehen sein, um aus dem Schaltsignal Sl der Wechselrichtersteuerung ein zum Ansteuern des Halbleiter-Leistungsschalters 44 geeignetes digitales Signal zu erzeugen. Zudem ist es möglich, Schutzfunktionen z.B. für den Halbleiter-Leistungsschalter 44 vorzusehen. Die Steuereinrichtung 56 bildet eine digitale Schnittstelle zwischen der Wechselrichtersteuerung und dem Halbleiter-Leistungsschalter 44. Die Ansteuerschaltung 42 weist eine Spannungsmesseinrichtung 64 auf, mit der eine Diodenspannung Ud erfasst wird. Die Dio ¬ denspannung Ud entspricht hier zugleich der Kollektor- Emitter-Spannung Uce des Transistors 46. Über einen Analog- Digial-Wandler 66 wird der erfasste Spannungswert in einen digitalen Messwert umgewandelt, der von der Steuereinrichtung 56 ausgewertet wird. Die Diodenspannung Ud stellt eine über dem durch die Ansteuerschaltung 42 angesteuerten Halbleiter- Leistungsschalters 44 abfallende Spannung dar. Bei der Ansteuerschaltung 42 können über einen Lichtsender oder Ausgangs-Optokoppler 68 und eine Signalleitung 70 Daten, wie z.B. digitale Messwerte oder Zustandsinformationen, zur Wechselrichtersteuerung übertragen werden. Die Signalleitung 70 umfasst einen Lichtwellenleiter.

Bei der Ansteuerschaltung 42 kann vorgesehen sein, dass zum Austauschen von Daten zwischen der Wechselrichtersteuerung und der Steuereinrichtung 56 ein fehlertolerantes Übertra ¬ gungsprotokoll verwendet wird, so dass auch bei einer Verfäl ¬ schung der Daten, beispielsweise durch eine elektromagneti ¬ sche Störstrahlung, die ursprünglich gesendeten Informationen (bis zu einem bestimmten Grad der Verfälschung) wieder aus den verfälschten Daten rekonstruiert werden können. Beispiele für ein solches Übertragungsprotokoll sind ein Barker-Code und ein zyklischer Code. Wenn durch das Schaltsignal Sl der Steuerleitung 54 ein Wechsel des Schaltzustands des Halbleiter-Leistungsschalters 44, also von leitend auf sperrend oder umgekehrt, durch die Wech ¬ selrichtersteuerung vorgegeben wird, so wird von der Ansteuerschaltung 42 ein entsprechender Schaltvorgang durch Verän- dern der Steuerspannung am Steuereingang 50 bewirkt. Das Schaltverhalten der Ansteuerschaltung 42 ist dabei durch Schaltparameter der Steuereinrichtung 56 festgelegt, deren Werte während des Betriebs der Ansteuerschaltung 42 verändert werden können. Die Werte für die Schaltparameter sind bei der Ansteuerschaltung 42 zusammen mit dem Schaltsignal Sl über die Steuerleitung 54 von der Wechselrichtersteuerung zur Steuereinrichtung 56 übertragbar.

Anhand von FIG 3 ist im Folgenden erläutert, wie ein Schalt- Vorgang durch Einstellen von Schaltparametern auf einen bestimmten Wert beeinflussbar ist.

In FIG 3 ist ein Verlauf der Stromstärke des Stromes Ic und der Kollektor-Emitter-Spannung Uce während eines Abschaltvor- ganges über der Zeit t aufgetragen. Zum Unterbrechen des Stromes Ic wird seine Stromstärke graduell verringert, so dass der zeitliche Verlauf der Stromstärke während des

Schaltvorganges eine endliche Steigung (Ableitung von Ic nach der Zeit während des Abschaltens) aufweist. Der Verlauf der Spannung Uce weist bei dem Abschaltvorgang eine Überhöhung 72 auf, die durch eine Spannung verursacht wird, welche durch eine (in FIG 2 nicht dargestellte) Induktivität beim Abschal- ten des Stromes Ic erzeugt wird.

Ein Spannungshöchstwert Kl*Uzk der Kollektor-Emitter-Spannung Uce stellt einen Grenzwert dar, der nicht überschritten werden darf. Der Spannungshöchstwert Kl*Uzk ist als Teilspan- nungswert aus einem aktuellen Wert einer Gleichspannung Uzk gebildet. Die Gleichspannung Uzk ist eine Betriebsspannung des Wechselrichters. Sie wird in einem Zwischenkreis des Fre ¬ quenzumrichters bereitgestellt, an den der Wechselrichter an ¬ geschlossen ist. Die Gleichspannung Uzk wird im Folgenden auch als Zwischenkreisspannung Uzk bezeichnet. Der Spannungswert für die Zwischenkreisspannung Uzk ist von der Wechselrichtersteuerung als eine Gesamtbetriebsgröße ermittelt wor ¬ den . Der Spannungshöchstwert Kl*Uzk ist als Schaltparameter bei der Steuereinrichtung 56 einstellbar. Die Spannungsmesseinrichtung 64, der Analog-Digital-Wandler 66 und die Steuereinrichtung 56 bilden in diesem Zusammenhang eine Spannungsüber- wachungseinrichtung in Form eines Reglers für die Diodenspan- nung Ud bzw. Uce. Den gewünschten Spannungshöchstwert Kl*Uzk hat die Wechselrichtersteuerung über die Steuerleitung 54 zusammen mit dem Schaltsignal Sl an die Ansteuerschaltung 42 übertragen . Ein aktueller Spannungswert Ulmax während des Schaltvorgangs wird mittels der Spannungsmesseinrichtung 64 erfasst. Falls der aktuelle Spannungswert Ulmax größer als der Spannungs ¬ höchstwert Kl*Uzk wird, wird der Schaltvorgang durch die Steuereinrichtung 56 verlangsamt, so dass sich der Betrag der Steigung des Stromstärkeverlaufs von Ic verringert.

Als ein zweiter Schaltparameter kann der Spannungsendwert K2*Uzk vorgebbar sein, welchen die Spannung Uce am Ende des Abschaltvorganges aufweisen soll. Um den Spannungsendwert K2*Uzk zu erreichen, kann vorgesehen sein, dass die Steuereinrichtung 56 den Halbleiter-Leistungsschalter 44 ein- oder mehrmals kurzzeitig durch Erzeugen eines Symmetrierimpulses wieder vom sperrenden in den leitenden Zustand schaltet, so dass kurzzeitig ein Stromfluss ermöglich ist und hierdurch eine Spannungsverlagerung im Wechselrichter möglich ist. Ein aktueller Spannungswert Ul wird über die Spannungsmesseinrichtung 64 erfasst.

Als ein dritter Parameter kann ein Schaltverzögerungswert dtl bei der Steuereinrichtung 56 als Schaltparameter einstellbar sein. Der Schaltverzögerungswert dtl gibt die Zeitdauer an, nach welcher die Steuereinrichtung 56 den Schaltvorgang be- ginnt, nachdem dieser durch das Schaltsignal Sl von der Wechselrichtersteuerung angefordert wurde. Der Schaltvorgang wird dann eingeleitet, indem am Steuereingang 50 die Gate-Emitter- Spannung Uge entsprechend dem in FIG 3 gezeigten Verlauf ver ¬ ändert wird.

In FIG 4 ist eine Halbbrücke mit zwei Halbbrücken-Zweigen 74, 76 des Wechselrichters gezeigt, in welchen die Ansteuerschal ¬ tung 42 und der Halbleiter-Leistungsschalter 44 eingebaut sind. Die Halbbrücken-Zweige 74, 76 stellen jeweils eine Aus- führungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung dar, wobei auch die (nicht dargestellte) Wechselrichtersteuerung als Bestandteil der Schaltungsanordnung anzusehen ist. Der Halbleiter-Leistungsschalter 44 ist zusammen mit einem weiteren Halbleiter-Leistungsschalter 78 zu einer Reihenschaltung 80 verschaltet. Wie in FIG 4 durch Auslassungspunkte „..." an ¬ gedeutet ist, können zusätzlich zu den beiden Halbleiter- Leistungsschaltern 44 und 78 noch weitere Halbleiter- Leistungsschalter in der Reihenschaltung 80 enthalten sein. Die Gesamtzahl der in der Reihenschaltung 80 in Reihe ge- schalteten Halbleiter-Leistungsschalter ist im Folgenden mit n bezeichnet. Mittels der beiden Halbbrücken-Zweige 74, 76 wird in dem Wechselrichter ein Wechselstrom II erzeugt. Der Wechselstrom II entspricht dem Wechselstrom mit demselben Bezugszeichen in dem Wechselrichter von FIG 1. Die Reihenschaltung 80 ent- spricht in ihrer Funktion dem einzelnen Halbleiter-Leistungs ¬ schalter 26 des in FIG 1 gezeigten Wechselrichters. Bei dem Wechselrichter, dessen Halbbrücke in FIG 4 gezeigt ist, ist es allerdings durch die Reihenschaltung 80 möglich, dass der Wechselrichter mit einer Zwischenkreisspannung Uzk betrieben wird, die größer ist als eine maximale Sperrspannung, die höchstens über einem einzelnen der Halbleiter-Leistungs ¬ schalter 44, 78 abfallen darf. Zum Erzeugen des Wechselstroms II wird abwechselnd einer der Halbbrücken-Zweige 74, 76 in einen leitenden Zustand und der jeweils andere Halbbrücken- Zweig 76, 74 in einen sperrenden Zustand geschaltet. Über ei ¬ nem der beiden Halbleiter-Zweige 74, 76 fällt somit stets na ¬ hezu die gesamte Zwischenkreisspannung Uzk ab.

Der Halbleiter-Leistungsschalter 78 ist über einen Steuerein- gang mit einer eigenen Ansteuerschaltung 82 verbunden, die in ihrer Funktionsweise der Ansteuerschaltung 42 entspricht. Die Ansteuerschaltung 82 empfängt ein Schaltsignal Sn von der Wechselrichtersteuerung über ein Steuerleitung 84. Der Halbbrücken-Zweig 76 entspricht in seiner Bauweise dem

Halbbrücken-Zweig 74. Daher werden die Elemente des Halbbrü ¬ cken-Zweigs 76 nicht näher erläutert.

In FIG 5 bis FIG 7 ist gezeigt, wie die Ansteuerschaltungen 42 und 82 und gegebenenfalls auch weitere Ansteuerschaltungen zum einen mit der Wechselrichtersteuerung des Wechselrichters und zum anderen untereinander verschaltet sein können. Bei den gezeigten Beispielen sei angenommen, dass die Reihenschaltung 80 aus einer Gesamtanzahl n von Halbleiter-Leis- tungsschaltern gebildet ist, von denen in den FIG 5 bis FIG 7 der Übersichtlichkeit halber jeweils nur der erste Halblei ¬ ter-Leistungsschalter 44 mit seiner zugehörigen Ansteuer- Schaltung 42 sowie der letzte Halbleiter-Leistungsschalter 78 mit seiner zugehörigen Ansteuerschaltung 82 dargestellt sind.

Bei der in FIG 5 gezeigten Variante empfängt die Wechselrich- tersteuerung 86 des Wechselrichters einen Messwert der Zwi- schenkreisspannung Uzk von einer (nicht dargestellten) Spannungsmesseinrichtung des Wechselrichters. In Abhängigkeit von der Gesamtzahl n der Halbleiter-Leistungsschalter der Reihenschaltung 80 werden Faktoren Kl(l) bis Kl (n) zum Berechnen von Spannungshöchstwerten Kl(l)*Uzk bis Kl (n) *Uzk für die

Kollektor-Emitter-Spannungen der Transistoren der einzelnen Halbleiter-Leistungsschalter ermittelt. Die Werte bilden Grenzwerte, wie sie im Zusammenhang mit FIG 3 bereits erläu ¬ tert wurden. Der Spannungshöchstwert Kl(l)*Uzk entspricht hierbei dem im Zusammenhang mit FIG 3 erläuterten Spannungshöchstwert Kl*Uzk.

Entsprechend den Faktoren Kl(l) bis Kl (n) werden auch Faktoren K2(l) bis K2 (n) zum Berechnen von Spannungsendwerten K2(l)*Uzk bis K2 (n) *Uzk berechnet, wie sie ebenfalls bereits im Zusammenhang mit FIG 3 erläutert wurden. Der Spannungsend ¬ wert K2(l)*Uzk entspricht dem im Zusammenhang mit FIG 3 beschriebenen Spannungsendwert K2*Uzk. Die Faktoren Kl(l) bis Kl (n) und K2(l) bis K2 (n) werden derart ermittelt, dass sich im Betrieb des Wechselrichters stets eine gleichmäßige Belastung der insgesamt n Halbleiter- Leistungsschalter der Reihenschaltung 80 ergibt. Eine Signalgebereinrichtung 88 der Wechselrichtersteuerung 86 erzeugt für jede der Ansteuerschaltungen 1 bis n der n Halbleiter-Leistungsschalter der Reihenschaltung 80 ein Schaltsignal Sl bis Sn. Die Ansteuerschaltung 42 hat in dem gezeigten Beispiel die Ordnungsnummer 1, die Ansteuerschaltung 82 die Ordnungsnummer n. Über die Signalleitungen 54 und 84 und weitere, in FIG 5 durch Auslassungszeichen nur angedeutete Signalleitungen wird jedes der Schaltsignale Sl bis Sn zusam ¬ men mit den zugehörigen Parameterwerten für die Schaltparame- ter, d.h. den Spannungshöchstwerten Kl(l)*Uzk bis Kl (n) *Uzk und den Spannungsendwerten K2(l)*Uzk bis K2 (n) *Uzk jeweils zu den Ansteuerschaltungen übertragen, für die sie bestimmt sind .

Die in FIG 6 gezeigte Variante basiert auf der Messung der aktuellen Spannungswerte Ul und Ulmax, wie sie durch die An ¬ steuerschaltung 42 durchgeführt wird, einer Messung entsprechender aktueller Spannungswerte Un und Un,max, wie sie durch die Ansteuerschaltung 82 durchgeführt wird, sowie entspre ¬ chender Messungen weiterer aktueller Spannungswerte durch die übrigen Ansteuerschaltungen des Halbbrücken-Zweigs 74 (siehe FIG 4) . Die Ansteuerschaltung 42 überträgt die Messwerte über die Signalleitung 70, die Ansteuerschaltung 82 über eine ent- sprechende Signalleitung 90, die übrigen Ansteuerschaltungen über weitere, entsprechende Signalleitungen an eine Wechsel ¬ richtersteuerung 86' der in FIG 6 gezeigten Variante.

Innerhalb der Wechselrichtersteuerung 86' berechnet eine Sig- nalgebereinrichtung 88' aus den Werten Ul bis Un die aktuelle Zwischenkreisspannung Uzk und (in Kombination mit den Spannungswerten Ulmax bis Un,max) die daraus resultierenden Spannungshöchstwerte Kl(l)*Uzk bis Kl (n) *Uzk sowie die Spannungs ¬ endwerte K2(l)*Uzk bis K2(n)*Uzk.

Diese Werte werden als Parameterwerte zusammen mit den

Schaltsignalen Sl bis Sn in der im Zusammenhang mit FIG 5 beschriebenen Weise an die Ansteuerschaltungen übermittelt. Zusätzlich kann vorgesehen sein, dass durch die Signalgeberein- richtung 88' anhand der empfangenen aktuellen Spannungswerte Ul bis Un und Ulmax bis Un,max LaufZeitdifferenzen zwischen den einzelnen Ansteuerschaltungen ermittelt werden und entsprechende Verzögerungszeiten dtl bis dtn bestimmt und eben ¬ falls als Parameterwerte für entsprechende Schaltparameter an die Ansteuerschaltungen übermittelt werden.

In FIG 7 ist eine Variante gezeigt, bei welcher die Parame ¬ terwerte und die aktuellen Spannungswerte zwischen den ein- zelnen Ansteuerschaltungen ausgetauscht werden. Die insgesamt n Ansteuerschaltungen 42, 82 sind in einer Master-Slave-Kon- figuration miteinander verschaltet. Die Ansteuerschaltung 82 ist hier als Master-Ansteuerung konfiguriert, d.h. sie ist die einzige Ansteuerschaltung des Halbbrücken-Zweigs 74, die mit der Wechselrichtersteuerung über ihre Signalleitungen 84, 90 verbunden ist.

Die Ansteuerschaltung 82 empfängt die Schaltsignale Sl bis Sn für sämtliche Ansteuerschaltungen 42, 82 des Halbbrücken- Zweigs 74 und überträgt die empfangenen Schaltsignale (bis auf das für sie selbst bestimmte) an die übrigen, als Slave- Ansteuerungen konfigurierten Ansteuerschaltungen 42 etc. Die Kommunikationsverbindungen zwischen den einzelnen Ansteuer- Schaltungen über die Signalleitungen 54, 70 und die übrigen, nicht dargestellten Signalleitungen können dabei als Ringbusverbindung ausgeführt sein.

An die Master-Ansteuerung (Ansteuerschaltung 82) werden von den übrigen Ansteuerschaltungen 42 die jeweiligen, aktuellen Spannungswerte Ul, Ulmax etc. sowie weitere Rückmeldesignale übertragen .

Es kann vorgesehen sein, dass Spannungshöchstwerte Kl(l)*Uzk bis Kl (n) *Uzk und/oder Spannungsendwerten K2(l)*Uzk bis

K2 (n) *Uzk und ggf. auch Verzögerungszeiten dtl bis dtn von der Master-Ansteuerung, d.h. der Ansteuerschaltung 82, berechnet werden. Der dazu benötigte Wert für die Zwischen- kreisspannung Uzk kann jeweils durch Aufsummieren der einzel- nen Spannungswerte Ul bis Un in der Master-Ansteuerung ermittelt werden. Diese Variante entspricht der in FIG 7 darge ¬ stellten Konfiguration. Über die Signalleitung 84 müssen dann lediglich die Schaltsignale Sl bis Sn übertragen werden. In einer weiteren Variante der Master-Slave-Konfiguration werden die aktuellen Spannungswerte Ul bis Un und Ulmax bis Un,max sowie die übrigen Rückmeldesignale über die Signallei ¬ tung 90 von der Master-Ansteuerung an die Wechselrichtersteu- erung übertragen. Dort können dann durch eine Signalgebereinrichtung, die dann in ihrer Funktion der Signalgebereinrichtung 88' entspricht, die genannten Parameterwerte ermittelt und zusammen mit den Schaltsignalen Sl bis Sn an die Master- ansteuerung übermittelt werden.

Durch die Beispiele ist gezeigt, wie sich durch Bereitstellen einer digitalen Steuereinrichtung eine Ansteuerschaltung im Betrieb ständig neu konfigurieren bzw. parametrieren lässt. Dadurch entsteht die Möglichkeit, der Ansteuerschaltung im

Betrieb Parameter zur Beeinflussung des Betriebsverhaltens zu übermitteln. Es ist somit möglich, das Schaltverhalten der Ansteuerschaltungen über Signalleitungen aktiv zu beeinflussen, um in einer Reihen- oder Serienschaltung von Halbleiter- Schaltern die Spannungssymmetrierung zu beeinflussen. Im Einzelnen ist durch die beschriebene Erfindung folgendes ermög ¬ licht :

- eine digital programmierbare Steuereinrichtung für eine An ¬ steuerschaltung mit der Möglichkeit zur Neukonfiguration bzw. Veränderung von Betriebsparametern im Betrieb,

- eine Symmetrierung einer Reihenschaltung von Halbleiterschaltern mittels der digitalen Steuereinrichtung durch Erfassen der Zwischenkreisspannung und Bestimmung entsprechender Grenz- bzw. Sollwerte,

- eine codierte Übertragung der Grenz- bzw. Sollwerte zusammen mit der Schaltinformation an die Steuereinrichtungen der einzelnen Ansteuerschaltungen mittels einer Lichtwellenleiter-Verbindung,

- die Übernahme der Grenz- bzw. Sollwerte durch die Steuer- einrichtungen und die Begrenzung der über den Halbleiterschaltern abfallenden Spannungen auf die übertragenen

Grenzwerte bzw. das Einstellen dieser Spannungen auf die übertragenen Sollwerte,

- eine Übertragung der Grenz- bzw. Sollwerte und der Schalt- Informationen mit Hilfe eines fehlertoleranten Übertragungsprotokolls zur Erhöhung der Betriebssicherheit,

- die Rückmeldung der Spannungs-Istwerte über ein fehlertole ¬ rantes Übertragungsprotokoll und die Berechnung der Grenz- bzw. Sollwerte aus den zurückgemeldeten Istwerten in der zentralen WechselrichterSteuerung,

eine Online-Übertragung einer pro Ansteuerschaltung vorgebbaren Zeitverzögerung zur Symmetrierung der Spannungsauf- teilung an den Halbleiterschaltern in der Reihenschaltung.