Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT SOURCE AND LIGHT SOURCE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2011/009821
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention specifies a method for manufacturing a light source, having the following steps: provision of a multiplicity of light-emitting diodes (4), wherein each light emitting-diode has a radiolucent carrier (44) and at least two physically isolated semiconductor bodies (41, 42, 43), each semiconductor body (41, 42, 43) is provided for the purpose of producing electromagnetic radiation, the semiconductor bodies (41, 42, 43) can be actuated in isolation from one another and the semiconductor bodies (41, 42, 43) are arranged on the top (44a) of the radiolucent carrier (44), provision of a chip composite (1) comprising CMOS chips (10), wherein each CMOS chip (10) has at least two connection points (2) on the top (10a) thereof, connection of at least one of the light-emitting diodes (4) to one of the CMOS chips (10), wherein the light-emitting diode (4) is arranged on the top (44a) of the radiolucent carrier (44) on the top (10a) of the CMOS chip (10), and each semiconductor body (41, 42, 43) of the light-emitting diode is connected to a connection point (2) of the CMOS chip (10).

Inventors:
HAHN BERTHOLD (DE)
MAUTE MARKUS (DE)
HERRMANN SIEGFRIED (DE)
Application Number:
PCT/EP2010/060345
Publication Date:
January 27, 2011
Filing Date:
July 16, 2010
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (DE)
HAHN BERTHOLD (DE)
MAUTE MARKUS (DE)
HERRMANN SIEGFRIED (DE)
International Classes:
H01L25/16; F21K99/00; H01L33/00; H01L25/075; H01L33/50
Domestic Patent References:
WO2008062783A12008-05-29
Foreign References:
US20050212406A12005-09-29
EP1115155A22001-07-11
EP0977063A12000-02-02
Other References:
TAKAHASHI K ET AL: "High density LED display panel on silicon microreflector and integrated circuit", ELECTRONIC MANUFACTURING TECHNOLOGY SYMPOSIUM, 1995, PROCEEDINGS OF 19 95 JAPAN INTERNATIONAL, 18TH IEEE/CPMT INTERNATIONAL OMIYA, JAPAN 4-6 DEC. 1995, NEW YORK, NY, USA,IEEE, US, 4 December 1995 (1995-12-04), pages 272 - 275, XP010195599, ISBN: 978-0-7803-3622-3
Attorney, Agent or Firm:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH (DE)
Download PDF:
Claims:
Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels mit den

folgenden Schritten:

- Bereitstellen einer Vielzahl von Leuchtdioden (4), wobei jede Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger (44) und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper (41,42,43) aufweist, jeder Halbleiterkörper (41,42,43) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper (41,42,43) getrennt voneinander

ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper (41,42,43) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) auf dem strahlungsdurchlässigen Träger (44) angeordnet sind,

Bereitstellen eines Chip-Verbundes (1) aus CMOS-Chips (10), wobei jeder CMOS-Chip (10) an seiner Oberseite (10a) zumindest zwei Anschlussstellen (2) aufweist,

Verbinden zumindest einer der Leuchtdioden (4) mit einem der CMOS-Chips (10), wobei die Leuchtdiode (4) an der

Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) an der Oberseite (10a) des CMOS-Chips (10) angeordnet wird und jeder Halbleiterkörper (41,42,43) der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle (2) des CMOS-Chips (10) verbunden wird.

2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,

wobei die Anschlussstelle (2) mit einer dem

strahlungsdurchlässigen Träger (44) abgewandten Oberfläche des Halbleiterkörpers (41,42,43) in direkten Kontakt gebracht wird. 3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei an der den Halbleiterkörpern (41,42,43) abgewandten Unterseite (44b) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) für zumindest einen der Halbleiterkörper (41,42,43) ein Konversionselement (51,52,53) auf den strahlungsdurchlässigen Träger (44) derart aufgebracht wird, dass im Betrieb des Halbleiterkörpers (41,42,43) von diesem emittierte

elektromagnetische Strahlung durch das Konversionselement (51,52,53) tritt und von diesem zumindest zum Teil

wellenlängenkonvertiert wird.

4. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,

wobei eine Vielzahl von Konversionselementen (51,52,53), die in einem Verbund vorliegen, gleichzeitig mit einer Vielzahl von Leuchtdioden (4) verbunden wird.

5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche,

wobei der Verbund aus Chip-Verbund (1) und einer Vielzahl der Leuchtdioden (4) zu einzelnen Leuchtmitteln vereinzelt wird, von denen jedes Leuchtmittel zumindest eine Leuchtdiode (4) umfasst, wobei beim Vereinzeln lediglich der Chip-Verbund (1) durchtrennt wird. 6. Leuchtmittel mit

einem CMOS-Chip (10), wobei der CMOS-Chip (10) an seiner Oberseite zumindest zwei Anschlussstellen (2) aufweist,

einer Leuchtdiode (4), wobei die Leuchtdiode (4) einen strahlungsdurchlässigen Träger (44) und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper (41,42,43) aufweist, jeder Halbleiterkörper (41,42,43) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die

Halbleiterkörper (41,42,43) getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper (41,42,43) an der Oberseite (44a) des strahlungsdurchlässigen Trägers auf dem

strahlungsdurchlässigen Träger (44) angeordnet sind, wobei die Leuchtdiode (4) und der CMOS-Chip (10) sich an ihren Oberseiten (44a, 10a) zugewandt sind und jeder Halbleiterkörper (41,42,43) der zumindest einen Leuchtdiode (4) mit einer

Anschlussstelle (2) des CMOS-Chips (10) verbunden ist.

7. Leuchtmittel nach dem vorherigen Anspruch,

bei dem die zumindest eine Leuchtdiode (4) an ihrer den

Halbleiterkörpern (41,42,43) abgewandten Seite des

strahlungsdurchlässigen Trägers (44) eine Anschlussstelle (45) aufweist, die zur gemeinsamen elektrischen Kontaktierung aller Halbleiterkörper (41,42,43) der Leuchtdiode (4) vorgesehen ist.

8. Verfahren oder Leuchtmittel nach einem der vorherigen

Ansprüche,

bei dem alle Halbleiterkörper (41,42,43) der zumindest einen Leuchtdiode (4) elektromagnetische Strahlung im selben

Spektralbereich erzeugen und zumindest einem der

Halbleiterkörper (41,42,43) ein Konversionselement (51,52,53) nachgeordnet ist, wobei das Konversionselement (51,52,53) an der dem Halbleiterkörper (41,42,43) abgewandten Unterseite (44b) des strahlungsdurchlässigen Trägers (44) angeordnet ist derart, dass im Betrieb des Halbleiterkörpers (41,42,43) von diesem emittierte elektromagnetische Strahlung durch das

Konversionselement (51,52,53) tritt und von diesem zumindest zum Teil wellenlängenkonvertiert wird.

9. Verfahren oder Leuchtmittel nach einem der vorherigen

Ansprüche,

bei dem zumindest zwei Halbleiterkörper (41,42,43) der

zumindest einen Leuchtdiode (4) im Betrieb elektromagnetische Strahlung aus voneinander unterschiedlichen Spektralbereichen erzeugen .

10. Verfahren oder Leuchtmittel nach einem der vorherigen

Ansprüche,

bei dem der strahlungsdurchlässige Träger (44) der zumindest einen Leuchtdiode eine Kunststofffolie umfasst in die und/oder auf die elektrische Leitungen zur Kontaktierung der

Halbleiterkörper (41,42,43) angeordnet sind.

Description:
Beschreibung

Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels und Leuchtmittel Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels angegeben. Ferner wird ein Leuchtmittel angegeben, das

vorzugsweise mittels des Verfahrens herstellbar ist.

Das hier beschriebene Leuchtmittel kann beispielsweise in einem miniaturisierten Vollfarbendisplay Verwendung finden. Darüber hinaus ist es möglich, dass das hier beschriebene Leuchtmittel als Lichtquelle in einer optischen

Projektionsvorrichtung, zum Beispiel in einem miniaturisierten Beamer Verwendung findet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur

Herstellung eines Leuchtmittels wird zunächst eine Vielzahl von Leuchtdioden bereitgestellt. Jede der Leuchtdioden umfasst einen strahlungsdurchlässigen Träger und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper. Die

Halbleiterkörper sind beispielsweise an einer Oberseite des strahlungsdurchlässigen Trägers auf dem

strahlungsdurchlässigen Träger angeordnet. Die Oberseite des Trägers bildet auch die Oberseite der Leuchtdiode.

Jeder der Halbleiterkörper ist zur Erzeugung von

elektromagnetischer Strahlung vorgesehen und die

Halbleiterkörper sind dazu getrennt voneinander ansteuerbar. Das heißt, die Halbleiterkörper der Leuchtdiode können zu unterschiedlichen Zeiten oder gleichzeitig elektromagnetische Strahlung emittieren. Der strahlungsdurchlässige Träger ist für die von den Halbleiterkörpern im Betrieb der Leuchtdiode emittierte elektromagnetische Strahlung durchlässig, vorzugsweise

klarsichtig, also transparent. Der strahlungsdurchlässige Träger ist beispielsweise durch eine strahlungsdurchlässige Folie (engl, foil) gebildet.

Die Halbleiterkörper der Leuchtdioden sind vorzugsweise frei von einem Wachstumssubstrat. Das heißt, die Halbleiterkörper der Leuchtdioden sind jeweils epitaktisch gewachsen, das

Aufwachssubstrat, auf dem die Halbleiterkörper epitaktisch abgeschieden wurden, ist von den Halbleiterkörpern abgetrennt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem weiteren Verfahrensschritt ein Chipverbund aus

Halbleiterchips bereitgestellt, die zur Ansteuerung der

Leuchtdioden vorgesehen sind. Jeder der Halbleiterchips umfasst dabei an seiner Oberseite zumindest zwei

Anschlussstellen, die zum Anschließen einer Leuchtdiode vorgesehen sind. Bei den Halbleiterchips des Chipverbundes handelt es sich zum Beispiel um so genannte CMOS-Chips

(complementary metal oxide semiconductor-Chips) . CMOS-Chips sind Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p-Kanal als auch n-Kanal MOSFETs auf einem gemeinsamen Substrat verwendet werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zumindest eine der Leuchtdioden mit einem der CMOS-Chips verbunden, wobei die Leuchtdiode an ihrer Oberseite an der Oberseite des CMOS-Chips angeordnet wird und jeder

Halbleiterkörper der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle des CMOS-Chips verbunden wird. Das heißt, die Leuchtdiode und der CMOS-Chip sind mit ihren Oberseiten einander zugewandt und die Halbleiterkörper der Leuchtdiode werden mit entsprechenden Anschlussstellen des CMOS-Chips verbunden. Der CMOS-Chip weist dabei bevorzugt eine Anzahl von Anschlussstellen auf, die wenigstens der Anzahl der Halbleiterkörper der Leuchtdiode entspricht. Zum Beispiel wird auf jeden CMOS-Chip des

Chipverbundes genau eine Leuchtdiode aufgesetzt, deren

Halbleiterkörper jeweils mit zugeordneten Anschlussstellen des zugeordneten CMOS-Chips verbunden sind. Über die

Anschlussstellen des CMOS-Chips können die Leuchtdioden jeweils angesteuert werden, so dass eine Erzeugung von

elektromagnetischer Strahlung durch die Halbleiterkörper durch den der Leuchtdiode zugeordneten Chip gesteuert wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst eine Vielzahl von Leuchtdioden bereitgestellt, wobei jede Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper aufweist, jeder Halbleiterkörper zur Erzeugung von

elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die

Halbleiterkörper getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper an der Oberseite des strahlungsdurchlässigen Trägers auf dem strahlungsdurchlässigen Träger angeordnet sind. In einem weiteren Verfahrensschritt wird ein Chipverbund bestehend aus zumindest einem CMOS-Chip bereitgestellt, wobei jeder CMOS-Chip an seiner Oberseite zumindest zwei

Anschlussstellen aufweist. Anschließend wird zumindest eine der Leuchtdioden mit einem der CMOS-Chips verbunden, wobei die Leuchtdiode an ihrer Oberseite an der Oberseite des CMOS-Chips angeordnet wird und jeder Halbleiterkörper der Leuchtdiode mit einer Anschlussstelle des CMOS-Chips verbunden wird.

Es wird ferner ein Leuchtmittel angegeben. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtmittels umfasst das Leuchtmittel einen Chip zur Ansteuerung einer Leuchtdiode, beispielsweise einen CMOS-Chip, wobei der Chip an seiner

Oberseite zumindest zwei Anschlussstellen aufweist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtmittels umfasst das Leuchtmittel zumindest eine Leuchtdiode, wobei jede Leuchtdiode des Leuchtmittels einen

strahlungsdurchlässigen Träger und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper aufweist, jeder

Halbleiterkörper zur Erzeugung von elektromagnetischer

Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper an der Oberseite des strahlungsdurchlässigen Trägers auf dem

strahlungsdurchlässigen Träger angeordnet sind.

Dass die Halbleitekörper räumlich voneinander getrennt sind, kann zum Beispiel heißen, dass die Halbleiterkörper nicht durch ein gemeinsames Element, wie beispielsweise ein

gemeinsames Aufwachssubstrat, miteinander verbunden sind. Die einzige mechanische Verbindung zwischen den Halbleiterkörpern ist dann zum Beispiel durch den strahlungsdurchlässigen Träger gegeben, auf dem die Halbleiterkörper angeordnet sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtmittels sind sich die zumindest eine Leuchtdiode und der CMOS-Chip mit ihren Oberseiten einander zugewandt und jeder Halbleiterkörper der zumindest einen Leuchtdiode ist mit einer Anschlussstelle des CMOS-Chips verbunden. Dabei ist vorzugsweise jeder

Halbleiterkörper der zumindest einen Leuchtdiode mit genau einer Anschlussstelle des CMOS-Chips verbunden, andere

Halbleiterkörper der Leuchtdiode sind dann mit dieser

Anschlussstelle des CMOS-Chips nicht verbunden. Das heißt, Halbleiterkörper und Anschlussstellen sind eineindeutig einander zugeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtmittels umfasst das Leuchtmittel einen Ansteuerchip, zum Beispiel einen CMOS-Chip, wobei der CMOS-Chip an seiner Oberseite zumindest zwei Anschlussstellen aufweist. Das Leuchtmittel umfasst weiter zumindest eine Leuchtdiode, wobei die

Leuchtdiode einen strahlungsdurchlässigen Träger und zumindest zwei räumlich voneinander getrennte Halbleiterkörper aufweist, jeder Halbleiterkörper zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, die Halbleiterkörper getrennt voneinander ansteuerbar sind und die Halbleiterkörper an der Oberseite des strahlungsdurchlässigen Trägers auf dem

strahlungsdurchlässigen Träger angeordnet sind. Dabei sind die zumindest eine Leuchtdiode und der CMOS-Chip sich mit ihren Oberseiten zugewandt und jeder Halbleiterkörper der zumindest einen Leuchtdiode ist mit einer Anschlussstelle des CMOS-Chips verbunden .

Bevorzugt ist das hier beschriebene Leuchtmittel mit einem hier beschriebenen Verfahren herstellbar. Das bedeutet, sämtliche für das Verfahren beschriebenen Merkmale sind auch für das Leuchtmittel offenbart und umgekehrt.

Die folgenden Ausführungsformen beziehen sich sowohl auf das Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels als auch auf das Leuchtmittel . Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Anschlussstelle mit einer dem strahlungsdurchlässigen Träger abgewandten

Oberfläche des Halbleiterkörpers in direktem Kontakt gebracht. Das heißt, die Leuchtdiode wird derart auf den zugeordneten Chip aufgesetzt, dass sich ein Halbleiterkörper und die dem Halbleiterkörper zugeordnete Anschlussstelle des Chips berühren. Die Anschlussstelle wird dabei beispielsweise mit der p-leitenden Seite des Halbleiterkörpers elektrisch leitend verbunden, so dass die Anschlussstelle zur Kontaktierung der p-Seite des Halbleiterkörpers dient.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird an der den

Halbleiterkörpern abgewandten Unterseite des

strahlungsdurchlässigen Trägers für zumindest einen der

Halbleiterkörper ein Konversionselement auf den

strahlungsdurchlässigen Träger derart aufgebracht, dass im Betrieb des Halbleiterkörpers von diesem emittierte

elektromagnetische Strahlung durch das Konversionselement tritt und von diesem zumindest zum Teil

wellenlängenkonvertiert wird.

Der Halbleiterkörper ist dabei vorzugsweise im Betrieb zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aus dem

Spektralbereich von ultravioletter Strahlung und/oder blauem Licht vorgesehen. Beispielsweise können in diesem Fall sämtliche Halbleiterkörper der Leuchtdiode gleichartig

ausgebildet sein, so dass sämtliche Halbleiterkörper der Leuchtdiode elektromagnetische Strahlung aus demselben

Spektralbereich emittieren. Die den Halbleiterkörpern

nachgeordneten Konversionselemente können sich dann

unterscheiden. Auf diese Weise kann beispielsweise ein

Leuchtmittel hergestellt werden, das im Betrieb grünes, rotes und blaues Licht erzeugen kann. Das grüne und das rote Licht werden dabei beispielsweise durch vollständige

Wellenlängenkonversion der von den Halbleiterkörpern erzeugten elektromagnetischen Strahlung erzeugt. Alternativ ist es auch möglich, dass die Halbleiterkörper jeder Leuchtdiode an sich schon zur Erzeugung von rotem, grünem und blauem Licht vorgesehen sind. Die Halbleiterkörper der Leuchtdiode unterscheiden sich dann voneinander.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegen die

Konversionselemente in einem Verbund vor. Das heißt, eine Vielzahl von Konversionselementen ist beispielsweise durch einen gemeinsamen Träger miteinander verbunden. Bei dem gemeinsamen Träger kann es sich zum Beispiel um ein

Aufwachssubstrat handeln, auf das die Konversionselemente aufgebracht, zum Beispiel epitaktisch abgeschieden sind. Die Konversionselemente können dann zum Beispiel aus II/VI- Halbleitermaterialien gebildet sein. Die Vielzahl von

Konversionselementen, die in einem Verbund vorliegen, wird dann vorzugsweise gleichzeitig mit der Vielzahl von

Leuchtdioden verbunden. Dies kann beispielsweise nach dem Aufbringen der Leuchtdioden auf den Chip-Verbund erfolgen. Das Verbindungselement der Vielzahl von Konversionselementen, also beispielsweise das Aufwachssubstrat, kann nach dem Verbinden mit den Leuchtdioden entfernt werden.

Alternativ ist es aber auch möglich, dass die

Konversionselemente einzeln auf die Leuchtdioden aufgebracht werden. Die Konversionselemente können dann beispielsweise auch mit keramischen Leuchtstoffen wie beispielsweise Cer- dotiertem YAG gebildet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der Verbund aus Chip-Verbund und einer Vielzahl von Leuchtdioden zu einzelnen Leuchtmitteln vereinzelt, von denen jedes Leuchtmittel

zumindest eine Leuchtdiode umfasst, wobei beim Vereinzeln lediglich der Chip-Verbund durchtrennt wird. Vorliegend werden die Leuchtdioden einzeln mit zugeordneten Anschlussstellen der Chips des Chipverbundes verbunden. Das heißt, beim Verbinden mit dem Chipverbund liegen die

Leuchtdioden selbst nicht in einem Verbund vor, sondern es handelt sich bei den Leuchtdioden um diskrete Bauelemente, die einzeln auf dem Chipverbund aufgebracht werden können. Zum Vereinzeln des Chip-Verbundes ist es daher nicht notwendig, durch die Leuchtdioden zu vereinzeln, lediglich der Chip- Verbund selbst muss durchtrennt werden. Auf diese Weise kann es nicht zu Beschädigungen der Leuchtdioden durch ein

Durchtrennen der Leuchtdioden kommen, da dies entfällt. Ferner minimiert die separate Montage der Leuchtdioden auf dem Chip- Verbund die Wechselwirkung der einzelnen

Prozessierungsschritte . Ferner ist es bei der separaten

Montage der Leuchtdioden möglich, diese mit einer sehr hohen Genauigkeit von unter 1 μm auf dem zugeordneten Chip des Chip- Verbundes zu platzieren. Durch das Verbinden der Leuchtdioden mit Ansteuer-Chips entfällt eine Ansteuerschaltung und/oder eine aufwendige Verdrahtung für die Leuchtdioden selbst, was die Verwendung besonders kostengünstiger Leuchtdioden mit kleiner Querschnittsfläche erlaubt. Ferner können die

einzelnen Leuchtdioden vor dem Verbinden mit den Ansteuerchips getestet werden, was zu einer Verringerung an Ausschuss von Leuchtmitteln führt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die zumindest eine Leuchtdiode an ihrer den Halbleiterkörpern abgewandten Seite des strahlungsdurchlässigen Trägers eine Anschlussstelle auf, die zur gemeinsamen elektrischen Kontaktierung aller

Halbleiterkörper der Leuchtdiode vorgesehen ist. Bei der gemeinsamen Anschlussstelle handelt es sich beispielsweise um eine Anschlussstelle, über die die Halbleiterkörper der Leuchtdiode n-seitig kontaktiert werden können. Die n-Seiten der Halbleiterkörper liegen dann auf einem gemeinsamen

Potential. Ein getrenntes Ansteuern der Halbleiterkörper erfolgt durch eine Bestromung über die zugeordnete

Anschlussstelle des zugeordneten CMOS-Chips. Über diese

Anschlussstelle werden die Halbleiterkörper dann p-seitig kontaktiert. Dabei kann die Polarität auch vertauscht werden, das heißt, die Anschlussstelle auf dem strahlungsdurchlässigen Träger kann dann zur p-seitigen Kontaktierung der

Halbleiterkörper vorgesehen sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

strahlungsdurchlässige Träger der zumindest einen Leuchtdiode eine Kunststofffolie in die und/oder auf die elektrische

Leitungen zur Kontaktierung der Halbleiterkörper angeordnet sind. Das heißt, der strahlungsdurchlässige Träger selbst ist aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet.

Beispielsweise sind in das elektrisch isolierende Material des strahlungsdurchlässigen Trägers Durchkontaktierungen

eingebracht, welche die Halbleiterkörper an der Oberseite des Trägers mit der Anschlussstelle an der Unterseite des Trägers verbinden. Die elektrischen Leitungen zur Verbindung der

Halbleiterkörper mit der Anschlussstelle können jedoch auch auf den Außenflächen der Kunststofffolie verlaufen.

Im Folgenden werden das hier beschriebene Verfahren sowie das hier beschriebene Leuchtmittel anhand von

Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert .

In Verbindung mit den Figuren 1 und 2 sind anhand

schematischer Schnittdarstellungen Ausführungsbeispiele des hier beschriebenen Verfahrens und des hier beschriebenen

Leuchtmittels näher erläutert.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu

betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Die Figur IA zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung einen Chip-Verbund 1 mit einer Vielzahl von CMOS-Chips 10. An der Oberseite 10a jedes CMOS-Chips 10 sind drei

Anschlussstellen 2 angeordnet. Jede der Anschlussstellen 2 ist zur Bestromung des Halbleiterkörpers einer Leuchtdiode

vorgesehen .

In der schematischen Schnittdarstellung der Figur IB sind drei Leuchtdioden 4 dargestellt, die auf einem gemeinsamen Träger

3, zum Beispiel einer Folie, angeordnet sind. Die Leuchtdioden 4 sind, wie in der Figur IC gezeigt, einzeln vom Träger 3 separierbar . Jede Leuchtdiode 4 umfasst einen strahlungsdurchlässigen

Träger 44 an dessen Oberseite 44a jeweils drei

Halbleiterkörper 41, 42, 43 angeordnet sind. Die

Halbleiterkörper 41, 42, 43 sind räumlich voneinander getrennt und lediglich über den strahlungsdurchlässigen Träger 44 miteinander verbunden.

Bei dem strahlungsdurchlässigen Träger 44 handelt es sich um eine transparente Kunststofffolie . Jede Leuchtdiode 4 umfasst ferner an der der Oberseite 44a abgewandten Unterseite 44b des Trägers 44 eine Anschlussstelle 45, über die die Halbleiterkörper 41, 42, 43 beispielsweise n- seitig kontaktiert werden können.

Vorliegend handelt es sich bei den Halbleiterkörpern 41, 42, 43 um voneinander unterschiedliche Halbleiterkörper, die im Betrieb jeweils zur Erzeugung von elektromagnetischer

Strahlung einer anderen Farbe vorgesehen sind. Beispielsweise erzeugt der Halbleiterkörper 41 im Betrieb rotes Licht, der Halbleiterkörper 42 erzeugt im Betrieb grünes Licht und der Halbleiterkörper 43 erzeugt im Betrieb blaues Licht. In der Figur IC ist schematisch dargestellt, dass die

Leuchtdioden 4 in einfacher Weise vom Träger 3 separiert werden können. Bei den Leuchtdioden 4 handelt es sich dann um separate Bauteile, die getrennt voneinander auf den CMOS-Chips 10 des Chip-Verbunds 1 angeordnet werden können. Die

Leuchtdioden 4 werden dabei derart auf den CMOS-Chips 10 angeordnet, dass sich die Oberseiten 44a und 10a von Träger 44 und Chip 10 einander gegenüberliegen. Jeder Halbleiterkörper 41, 42, 43 einer jeden Leuchtdiode 4 wird dabei mechanisch an einer zugehörigen Anschlussstelle 2 des CMOS-Chips 10

befestigt und elektrisch mit dieser kontaktiert, vergleiche Figur IE.

In einem letzten Verfahrensschritt kann der Verbund aus

Leuchtdioden 4 und CMOS-Chips 10 vereinzelt werden. Die kleinste mögliche Einheit umfasst dann genau einen CMOS-Chip 10 und eine zugeordnet Leuchtdiode 4. Die Seitenflächen 10c der CMOS-Chips 10 sind also durch Vereinzeln erzeugt und weisen Spuren eines Vereinzelungsprozesses, beispielsweise Sägerillen auf.

Es ist jedoch auch möglich, dass die Leuchtmittel 100 jeweils eine Vielzahl von CMOS-Chips 10 und eine Vielzahl von

Leuchtdioden 4 umfassen. In diesem Fall eignet sich das

Leuchtmittel 100 besonders gut als Vollfarbendisplay, bei dem jede Leuchtdiode 4 ein Pixel repräsentiert, welches drei

Unterpixel umfasst, die jeweils durch die Halbleiterkörper 41, 42, 43 gebildet sind.

Leuchtmittel 100 mit genau einer Leuchtdiode 4 und genau einem CMOS-Chip 10, wie sie beispielsweise in der Figur IF

dargestellt sind, können zum Beispiel als Lichtquellen in optischen Projektionsapparaten Verwendung finden.

Über den CMOS-Chip 10 können die Halbleiterkörper 41, 42, 43 in vorgebbarer Weise angesteuert werden. In Verbindung mit den Figuren 2A bis 2C ist ein alternatives Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. In diesem Ausführungsbeispiel sind die

Halbleiterkörper 41, 42, 43 gleichartig ausgebildet. Das heißt, die Halbleiterkörper 41, 42, 43 einer jeden Leuchtdiode 4 erzeugen im Betrieb elektromagnetische Strahlung aus

demselben Spektralbereich.

Beispielsweise erzeugen die Halbleiterkörper 41, 42, 43 im Betrieb UV-Strahlung. In der schematischen Schnittdarstellung der Figur 2A ist gezeigt, dass die Leuchtdioden 4 bereits auf dem Chip-Verbund 1 aufgebracht sind und jeder Halbleiterkörper 41, 42, 43 mit der zugeordneten Anschlussstelle 2 des

zugeordneten CMOS-Chips 10a verbunden ist. Auf die Leuchtdioden 4 werden nun jeweils Konversionselemente 51, 52, 53 aufgebracht, die derart an der Unterseite 44b eines jeden Trägers befestigt werden, dass sie dem zugeordneten

Halbleiterkörper 41, 42, 43 in dessen Abstrahlrichtung

nachgeordnet sind.

Beispielsweise sind die Konversionselemente 51, 52, 53 vor dem Aufbringen auf die Leuchtdioden auf einem gemeinsamen Träger 5 aufgebracht. Die Konversionselemente können beispielsweise mit einem Halbleitermaterial, zum Beispiel einem II/VI-

Halbleitermaterial gebildet sein. Sie können auf dem Träger 5 epitaktisch abgeschieden sein. Es ist jedoch auch möglich, dass es sich um keramische Konversionselemente handelt, die im Verbund, das heißt auf einem gemeinsamen Träger 5, oder einzeln auf die Leuchtdioden 4 aufgebracht werden.

Nach dem Ablösen vom Träger 5 ist ein Leuchtmittel geschaffen, bei dem jedem Halbleiterkörper 41, 42, 43 einer jeden

Leuchtdiode 4 ein Konversionselement 51, 52, 53 nachgeordnet ist. Von den Halbleiterkörpern im Betrieb erzeugte

elektromagnetische Strahlung tritt beispielsweise durch den strahlungsdurchlässigen Träger 44 und wird dort möglichst vollständig zu sichtbarem Licht wellenlängenkonvertiert. Jede Leuchtdiode ist dadurch beispielsweise zur Abstrahlung von rotem, grünem und blauem Licht geeignet.

Wie in der Figur 2C dargestellt ist, kann der Chip-Verbund 1 je nach Bedarf in Leuchtmittel 100 durchtrennt werden, wobei beim Separieren wieder ausschließlich durch den Chip-Verbund 1 und nicht die Leuchtdioden 4 separiert wird. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102009033915.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.