Ce type de membrane présente de nombreux intérts. On peut citer à titre d'exemple les substrats complants pouvant utiliser une membrane selon l'invention ou tout autre application où un film mince est nécessaire (film de silicium sur substrat verre ou plastique). Par substrat compliant, on entend une structure capable d'accepter des contraintes induites par une structure qui y adhère et qui peut tre une couche déposée sur une surface de ce substrat par exemple par hétéroépitaxie.

Etat de la technique antérieure Le document FR-A-2 681 472 décrit un procédé de fabrication de films minces de matériau semiconducteur. Ce document divulgue que l'implantation d'un gaz rare ou d'hydrogène dans un substrat en matériau semiconducteur est susceptible de créer des microcavités ou des microbulles (encore désignées par le terme"platelets"dans la terminologie anglo-saxonne) à une profondeur voisine de la profondeur moyenne de pénétration des ions implantés.

Si ce substrat est mis en contact intime, par sa face

implantée avec un raidisseur et qu'un traitement thermique est appliqué à une température suffisante, il se produit une interaction entre les microcavités ou les microbulles conduisant à une séparation du substrat semiconducteur en deux parties : un film mince semiconducteur adhérant au raidisseur d'une part, le reste du substrat semiconducteur d'autre part. La séparation a lieu à l'endroit où les microcavités ou microbulles sont présentes. Le traitement thermique est tel que l'interaction entre les microbulles ou microcavités créées par implantation induit une séparation entre le film mince et le reste du substrat.

Il y a donc transfert d'un film mince depuis un substrat initial jusqu'à un raidisseur servant de support à ce film mince.

Ce procédé peut également s'appliquer à la fabrication d'un film mince de matériau solide autre qu'un matériau semiconducteur (un matériau conducteur ou diélectrique), cristallin ou non.

Les procédés décrits par les documents FR- A-2 681 472 (correspondant au brevet américain 5 374 564) déjà cité et FR-A-2 767 416 permettent le report d'un film mince de matériau homogène ou constitué de multicouches homogènes ou hétérogènes sur un support mécanique encore appelé raidisseur. Ce report est réalisé de façon avantageuse à l'aide d'un traitement thermique. Cependant, ce traitement thermique peut tre associé ou entièrement remplacé par une séparation mécanique, par exemple à l'aide de forces de traction et/ou de cisaillement et/ou de flexion, appliquées de façon séparées ou combinées entre elles. Un tel procédé est décrit dans le document FR-A-2 748 851.

Il a également été démontré que cette technique pouvait tre utilisée sans raidisseur lorsque

les ions implantés sont localisés à une profondeur suffisante pour induire la fracture sur l'ensemble du substrat sans formation de cloques au niveau de la surface implantée. On pourra se reporter à ce sujet au document FR-A-2 738 671 (correspondant au brevet américain 5 714 395). Dans ce cas, pour obtenir une fracture il est nécessaire que la zone de microcavités soit à une profondeur minimale par rapport à la surface implantée pour que le film mince soit suffisamment rigide. Cette rigidité peut également tre obtenue par l'utilisation d'une ou de plusieurs couches déposées sur la couche mince avec fracture.

Les documents cités ci-dessus décrivent des procédés qui permettent d'obtenir une couche mince de matériau. Cette couche peut tre homogène, contenir tout ou partie d'un composant microélectronique ou optoélectronique, ou bien encore tre hétérogène. Par hétérogène on entend qu'elle peut tre constituée de plusieurs éléments empilés les uns sur les autres. Ces empilements de couches sont généralement obtenus par croissance épitaxiale. Avec la croissance épitaxiale se pose alors un problème de compatibilité entre les différentes couches. Ces problèmes de compatibilité sont par exemple des paramètres de maille très différents qui entraînent la présence de dislocations dans au moins une des couches. A partir de ces résultats, il apparaît donc impossible d'obtenir certaines structures.

D'autre part, le document FR-A-2 738 671 déjà cité indique que l'implantation doit tre effectuée à une énergie telle que la profondeur de pénétration des ions soit supérieure ou égale à une profondeur minimale pour que le film soit rigide. Il est indiqué que dans le silicium la profondeur de pénétration minimale est de l'ordre de 5 um voire 4 um.

Ceci correspond à une énergie d'implantation d'environ 500 keV. Dans le cas du. carbure de silicium qui est un matériau beaucoup plus rigide que le silicium, l'épaisseur minimale de film mince possible est de l'ordre de 1 um. Ce procédé permet donc d'obtenir des films ou couches minces qui ont des épaisseurs supérieures à une épaisseur limite procurant à la couche mince une certaine rigidité. Il est indiqué qu'une couche mince rigide est une couche dont les propriétés mécaniques sont suffisantes pour éviter que l'application de la deuxième étape (qui correspond à un traitement thermique et/ou mécanique) ne se traduise par l'apparition de gonflements, de bulles et d'éclatements de bulles et donc pour que l'application de la deuxième étape se traduise par un décollement de la surface. Cependant, par ce procédé, il est impossible, suivant la nature mécanique du film désirée, d'obtenir des films minces autoportées avec des implanteurs standard du commerce, c'est-à-dire avec des implanteurs permettant d'implanter à une énergie maximale de 200 keV. Par exemple, il est impossible d'obtenir un film de silicium de 4 pm d'épaisseur avec une telle énergie.

Un autre problème se pose lorsque l'on désire utiliser un implanteur standard (énergie inférieure à 200 keV) pour reporter un film mince sur un support quelconque, c'est-à-dire un support qui n'offre pas une rigidité suffisante pour obtenir un effet raidisseur. Par exemple, il n'est pas possible de reporter un film de silicium monocristallin sur un support souple tel qu'un support en plastique sans passer par un support intermédiaire, de type poignée, comme cela est divulgué par le document FR-A-2 725 074.

Il serait pourtant avantageux de disposer d'un procédé qui permette de s'affranchir de cette poignée et qui

permette le report direct du film mince sur son support final.

Exposé de 1'invention L'invention apporte une solution aux problèmes énoncés ci-dessus. Il est proposé de fixer deux substrats l'un à l'autre par leur face implantée, l'implantation étant réalisée de façon que le phénomène de clivage des substrats puisse avoir lieu au niveau des zones implantées. Il est alors possible d'obtenir une membrane constituée par la réunion de deux couches minces. Cette membrane peut tre reportée sur tout type de support (semi-conducteur, métallique, plastique, céramique) sans aucune condition sur les forces d'adhérence (fortes ou faibles) entre la membrane et le support.

L'invention a donc pour objet un procédé de réalisation d'une membrane mince, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : -implantation d'espèces gazeuses au travers d'une face d'un premier substrat et au travers d'une face d'un second substrat apte à créer dans ces substrats des microcavités délimitant pour chaque substrat une couche mince comprise entre ces microcavités et la face implantée, les microcavités étant aptes à provoquer, postérieurement à leur implantation, le détachement de la couche mince de son substrat ; -assemblage du premier substrat sur le second substrat de façon que les faces implantées soient en regard ; -détachement de chaque couche mince de son substrat, les couches minces restant assemblées entre elles pour fournir ladite membrane mince.

On entend par espèces gazeuses des éléments, par exemple d'hydrogène ou de gaz rares, sous leur forme atomique (par exemple H) ou sous leur forme moléculaire (par exemple H2) ou sous leur forme ionique (par exemple H+, H+2,...) ou sous leur forme isotopique (par exemple deutérium) ou sous forme isotopique et ionique.

Par ailleurs, on entend par implantation tout type d'introduction des espèces définies précédemment, seul ou en combinaison, tel que le bombardement ionique, la diffusion, etc.

Selon une première variante de mise en oeuvre, les étapes se déroulent dans l'ordre suivant : -implantation du premier substrat et du second substrat, -assemblage du premier substrat sur le second substrat selon les faces implantées, -détachement de chaque couche mince, soit de manière simultanée soit de manière successive.

Selon une deuxième variante de mise en oeuvre, les étapes se déroulent dans l'ordre suivant : -implantation du premier substrat, -assemblage de la face implantée du premier substrat sur une face du second substrat destinée à tre implantée par la suite, -détachement de la couche mince du premier substrat, laquelle reste assemblée sur le second substrat, -implantation du second substrat au travers de la couche mince détachée du premier substrat, -détachement de la couche mince du second substrat, laquelle reste assemblée à la couche mince du premier substrat pour fournir ladite membrane mince.

Dans les deux substrats, il peut tre prévu une étape préliminaire à l'implantation et à l'assemblage des deux substrats, consistant à réaliser une couche d'inclusions dans le substrat à implanter, à une profondeur correspondant à l'épaisseur désirée pour la couche mince à élaborer dans ce substrat, les inclusions constituant des pièges pour les espèces gazeuses qui seront ensuite implantées, par exemple par implantation ionique ou diffusion. La couche d'inclusions peut tre formée par une technique de dépôt de film. Elle peut consister en une génération de colonnes ou une génération de joints de grains.

La profondeur moyenne d'implantation des espèces gazeuses peut tre, dans un substrat en matériau monocristallin, déterminée en fonction de la disposition du réseau cristallographique du matériau monocristallin par rapport à la direction d'implantation. Pour une énergie donnée, des profondeurs moyennes de pénétration des espèces gazeuses plus importantes peuvent tre obtenues si on utilise la canalisation des ions ou des espèces introduites. Pour cela, il suffit d'implanter parallèlement à une direction ou à un plan cristallographique (cas d'un matériau monocristallin uniquement). De façon opposée, on peut réduire la profondeur d'implantation à une énergie donnée en effectuant une implantation inclinée. Dans ce cas, on oriente l'axe cristallographique du matériau de façon qu'il n'y ait pas de direction préférentielle de pénétration des ions dans le matériau.

Eventuellement, l'implantation est réalisée au travers d'une face du premier substrat et/ou du second substrat à partir de laquelle tout ou partie d'au moins un composant électronique et/ou optoélectronique et/ou optique et/ou un microsystème a

été élaboré. L'implantation peut tre effective mme pour des zones masquées.

Selon un autre mode de réalisation, le détachement de chaque couche mince se faisant de manière successive, on élabore, après qu'un premier détachement de couche mince a été réalisé, tout ou partie d'au moins un composant électronique et/ou optoélectronique et/ou optique et/ou un microsystème sur la couche mince révélée par ce premier détachement.

A titre d'exemple, le composant réalisé dans une couche mince est une mémoire DRAM. Si une topologie est présente en surface, cette surface peut tre planarisée avant la mise en contact.

L'assemblage du premier substrat sur le second substrat peut se faire par une technique choisie parmi le collage par adhésion moléculaire, le collage au moyen d'une substance adhésive et l'utilisation d'un composé intermédiaire.

Cet assemblage du premier substrat sur le second substrat peut aussi se faire avec interposition d'une couche intermédiaire. La présence d'une couche intermédiaire peut modifier la rigidité apparente de la membrane et modifier les conditions de transfert. En particulier, cela peut modifier les conditions de recuit et/ou les conditions mécaniques de fracture.

Avantageusement, le détachement desdites couches minces se fait par application d'un traitement thermique et/ou par application de forces mécaniques.

Dans tous les cas, les conditions de transfert dépendent bien évidemment des conditions d'implantation (dose, énergie, budget thermique fourni à la plaque) et des contraintes imposées à la zone implantée par la structure. Les forces mécaniques peuvent comprendre des forces de traction et/ou de cisaillement et/ou de flexion. Les forces mécaniques peuvent tre appliquées

perpendiculairement aux plans des couches et/ou parallèlement à celles-ci. Elles peuvent tre localisées en un point ou une zone ou tre appliquées à différents endroits de façon symétrique ou dissymétrique. L'apport d'énergie thermique peut tre réalisé par exemple par l'utilisation d'un faisceau laser. L'apport d'énergie mécanique peut se faire par l'utilisation d'ultrasons.

Si le détachement d'une couche mince implique l'application d'un traitement thermique, celui-ci peut s'effectuer sous pression contrôlée (par exemple une pression de gaz ou une pression mécanique).

La réduction de la pression au moment du traitement thermique ou au moment de la séparation peut faciliter celle-ci. Il est ainsi possible d'obtenir des séparations pour des doses de gaz implanté et/ou des traitements thermiques plus faibles. Par traitements thermiques plus faibles on entend des recuits réalisés avec une température plus faible et/ou avec un temps plus faible. Dans le cas où la pression est augmentée, les conditions de fracture au moment où la séparation a lieu sont modifiées et l'on peut retarder la séparation. Ce retard peut présenter un avantage en induisant une rugosité de surface après fracture plus faible mais il peut aussi permettre d'obtenir la fracture dans des conditions où le bullage serait atteint avec un recuit à la pression atmosphérique.

Selon les applications, après le détachement d'avec au moins un substrat, la membrane mince peut tre fixée à un support final ou temporaire.

L'invention a aussi pour objet une structure à membrane mince obtenue selon le procédé ci- dessus. Cette structure peut comprendre un support supportant cette membrane, ce support pouvant tre en un matériau choisi parmi les matériaux semi-

conducteurs, les matériaux plastiques, les matériaux céramiques et les matériaux transparents.

L'une des couches minces peut tre en silicium et l'autre en matériau semi-conducteur III-V, par exemple en GaAs.

La membrane peut comporter également une couche intermédiaire interposée entre les deux couches minces. Par exemple, les deux couches minces sont en Si et la couche intermédiaire est en Si02, en Si3N4 ou en une combinaison de plusieurs matériaux et/ou multicouches. Selon un autre exemple, les deux couches minces sont en matériau semi-conducteur et la couche intermédiaire est en matériau conducteur comme le palladium.

Selon une autre variante de réalisation, l'une des couches minces est en Si, l'autre couche est en Ge, les couches minces étant dopées pour que la structure constitue une cellule photovoltaïque.

Brève description des dessins L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : -les figures 1 à 4 illustrent différentes étapes du procédé selon la présente invention pour obtenir une membrane auto-portée, -la figure 5 représente une première structure comportant un support supportant une membrane mince selon la présente invention, -la figure 6 représente une deuxième structure comportant un support supportant une membrane mince selon la présente invention.

Description détaillée de modes de réalisation de l'invention Les substrats à partir desquels seront constituées les couches minces peuvent tre massifs ou comprendre déjà une ou plusieurs couches minces déposées par exemple par épitaxie.

L'implantation d'espèces gazeuses peut tre réalisée, pour chaque substrat, à des énergies et à des doses différentes. Elle peut aussi tre réalisée à partir d'espèces gazeuses différentes.

La fixation des substrats l'un sur l'autre peut tre réalisée par collage par adhésion moléculaire avec éventuellement la présence d'une couche intermédiaire qui peut avoir différentes fonctions.

Elle peut tre choisie à cause de ses propriétés électroniques et/ou optiques et/ou mécaniques et/ou thermiques. Elle peut tre isolante ou conductrice. Ses propriétés mécaniques peuvent tre choisies de façon à rigidifier la structure et permettre une diminution de l'épaisseur nécessaire.

La séparation des couches minces d'avec leurs substrats peut tre réalisée de façon simultanée ou de façon consécutive. La séparation peut tre réalisée au moyen de traitement thermique et/ou au moyen de forces mécaniques appliquées simultanément ou après l'éventuel traitement thermique. Dans le cas où le traitement thermique a pour but d'obtenir la séparation, celui-ci doit tre réalisé avec un budget thermique qui est fonction de tous les autres traitements thermiques précédant ce recuit (implantation, collage,...). Dans le cas où la séparation utilise un effort mécanique, le traitement thermique peut tre faible voire mme nul si la plaque a été suffisamment fragilisée au cours de l'étape

d'implantation. La séparation mécanique a lieu, par exemple, à l'aide de forces de traction, de cisaillement, de flexion, appliquées de façon séparées ou en combinaison les unes avec les autres.

Une variante du procédé consiste après séparation totale (c'est-à-dire des deux substrats) ou séparation partielle (c'est-a-dire d'un substrat), en la mise en contact de l'une des couches minces avec un support qui permet de maintenir la membrane. Ce support peut tre un support intermédiaire permettant de réaliser des étapes de fabrication de composants ou tre le support final. L'utilisation de support intermédiaire peut permettre de choisir la face sur laquelle on veut réaliser ces étapes.

L'invention présente de nombreux avantages qui vont tre récapitulés ci-dessous.

Elle procure la possibilité d'obtenir des membranes autoportées par implantation ionique à l'aide d'implanteurs classiques qui fonctionnent avec des énergies d'implantation de l'ordre de 200 keV.

Pour une épaisseur de membrane donnée, lorsque les deux substrats sont implantés avant leur fixation, l'utilisation de deux substrats implantés permet de diminuer de moitié la profondeur d'implantation et donc de diminuer l'énergie nécessaire pour cette implantation. Cette diminution d'énergie modifie la dose limite nécessaire au transfert d'une couche mince. En effet, il a été constaté que la dose limite permettant ce transfert augmente lorsque l'énergie d'implantation augmente. A titre d'exemple, pour le cas d'ions hydrogène et pour une énergie de 90 keV, la dose nécessaire au transfert est de l'ordre de 3,5.1016 H+/cm2 alors que cette dose est de l'ordre de 4,5.1016 Ht/cm2 à 400 keV (dose donnée à titre indicatif pour un mme implanteur donné, c'est-a-dire à

conditions de courant d'implantation, de contact thermique, de refroidissement éventuel fixées). En résumé, deux implantations n'entraînent pas forcément une dose double.

Il est possible d'obtenir des membranes fines composées d'au moins deux couches en matériaux différents. Il suffit pour cela de mettre en contact deux types de matériaux implantés, la mise en contact pouvant s'effectuer par différents moyens (collage par adhésion moléculaire, utilisation d'un composé intermédiaire, ou mme de colle). Parmi les composés intermédiaires, on peut citer à titre d'exemple des composés métalliques, ou des composés isolants et/ou des composés qui permettent de contrôler les contraintes apparaissant dans la structure suite à l'association de couches de matériaux différents. On peut ainsi, grâce à ce procédé, réaliser différentes structures avec au moins deux couches monocristallines qui peuvent éventuellement tre de part et d'autre d'un film isolant ou conducteur.

Il est possible de réaliser la structure choisie grâce au choix des profondeurs d'implantation qui peuvent tre différentes dans les deux cas. Cette possibilité autorise l'obtention de membranes dissymétriques. Il faut remarquer que la dose limite nécessaire à la séparation est fonction de l'énergie d'implantation et du matériau.

Etant donné qu'il existe deux zones (une dans chaque substrat) contenant des microcavités conduisant à la séparation par fracture des substrats, il est possible de contrôler une zone de fracture par rapport à l'autre. En effet, si l'implantation des substrats est réalisée dans des conditions différentes pour chaque substrat, on peut obtenir d'abord la séparation d'une couche d'avec son substrat tandis que

l'autre couche est encore solidaire de son substrat. On obtient alors une membrane constituée de deux couches minces encore solidaire de l'un des substrats. On peut alors réaliser tout ou partie d'un ou de plusieurs composants sur la face révélée par la séparation. En particulier, des étapes comprenant des traitements thermiques peuvent tre réalisées. Ensuite, cette face révélée peut tre collée sur un support et la séparation de l'autre couche mince d'avec son substrat peut tre obtenue à l'aide de forces mécaniques et/ou d'un traitement thermique.

L'intért d'obtenir une membrane très mince est qu'on peut la déposer sur n'importe quel support sans qu'il y ait une forte adhésion entre la membrane et ce support. On peut alors obtenir une membrane auto- portée, ce qui est notamment intéressant pour les applications de substrat compliant ou de report sur substrat à forte variation de coefficient de dilatation thermique.

Les espèces gazeuses peuvent tre introduites ou localisées au niveau de la zone choisie pour la fracture par différentes méthodes. On peut citer à titre d'exemple, l'implantation d'ions par bombardement (équivalent à l'immersion plasma) ou des méthodes basées sur la diffusion et le piégeage par des inclusions.

Les figures 1 à 4 sont des vues transversales qui illustrent l'obtention d'une membrane auto-portée, par le procédé de la présente invention, à partir de deux substrats en silicium implantés identiquement.

L'implantation est réalisée par exemple avec des ions hydrogène à une dose de 7.1016 H+/cm2 et pour une énergie de 200 keV. Le résultat obtenu est illustré par les figures 1 et 2. La figure 1 montre un

premier substrat 10 possédant une zone continue et enterrée de microcavités 11 séparée de la face implantée 12 par la couche mince 13. La figure 2 montre un second substrat 20 possédant une zone continue et enterrée de microcavités 21 séparée de la face implantée 22 par la couche mince 23.

Les substrats 10 et 20 sont ensuite collés l'un à l'autre par les faces implantées 12 et 22 à l'aide d'une technique de collage par adhésion moléculaire. On obtient la structure représentée à la figure 3.

Un recuit de cette structure à une température de l'ordre de 500°C durant 30 minutes ou à 400°C pendant 1 heure induit une fracture des substrats dans les zones de microcavités. Ce budget thermique peut tre abaissé si les conditions d'implantation sont modifiées, par exemple si la dose est modifiée. Après fracture des substrats, il subsiste une membrane, d'environ 3,5 um d'épaisseur, constituée de l'association des deux couches minces.

Après retrait d'au moins l'un des deux substrats, la membrane est disponible et peut tre recueillie soit manuellement (elle est alors auto- portée), soit en la faisant adhérer sur un support (par exemple une plaque semi-conductrice) ou en la collant sur un film plastique souple.

La figure 4 représente une membrane auto- portée 1 constituée des deux couches minces 13 et 23.

La figure 5 représente une structure comprenant un support 2, par exemple en verre, sur lequel la membrane 1 a été collée. Le support 2 peut présenter un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la membrane. Il peut tre par exemple en silice pure.

Pour certaines applications, il peut tre intéressant d'avoir au sein de la membrane une couche d'oxyde. Pour cela, l'un des substrats (ou les deux) sera recouvert d'une couche d'oxyde. On obtient ainsi une membrane formée d'une couche mince de silicium sur une couche d'oxyde qui repose elle-mme sur une couche mince de silicium. Cette membrane peut tre reportée sur un support quelconque. C'est ce que représente la figure 6 qui montre une structure comprenant un support 3, par exemple en verre, sur lequel une membrane 40 a été collée. Cette membrane 40 comprend une première couche de silicium 41 reposant sur le support 3, une couche d'oxyde 42 et une seconde couche de silicium 43.

Pour d'autres applications, si l'on désire un contact électrique entre les deux couches de la membrane, on peut utiliser une couche intermédiaire métallique, par exemple en palladium.

Le procédé selon la présente invention permet l'obtention d'une membrane comprenant une couche de GaAs et une couche de silicium à partir de substrats correspondants. A titre d'exemple, le substrat de GaAs est implanté avec une dose de 8.1016 Ht/cm2 à 200 keV et le substrat de silicium est implanté avec une dose de 10l7 H+/cm2 à 200 keV. Les deux substrats, après nettoyage, sont collés selon leurs faces implantées par adhésion moléculaire. La structure obtenue est recuite dans un four à 250°C pendant 30 minutes. Ce traitement thermique induit une fracture le long de la zone implantée dans le substrat de GaAs. A ce stade, on a obtenu le transfert d'une couche de GaAs sur un substrat de silicium implanté. Un recuit à 350°C pendant 1 heure de la structure obtenue provoque une fracture le long de la zone implantée dans le substrat de silicium. On obtient une membrane fine composée d'une couche mince de silicium et d'une couche mince de

GaAs, qui peut tre utilisée comme substrat de croissance pour former une couche d'un nouveau matériau.

Ce procédé permet aussi d'obtenir une membrane uniquement en GaAs à partir de deux substrats en GaAs. Grâce au procédé de l'invention, cette membrane peut tre reportée sur n'importe quel type de support, mme si celui-ci présente un état de surface incompatible avec le collage par adhésion moléculaire ou si les coefficients de dilatation thermique entre les différents matériaux de la structure sont tels que de fortes contraintes thermiques se manifestent si la structure ainsi formée est recuite. Ce procédé permet également de coller la membrane sur son support à l'aide d'une simple colle ou par soudure ou brasure.

Le procédé selon l'invention permet la réalisation d'une cellule photovoltaïque comportant deux matériaux (Si et Ge) ayant des spectres d'absorption complémentaires afin d'absorber une large part du spectre solaire avec des couches minces. Pour cela, un substrat de silicium est implanté avec une dose de 7.1016 H+/cm2 et une énergie de 200 keV en vue d'obtenir une couche mince de 1,8 um d'épaisseur. Un substrat de germanium est implanté avec une dose de 7. et une énergie de 200 keV en vue d'obtenir une couche mince de 1,6 um d'épaisseur. Si cela est nécessaire, les substrats de Si et de Ge ont été fortement dopés en surface pour réaliser une jonction tunnel dans la future membrane. Les substrats sont ensuite collés, par adhésion moléculaire, selon leurs faces implantées. Ce collage peut tre réalisé par l'intermédiaire d'une couche conductrice et/ou transparente, par exemple un film de Pd ou d'AlTi de 10 nm d'épaisseur.

Par recuit à 500°C pendant 30 minutes, on provoque une fracture dans le substrat de silicium pour obtenir la couche mince correspondante. La partie restante du substrat de silicium est retirée. Une épitaxie peut éventuellement tre réalisée sur la couche mince de silicium afin d'améliorer l'absorption photonique par le silicium. Cette épitaxie peut tre réalisée en phase liquide ou en phase gazeuse.

On réalise ensuite les éléments de la cellule côté silicium, à une température inférieure à 937°C et la structure est collée, côté silicium, sur un support en verre.

Ensuite, à l'aide de forces mécaniques, par exemple à l'aide de forces de traction, on détache la couche mince de germanium de son substrat pour obtenir une membrane. Un film métallique est alors déposé sur la couche mince de germanium pour former l'électrode face arrière de la cellule qui est encapsulée.

En réalisant des implantations d'hydrogène à plus forte énergie (par exemple à 400 keV), on obtiendrait des couches de silicium et de germanium plus épaisses, donc présentant une plus forte absorption photonique.

On voit par cet exemple l'intért de réaliser des membranes composées de deux matériaux avec des épaisseurs importantes et dans tous les cas supérieures aux épaisseurs obtenues avec une énergie d'implantation de 200 keV.