Kunststoffgehäuse und Halbleiterbauteil mit derartigem Kunst- stoffgehäuse sowie Verfahren zur Herstellung desselben

Die Erfindung betrifft ein Kunststoffgehäuse und ein Halbleiterbauteil mit derartigem Kunststoffgehäuse, sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das Kunststoffgehäuse weist Kunststoffaußenflachen auf. Auf einer Unterseite des Kunst- Stoffgehäuses sind Außenkontaktflächen angeordnet, auf denen Außenkontakte angebracht sind.

Derartige Kunststoffgehäuse haben den Nachteil, dass darin eingepackte Halbleiterstrukturen elektromagnetischen Störfei- dem ausgesetzt sind, da Kunststoffmaterialien nicht in der Lage sind, die empfindlichen Halbleiterstrukturen gegen derartige Störfelder abzuschirmen und somit nicht immer die EMV- Normen (elektro-magnetische Verträglichkeitsnormen) erfüllen.

Aus der Druckschrift WO 2004/004006 Al ist ein Kunststoffgehäuse bekannt, in dem Abschirmfolien angeordnet sind, die innerhalb einer Kunststoffgehäusemasse sowohl auf der aktiven Oberseite eines Halbleiterchips, als auch auf der passiven Rückseite des Halbleiterchips angeordnet sind, um die emp- findlichen integrierten Schaltungen des Halbleiterchips vor elektromagnetischen Streufeldern zu schützen. Die Anordnung von an den Halbleiterchip geometrisch angepassten Abschirmfo- lien innerhalb eines Kunststoffgehäuses erfordert eine aufwendige, kostenintensive Fertigungstechnik, die nicht immer zum erwünschten Abschirmschutz führt.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Kunststoffgehäuse anzugeben, das zuverlässig gegen elektromagnetische Störfelder

abschirmt und kostengünstig hergestellt werden kann. Ferner soll die Abschirmung ohne großen fertigungstechnischen Aufwand an unterschiedliche Kunststoffgehäusegeometrien anpass- bar sein.

Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.

Erfindungsgemäß wird ein Kunststoffgehäuse eines Halbleiterbauteils mit Kunststoffaußenflachen geschaffen, das auf einer Unterseite angeordnete Außenkontaktflächen mit Außenkontakten aufweist. Die übrigen Kunststoffaußenflachen sind von einer geschlossenen Metallschicht bedeckt, wobei die Grenzschicht zwischen Kunststoffaußenflächen und geschlossener Metallschicht freiliegende, elektrisch leitende Einlagerungen des Kunststoffs des Gehäuses aufweist.

Dieses Kunststoffgehäuse hat den Vorteil, dass es von einer geschlossenen Metallschicht bedeckt ist, die perfekt die in dem Kunststoffgehäuse eingebetteten, empfindlichen integrierten Schaltungen entsprechender Halbleiterchips vor elektromagnetischer Streustrahlung schützt. Dabei ist die Struktur, die Anordnung und die Anzahl der Kunststoffaußenflächen des Kunststoffgehäuses beliebig variierbar, da die geschlossene Metallschicht auf alle freiliegenden, elektrisch leitenden Einlagerungen eines Kunststoffgehäuses aufgebracht werden kann.

Ein weiterer Vorteil ist, dass das Metall der geschlossenen

Metallschicht frei wählbar ist, so dass für eine Abschirmung von magnetischen Feldern vorzugsweise Nickel-, Eisen- oder Kobalt-Metallschichten auf den freiliegenden, elektrisch lei-

tenden Einlagerungen der Grenzschicht abgeschieden werden können. Für eine Abschirmung gegenüber elektromagnetischen Wellen sind insbesondere gut leitende Metalle, wie Kupfer für die geschlossene Metallschicht einsetzbar. In diesem Fall ist es von Vorteil, die geschlossene Metallschicht an ein Massepotential anzuschließen, um eine sichere Abschirmung gegenüber elektromagnetischen Störquellen zu erreichen.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die freiliegenden, elektrisch leitenden Einlagerungen der Grenzschicht von einer wenige Nanometer dicken ersten Metalllage bedeckt. In einer derartigen wenige Nanometer dicken Metalllage wird der Übergang von den isoliert angeordneten freiliegenden, elektrisch leitfähigen Einlagerungen des Kunststoffes des Gehäuses zu einer geschlossenen, abdeckenden, festen Metalllage geschaffen, die für ein Abscheiden einer weit dickeren metallischen Abschirmschicht in vorteilhafter Weise eingesetzt werden kann. Diese erste, wenige Nanometer dicke Metalllage kann mittels eines Sputter-Verfahrens aufgebracht werden.

Weiterhin ist es vorgesehen, dass die erste Metalllage von einer einige Mikrometer dicken zweiten Metalllage bedeckt ist. Diese zweite Metalllage kann mittels chemischer oder galvanischer Abscheidung auf die erste Metalllage aufgebracht werden. Diese Abscheideverfahren haben gegenüber einer Plas- maabscheidung oder einer Sputter-Abscheidung den Vorteil, dass sie die erste Metalllage richtungsunabhängig, d.h. i- sotrop verstärken können.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die freiliegenden, elektrisch leitenden Einlagerungen in der Grenzschicht Spaltprodukte von Metallkomplexen. Derartige Me-

tallkomplexe können von metallorganischen Verbindungen oder von anorganischen metallhaltigen Komplexen gebildet sein. Bei den anorganischen metallhaltigen Komplexen handelt es sich vorzugsweise um Komplexsalze, während bei metallorganischen Verbindungen der organische Rest vorzugsweise ein Monomer einer organischen Verbindung aufweist.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die freiliegenden, elektrisch leitenden Einlagerungen der Grenzschicht metallische Nanopartikel auf. Vorzugweise können diese Nanopartikel auch aus Kohlenstoff aufgebaut sein, und in Form von Fullerenen vorliegen.

Ein weiterer Aspekt der Erfindung bezieht sich auf Halblei- terbauteile, die ein Kunststoffgehäuse, gemäß der obigen Ausführung aufweisen. Ein derartiges Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse weist auf seiner Unterseite ein Verdrahtungssubstrat auf, das in seinem Randbereich mindestens eine großflächige Außenkontaktflache aufweist, die mit der Ober- seite des Verdrahtungssubstrats und mit der die Kunststoffge- häusemasse bedeckenden, geschlossenen Metallschicht elektrisch verbunden ist. Eine derartige großflächige Außenkon- taktfläche auf der Unterseite des Verdrahtungssubstrats kann mit einem dort angeordneten Außenkontakt in Verbindung ste- hen, der seinerseits mit einem Massepotential verbunden ist. Somit ist bei dieser bevorzugten Ausführungsform der Erfindung die geschlossene Metallschicht auf den Oberseiten des Kunststoffgehäuses mit einem Massepotential zur Abschirmung der innerhalb der Kunststoffgehäusemasse eingebetteten, emp- findlichen integrierten Schaltungen mit einem Massepotential elektrisch verbunden.

Entsprechend den oben beschriebenen Ausführungsformen des Kunststoffgehäuses, weist auch das Halbleiterbauteil in seiner Kunststoffgehäusemasse metallorganische Verbindungen auf, deren metallische Bestandteile in der Grenzschicht freiliegen und von einer geschlossenen Metalllage bedeckt sind. Wie oben beschrieben, können diese freiliegenden, von einer geschlossenen Metalllage bedeckten metallischen Bestandteile elektrisch leitende Kohlenstoff-Nanopartikel, vorzugsweise Fulle- rene aufweisen, die der Kunststoffgehäusemasse vor ihrer Ver- arbeitung zugemischt wurden.

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit einem Kunststoffgehäuse mit Kunststoffaußenflachen, das auf einer Unterseite angeordnete Außenkontaktflachen mit Außen- kontakten aufweist, ist durch die nachfolgenden Verfahrensschritte gekennzeichnet. Zunächst wird ein Polymer einer Kunststoffgehäusemasse mit einem Einlagerungsmaterial, das bei Bestrahlung elektrisch leitende Einlagerungen freisetzt, gemischt. Anschließend wird aus dieser Kunststoffgehäusemasse das Gehäuse des Halbleiterbauteils geformt. Danach werden die elektrisch leitenden Einlagerungen unter Bilden einer Grenzschicht aus isoliert angeordneten, leitfähigen Positionen auf den Kunststoffaußenflächen des Kunststoffgehäuses unter Bestrahlung freigesetzt. Schließlich werden die freisetzten, elektrisch leitenden Einlagerungen zu einer geschlossenen, ersten Metalllage von wenigen Nanometern Dicke verstärkt. Danach kann galvanisch oder chemisch ein Abscheiden einer einige Mikrometer dicken geschlossenen zweiten Metalllage auf der ersten Metalllage erfolgen.

Mit diesem Verfahren wird in vorteilhafter Weise eine geschlossene metallische Schicht auf den KunststoffOberseiten des Kunststoffgehäuses geschaffen, die als Abschirmschicht

für die empfindlichen integrierten Schaltungen der in die Kunststoffgehäusemasse eingebetteten Halbleiterchips dienen kann. Darüber hinaus kann die Unterseite des Halbleiterbauteils derart gestaltet werden, dass ein Verdrahtungssubstrat eine großflächige Metallkaschierung aufweist, bei der lediglich die erforderlichen Außenkontaktflächen isoliert voneinander angeordnet sind, so dass auf diesen Außenkontaktflachen entsprechende Außenkontakte fixiert werden können. Die großflächige Metallkaschierung des VerdrahtungsSubstrats auf der Unterseite des Halbleiterbauteils kann dann ebenfalls an das vorgesehene Massepotential für die Abschirmung angeschlossen werden .

Somit ist das Halbleiterbauteil ΛTOII einer geschlossenen Ab- schirmung gegenüber elektromagnetischen Streufeldern geschützt. Bei der Durchführung des Verfahrens wird dem Kunststoff als Einlagerungsmaterial vorzugsweise eine metallorganische Verbindung zugemischt. Derartige metallorganische Verbindungen weisen Metallionen auf, die bei entsprechend ener- giereicher Bestrahlung freigesetzt werden können. Andererseits können dem Kunststoff als Einlagerungsmaterial elektrisch leitende Nanopartikel , vorzugsweise Fullerene, zugemischt werden. Der Vorteil dieser kohlenstoffhaltigen Nanopartikel ist, dass sie sich, ohne Kurzschlüsse zu bilden, i- soliert in den Kunststoff des Kunststoffgehäusematerials einbauen lassen.

Zur Freisetzung von elektrisch leitenden Einlagerungen in einer Grenzschicht werden die Kunststoffaußenflächen des Kunst- stoffgehäuses mit Photonen, Ionen und/oder Elektronen bestrahlt. Bei der Photonenbestrahlung wird vorzugsweise eine Laserbestrahlung oder eine Röntgenbestrahlung durchgeführt.

Das Verstärken der freigesetzten, elektrisch leitenden Einlagerungen zu einer wenige Nanometer dicken unteren geschlossenen Metalllage erfolgt vorzugsweise mittels Sputter-Technik und/oder Plasmaabscheidung an den freigesetzten elektrisch leitenden Einlagerungen. Dabei können diese Verfahren großflächig angewandt werden, um sämtliche Oberseiten der Kunst- stoffgehäusemasse mit einer wenige Nanometer dicken unteren geschlossenen Metalllage zu bedecken.

Wie bereits oben erwähnt, wird bei dem Verfahren zur Herstellung einer geschlossenen metallischen Schicht an den Außenoberflächen eines Kunststoffgehäuses das Verstärken der unteren Metalllage zu einer wenige Mikrometer dicken oberen geschlossenen Metalllage mittels Aufdampftechnik und/oder mit- tels stromloser oder galvanischer Abscheidung durchgeführt. Während die Aufdampftechnik eine gerichtete Aufdampfung und damit eine gerichtete anisotrope Verstärkung der Metallschicht liefert, haben die stromlosen oder galvanischen Abscheidungen den Vorteil, dass sie isotrop erfolgen und damit gleichmäßig die Kunststoffaußenseiten des Kunststoffgehäuses beschichten können.

Zusammenfassend ist festzustellen, dass mit der geschlossenen Metallbeschichtung der Kunststoffgehäusemasse das Problem der EMV (elektro-magnetischen Verträglichkeit) mittels Abschirmung für sensitive Halbleiterprodukte, insbesondere für Hoch- frequenzbauteile, gelöst wird. Dazu wird dem Umhüllmaterial eine metallorganische Verbindung oder ein anorganischer metallhaltiger Komplex zugemischt. Diese Komplexe bzw. diese Verbindungen sind so stabil, dass sie nur beim Aussetzen e- nergiereicher abtragender Bestrahlung durch Laserstrahlen, UV-Strahlen, Röntgenstrahlen oder Ionenstrahlen in einen metallischen und einen organischen bzw. anorganischen Bestand-

teil gespalten werden. Diese durch den Energieeintrag erzeugten metallischen Partikel dienen schließlich als Kondensati- onskeime für eine nachfolgende galvanische oder stromlose Abscheidung einer geschlossenen metallischen Schicht auf der Außenseite des Kunststoffgehäuses . Als Metalle für die Kom- plexierung kommen prinzipiell alle Metalle in Betracht, die stabile, bei intensiver Bestrahlung aber spaltbare Komplexe bzw. Verbindungen bilden. Vorzugsweise werden für die Komple- xierung Kupfer, Nickel, Palladium, Kobalt, Magnesium, Platin, Iridium oder Silber eingesetzt.

Zusammenfassend ergeben sich somit folgende Vorteile:

1. Ein Batchprozess ist möglich. 2. Das komplexe Material kann direkt vor der Verarbeitung der Kunststoffgehäusemasse zugesetzt werden.

3. Eine verbesserte Haftung der Metallschicht auf dem

KunstStoffUntergrund wird erreicht, da die Metallpartikel in die Kunststoffgehäusemasse eingebunden sind. 4. Die geschlossene Metalllage kann zusätzlich mit einer

Potentialanbindung, beispielsweise an Masse, versehen werden.

Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.

Figur 1 zeigt einen Ausschnitt einer Strukturformel einer metallorganischen Verbindungen;

Figur 2 zeigt eine Prinzipskizze einer Kunststoffgehäusemasse mit Einlagerungsmaterial unter Bestrahlung;

Figur 3 zeigt eine Prinzipskizze der Kunststoffgehäu- semasse, gemäß Figur 2, nach Freilegen von elektrisch leitenden Einlagerungen als leitfähige Positionen auf einer Kunststoffaußen- fläche,-

Figur 4 zeigt eine Prinzipskizze der Kunststoffgehäu- semasse, gemäß Figur 3, nach einem Verstärken der elektrisch leitfähigen Positionen zu ei- ner ersten Metalllage;

Figur 5 zeigt eine Prinzipskizze der Kunststoffgehäu- semasse, gemäß. Figur 4, nach Abscheiden einer zweiten Metalllage auf den freigelegten, e- lektrisch leitenden Einlagerungen;

Figur 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil, gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung, mit einem Kunststoffgehäuse, das von einer geschlossenen Metallschicht bedeckt ist;

Figuren 7 - 10 zeigen schematische Querschnitte durch Komponenten eines Halbleiterbauteils, im Zuge der Herstellung eines Halbleiterbauteils, einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;

Figur 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein VerdrahtungsSubstrat mit aufgebrachter Kunststoffgehäusemasse;

Figur 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Komponenten, gemäß Figur 7, beim Bestrah-

len der Oberseiten der Kunststoffgehäusemasse;

Figur 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Komponenten, gemäß Figur 8, nach Aufbringen einer ersten Metalllage;

Figur 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Komponenten, gemäß Figur 9, nach Aufbrin- gen einer zweiten Metalllage.

Figur 1 zeigt einen Ausschnitt einer Strukturformel einer metallorganischen Verbindung 15, wobei das Metallion mit Me gekennzeichnet ist. Als Metalle Me kommen für die vorliegende Erfindung, die Metalle Kupfer, Nickel, Palladium, Kobalt,

Magnesium, Platin, Iridium und/oder Silber in Betracht. Generell können solche Metalle Me eingesetzt werden, die stabile, bei intensiver Bestrahlung aber spaltbare Metallkomplexe 14 bzw. Verbindungen eingehen. Durch Bestrahlung werden dann die Metallionen als Metalle Me freigesetzt. Anstelle von den in Figur 1 gezeigten metallorganischen Verbindungen 15 können als Einlagerungsmaterial in eine Kunststoffgehäusemasse zur Bildung von isolierten elektrisch leitfähigen Positionen auch metallische Partikel und/oder Kohlenstoffnanopartikel, wie Fullerene und/oder kohlenstoffbeschichtete Nanoröhren eingesetzt werden.

Figur 2 zeigt eine Prinzipskizze einer Kunststoffgehäusemasse mit Einlagerungsmaterial 25 unter Einwirkung einer Bestrah- lung 23. Die symbolisch eingebrachten kreisförmig dargestellten Einlagerungen 9 stellen nicht die wahre Struktur der eingelagerten elektrisch leitenden Partikel dar, sondern Figur 2 verdeutlicht lediglich, dass die Einlagerungen 9 isoliert

voneinander in der Kunststoffgehäusemasse 21 verteilt angeordnet sind. Diese Kunststoffgehäusemasse 21 bildet den Kunststoff 10 des Gehäuses. Die Bestrahlung 23 kann einerseits eine Photonenbestrahlung sein, die beispielsweise Me- talle aus einer metallorganischen Verbindung abspalten kann. Andererseits kann die Bestrahlung 23 auch bewirken, dass die Kunststoffgehäusemasse 21 so weit von der Kunststoffaußenfläche 3 abgetragen wird, bis leitfähige Positionen auf der Kunststoffaußenflache 3 freigelegt sind.

Figur 3 zeigt eine Prinzipskizze der Kunststoffgehäusemasse 21, gemäß Figur 2, nach Freilegen von elektrisch leitenden Einlagerungen 9 als leitfähige Positionen 24 auf einer Kunststoffaußenflache 3. Durch dieses Freilegen von leitfähigen Positionen 24 werden auf der Kunststoffaußenfläche 3 Verankerungen für eine Metallschicht vorgegeben, die anschließend durch Verstärken und Vergrößern der leitfähigen Positionen 24 in eine erste, wenige Nanometer dicke Metalllage überführt werden können .

Figur 4 zeigt eine Prinzipskizze der Kunststoffgehäusemasse 21, gemäß Figur 3, nach einem Verstärken der elektrisch leitfähigen Positionen 24. Dieses Verstärken der elektrisch leitfähigen Positionen 24 zu einer dünnen, nahezu geschlossenen, ersten Metalllage 12, bzw. zu einer unteren Metalllage, kann durch Sputtern und/oder durch Plasmaabscheidung von Metallen auf den Kunststoffaußenflachen 3, soweit sie freigelegte, e- lektrisch leitfähige Positionen 24 aufweisen, erfolgen. Nachdem die elektrisch leitfähigen Positionen 24 derart verstärkt wurden, dass sie eine geschlossene, wenige Nanometer dicke, leitfähige, erste Metalllage 12 bilden, kann diese Metalllage 12 weiter zu einer mehrere Mikrometer dicken zweiten Metalllage verstärkt werden.

Figur 5 zeigt eine Prinzipskizze der Kunststoffgehäusexnasse 21, gemäß Figur 4, nach Abscheiden einer zweiten Metalllage 13 auf der ersten Metalllage 12. In den Figuren 1 bis 5 wird lediglich ein Ausschnitt der Kunststoffgehäusemasse 21 gezeigt, auf der eine geschlossene Metallschicht 7 abgeschieden ist. Die nachfolgenden Figuren zeigen demgegenüber die Herstellung von entsprechenden Halbleiterbauteilen.

Figur 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 2, gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung, mit einem Kunststoffgehäuse 1, das von einer geschlossenen Metallschicht 7 bedeckt ist. Die Metallschicht 7 schirmt die nicht gezeigten empfindlichen integrierten Schal- tungen der Halbleiterchips, die in der Kunststoffgehäusemasse 21 dieses Kunststoffgehäuses 1 eingebettet sind, gegen elektromagnetische Störfelder ab. Die derart geschützten Halbleiterbauteile 2 erfüllen die EMV-Normen, d.h. sie besitzen eine elektromagnetische, genormte Verträglichkeit. Die Kunststoff- gehäusemasse 21 ist auf einem VerdrahtungsSubstrat 17 angeordnet, und weist Metallkomplexe 14 auf, die in einer Grenzschicht 8 auf den Kunststoffaußenflächen 3 durch Bestrahlung zu elektrisch leitenden Einlagerungen 9 freigesetzt sind.

Diese elektrisch leitenden Einlagerungen 9 bilden in der

Grenzschicht 8 Keime für eine wenige Nanometer dicke, erste Metalllage 12, auf der eine einige Mikrometer dicke Metalllage 13 angeordnet ist. Diese zweite, wenige Nanometer dicke Metalllage 13 kann beliebige Metalle aufweisen, jedoch werden derartige Metalle bevorzugt eingesetzt, welche die Abschirmwirkung erhöhen. Um magnetische Störfelder abzuschirmen, werden vorzugsweise ferromagnetische Metalle wie Eisen, Nickel oder Kobalt eingesetzt. Für die Abschirmung von elektromagne-

tischen Störfeldern werden gut leitende Metalle für die einige Mikrometer dicke Metalllage 13 verwendet. Auf der Oberseite 16 des Gehäuses können in die Abschirmschicht aus einer geschlossenen Metallschicht 7 jederzeit der Typ des Halblei- terbauteils 2 oder andere Firmenmerkmale eingeprägt werden. In dieser ersten Ausführungsform der Erfindung ragen die Randbereiche 18 des Verdrahtungssubstrats 17 geringfügig über die flächige Erstreckung des Kunststoffs 10 des Kunststoffgehäuses 1 hinaus.

Auf der Unterseite 4 des Kunststoffgehäuses 1, die von der Unterseite 22 des VerdrahtungsSubstrats 17 gebildet wird, sind Außenkontaktflachen 5 angeordnet, welche die Außenkontakte 6 tragen. Dabei ist die flächige Erstreckung der Außen- kontaktflächen 5 größer als der Berührungsbereich mit den Außenkontakten 6, um das Halbleiterbauteil 2 vor elektromagnetischen Störungen von der Unterseite 4 des Halbleiterbauteils 2 ebenfalls zu schützen. Lediglich kurze Bereiche einer Isolationslage 26 umgeben die Außenkontaktflachen 5, um die ein- zelnen Außenkontaktbereiche elektrisch voneinander zu trennen.

Um dennoch die Außenkontakte 6, welche hier aus Lotbällen bestehen, daran zu hindern, dass sich ihr Lotmaterial auf den großflächigen Außenkontaktflachen 5 verteilt, weist die Unterseite 22 des Verdrahtungssubstrats 17 eine Lötstopplack- schicht 27 auf, welche die Berührungsfläche der Außenkontakte 6 begrenzt. Figur 6 zeigt auch, dass mindestens über einen der Außenkontakte 6 ein Massepotential 11 an die geschlossene Metallschicht 7 auf den Kunststoffaußenflachen 3 des Halbleiterbauteils 2 angeschlossen ist.

Die Figuren 7 bis 10 zeigen schematische Querschnitte durch Komponenten bei der Herstellung eines Halbleiterbauteils 30 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.

Figur 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Verdrahtungssubstrat 17 mit aufgebrachter Kunststoffgehäusemasse 21. Die Randbereiche 18 des VerdrahtungsSubstrats 17 sind breiter ausgeführt, als bei der ersten Ausführungsform der Erfindung gemäß Figur 6 und weisen eine zusätzliche Kontaktanschlussfläche 28 auf der Oberseite 20 des VerdrahtungsSubstrats 17 auf. Diese Kontaktanschlussfläche 28 ist vorgese- hen, um die im folgenden herzustellende, geschlossene Metallschicht sicher auf ein Massepotential zu legen. Die Kunst- stoffgehäusemasse 21, die auch den Randbereich 18 das VerdrahtungsSubstrats 17 bedeckt, weist einen Kunststoff 10 auf, in dem Metallkomplexe 14 gleichmäßig verteilt und isoliert voneinander angeordnet sind.

Figur 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Komponenten, gemäß Figur 7, beim Bestrahlen der Kunststoffaußen- flachen 3. Die Bestrahlung 23 kann eine Laserbestrahlung, ei- ne UV-Bestrahlung, eine Ionenbestrahlung und/oder eine Röntgenbestrahlung sein. Die Art der Bestrahlung 23 hängt von der Art der Metallkomplexe 14 in dem Kunststoff 10 der Kunst- stoffgehäusemasse 21 ab. Die Bestrahlung soll einerseits den Kunststoff 10 der Kunststoffgehausemasse 21 oberflächlich ab- tragen und andererseits so viel Energie in die Metallkomplexe

14 abgeben, dass die Metalle bzw. die leitenden Einlagerungen 9 in den Metallkomplexen 14 an der Oberfläche der Kunststoffgehäusemasse 21 freigegeben werden. Dabei entsteht die in Fi-

gur 8 gezeigte Anordnung von einzelnen, voneinander isolierten, freigesetzten, metallhaltigen Einlagerungen 9, die als leitfähige Positionen 24 die Kunststoffaußenflächen 3 bedecken.

Figur 9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Komponenten, gemäß Figur 8, nach Aufbringen einer ersten Metalllage 12. Diese erste Metalllage 12 verbindet die isoliert in der Grenzschicht 8 angeordneten leitfähigen Positionen 24 miteinander und kann mittels Sputtertechnik oder einem Plasmaverfahren auf die Kunststoffaußenflächen 3 aufgebracht werden. Aufgrund der freigelegten, elektrisch leitfähigen Einlagerungen 9 in der Grenzschicht 8 haftet diese wenige Nanome- ter dicke, geschlossene, erste Metalllage 12 auf der Kunst- Stoffgehäusemasse 21.

Figur 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Komponenten, gemäß Figur 9, nach Aufbringen einer zweiten, mehrere Mikrometern dicken Metalllage 13. Dabei wird gleich- zeitig die dicke Metalllage 13 zumindest über den Randbereich 18, auf dem sich die Kontaktanschlussfläche 28 befindet, geführt, so dass nun die mehrere Mikrometer dicke Metalllage 13 mit der Kontaktanschlussfläche 28 elektrisch in Verbindung steht. Die Kontaktanschlussfläche 28 steht ihrerseits über einen Durchkontakt und über eine großflächige Außenkontakt- fläche 19 und mit einem auf Massepotential 11 liegenden Außenkontakt 6 in Verbindung, so dass auch die mehrere Mikrometer dicke Abschirmschicht nun auf Massepotential 11 liegt.