Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten mit einer durch elektromagnetische Strahlung, vorzugsweise UV-Strahlung, vernetzbaren Beschichtung gemäss Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Die Erfindung betrifft auch eine dazu geeignete Vorrichtung gemäss Oberbegriff des Patentanspruchs 13.

Die Leiterplatte hat die Funktion, die leitende Verbindung zu den Bauelementen herzustellen. Mit der fortschreitenden Miniaturisierung wird die Zahlen der Anschlüsse immer grösser, sodass die Leiterplattentechnologie nicht nur die Mehrebenenschaltung hervorgebracht hat sondern die Leiterzüge immer schmaler, die Bohrlochdurchmesser immer kleiner und die Anzahl von Leiterzügen zwischen zwei Bohrungen immer grösser werden.

Mit der Entwicklung der oberflächenmontierten Bauteile (surface mounted devices) konnte eine weitere Reduzierung der erforderlichen Fläche erreicht werden. Dies führte zu Leiterbreiten von kleiner 100 μm, zu Bohrlochdurchmessern von 0.3-0.2 mm und zu Lötaugendurchmessern von nur noch bis zu 0.4 mm bei bis zu sieben Leiterzügen zwischen einem Bohlochraster von 2.54 mm. Gleichzeitig müssen immer mehr Anschlüsse pro integrierter Schaltung realisiert werden, was zu Rastern der Anschlusspads von 0.3-0.4 mm führt. Die aus der immer höheren Integrationsdichte resultierenden Probleme sind sehr komplex und erfordern eine umfassende Lösung. Sie beginnen zunächst bei der Leiterbilderzeugung.

Zur Herstellung eines Leiterbildes wird das gebohrte kupferkaschierte Basismaterial mit einem Positiv- oder Negativresist beschichtet. Während dies früher siebdruckfähige Aetz- oder Galvanoresiste waren, so werden heute überwiegend Fotoresiste eingesetzt. Hierbei handelt es sich um Fest- bzw. Flüssigrcsiste. Diese werden entweder auf die Oberfläche

auflaminiert (Festresiste) oder mit einer Giessmaschine bzw. mit Walzen aufgetragen (Hüssigresiste). Das Leiterbild wird nach dem Auflegen einer Maske beispielsweise durch Belichtung mit UV-Licht unter Polymerisation des Resistes fixiert und freientwickelt. Dies führt zu dem sogenannten Patternplating-Prozess. Beim Patternplating wird zunächst eine Maske aufgelegt und werden nur die leiterfreien Bereiche belichtet und entwickelt. Danach werden die Leiterzüge galvanisch aufgebaut und die gebohrten Kontaktierlöcher verkupfert. Nach der galvanischen Abscheidung der Leiter werden diese beispielsweise mit einer Zinnauflage versehen, der Galvanoresist wird enfernt und das Leiterbild geätzt. Da die Aetzgeschwindigkeit in allen Richtungen gleich ist, entspricht die Unterätzung etwa der Dicke der verwendeten Kupferfolie. Die im Ätzschritt des Pattemplating-Prozesses auftretende Unterätzung stellt die Grenze für die grosstechnische Anwendung dieses Verfahrens dar. Ausserdem ist bedingt durch die Bad- bzw. Leiterplattengeometrie die Herstellung von Leitern gleicher Höhe oft nicht möglich.

Für die Feinstleitertechnologie wurde daher das sogenannte Panelplatingverfahren entwickelt Hierbei geht man von dem gebohrten, kupferkaschierten Basismaterial aus und verkupfert zuerst galvanisch die Leiterplattenfläche und die gebohrten Löcher, um eine gleichmässige Dicke der Kupferschicht zu erreichen. Anschliessend wird ein Trockenfilmresist auflaminiert, mit einer Maske belichtet und entwickelt.

Bei Feinstleitern kommt es jedoch häufig zu Einschnürungen, weil der Liniendruck der Laminierwalze Unebenheiten des Basismaterials nicht ausgleichen kann, sodass die Haftung des Trockenfilmresistes nicht überall gleich gross ist. Besonders wichtig ist es, dass auch die bereits verkupferten Bohrlöcher vor dem Aetzangriff geschützt werden. Dies geschieht durch das Ueberdecken der Bohrungen mit Resist, dem sogenannten "Tenten".

Die weitere Miniaturisierung und die Technologie der oberflächenmontierten Bauelemente führte zu sogenannten restringfreien Durchsteigerbohrungen. Hier kann die Technologie der Trockenfilmlaminierung nicht angewandt werden, da der Resistfilm ohne die sogenannten Restrings nicht mehr auf der Leiterplattenoberfläche befestigt werden kann. Um jedoch auch restringfreie Bohrungen mit Resist bedecken zu können und sie derart vor dem Ätzangriff zu schützen, wurde die sogenannte Elektrotauchlackierung gefunden, welche aus einem Lackierbad einen 5-15 μm dicken Resistfilm in Loch und auf der Leiterplattenoberfläche abscheidet. Dieses Verfahren ist jedoch sehr kostenintensiv und kann auf Grund der geringen Schichtdicke nur zusammen mit dem Panelplatingverfahren eingesetzt werden.

In der WO 93/14444 wird ein Heissbeschichtungsverfahren vorgeschlagen, dass in der Anwendung eines bei Raumtemperatur hochviskosen, schmelzbaren Fotoresists beruht, der nach der Verflüssigung im Vorhanggiess verfahren auf gekühlte Leiteiplatten aufgetragen wird. Der auf die gekühlten Leiterplatten auftreffende Fotoschmelzresist wird an den Bohrlochwandungen gekühlt, sodass er nicht in diese hineinlaufen kann und eine an der Lochwandung abgestützte Lochüberdeckung ausbildet. Während die Kühlung der Leiterplatten bei noch unstrukturierten Leiterplatten zu guten Ergebnissen führt, kann sie jedoch bei gekühlten Leiterplatten nicht angewendet werden. In diesem Fall wirken die Leiterzüge als Kühlrippen. Der auf die Leiterfläche auftreffende Fotoschmelzresist kühlt schlagartig ab, wobei die Luft zwischen den Leiterzügen eingeschlossen werden kann.

Es sind auch Verfahren bekannt, bei denen ein Beschichtungsmittel mit Hilfe von Stahlwalzεn auf die Leiterplatten aufgebracht wird. Besonders wirtschaftlich ist die gleichzeitige doppelseitige Beschichtung der Leiterplatten in einer Walzenbeschichtungsanlage, die über zwei beheizte Auftragswalzen verfügt. Ueblicherweise werden hierzu Lacksysteme eingesetzt, die einen hohen Lösungsmittelan¬ teil haben und eine niedrige Viskosität. Die Oberflächenspannung muss gering sein, damit der Lack gut verlaufen kann und keine Streifen ausbildet. Dieses beidseitige Beschichtungsverfahren setzt möglichst ebene Oberflächen der Leiteiplatten voraus. Bei der Beschichtung von bereits mit Leiterzügen versehenen Leiterplatten kann es zu Abquetschungen über den Leitern kommen, so dass eine sichere Abdeckung nicht gewähr¬ leistet ist. Ausserdem werden oft die Hohlräume, die durch Unterätzung unter den Leiterflanken vorhanden sind, nicht mit Lack gefüllt, was zu Fehlstellen nach dem Löten führt und das Eindringen von Feuchtigkeit ermöglicht.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Beschichtungsverfahren zu schaffen, welches die Erzeugung von luftblasenfreien Beschichtungen erlaubt. Insbesondere soll das Verfahren die gleichzeitige beidseitige Beschichtung von Leiterplatten erlauben. Es soll auch möglich sein, Leiterplatten mit relativ hohen Leiterzügen zu beschichten und dabei gleichzeitig vorhandene Durchkontaktierungsbohrungen zuverlässig zu überdecken. Unterätzungen an Leiterflanken sollen vollständig mit Lack ausgefüllt werden. Die Oberfläche der Beschichtung soll nach dem Trocknen weitgehend klebfrei sein und eine Belichtung im Kontaktbelichtungsverfahren ermöglichen. Es soll auch eine Vorrichtung bereitgestellt werden, welche die Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens erlaubt

Die Lösung all dieser und noch weiterer damit in Verbindung stehender Aufgaben erfolgt duch ein Verfahren und durch eine Vorrichtung gemäss den unabhängigen Patent¬ ansprüchen 1 bzw. 13. Besonders bevorzugte Varianten des erfindungsgemässen Verfahrens bzw. zugehörigen erfindungsgemässen Vorrichtung sind jeweils Gegenstand der entsprechenden abhängigen Verfahrens- bzw. Vorrichtungsansprüche. Insbesondere wird durch die Erfindung ein Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten mit einem durch elektromagnetische Strahlung, vorzugsweise UV-Strahlung, vernetzbaren Beschichtungsmittel im Walzenbeschichtungsverfahren geschaffen, welches sich durch die folgenden Verfahrensschritte auszeichnet:

- ein fotopolymerisierbares, bei Raumtemperatur hochviskoses bis festes, schmelzbares, niedermolekulares Beschichtungsmittel mit einem mittleren Molekulargewicht von vorzugsweise 500-1500 wird aufgeschmolzen und der Auftragwalze einer Walzenbeschichtungsanlage zugeführt

- das Beschichtungsmittel wird mit einer Temperatur von etwa 60°C-110°C und einer Viskosität von etwa IOOO-20'OOO mPas in einer Dicke von etwa 10-200 μm auf die Leiterplattenoberfläche(n) aufgetragen, wobei

- die zu beschichtenden Oberfläche der Leiterplatte vor der Beschichtung auf eine Temperatur von etwa 10°C-50°C oberhalb der Auftragtemperatur des Beschichtungsmittels vorgeheizt wird.

Das schmelzbare Beschichtungsmittel wird mit einer hohen Viskosität von 1000 bis 20O00 mPas unter hohem Anpressdruck vorzugsweise beidseitig mit beheizten gummierten Auftragswalzen mit einer Temperatur von 60°C bis 110°C auf beheizte Leiterplatten aufgetragen, die eine Temperatur von 10 bis 50°C über der Auftragswalzentemperatur haben. Diese hohe Viskosität auf der Auftragswalze verhindert ein Abquetschen über den Leitern. Der vorzugsweise beidseitig aufgebrachte hohe Liniendruck sorgt zusammen mit der auf der Leiterplatte abfallenden Viskosität des Beschichtungsmittels für eine vollständige Ausfüllung aller Hohlräume unter den Leitern. Das Beschichtungsmittel wird auf der heisseren Leiterplattenoberfläche noch weiter verflüssigt und fliesst zu den Leiterkanten und deckt diese optimal ab.

Durch das erfindungsgemässe Beschichtungsverfahren der Leiterplatten in einer Walzenbeschichtungsanlage mit einem schmelzbaren Beschichtungsmittel werden die bisherigen Probleme wie Abquetschungen des Beschichtungsmittels über den Leitern sowie Lufteinschlüsse und Hohlräume unter den Leitern beseitigt. Im Gegensatz zu dem in der WO 93/14444 beschriebenen Vorhanggiessverfahren auf gekühlte Leiterplatten können auch strukturierte Leiterplatten mit Leiterzügen zuverlässig in hoher Qualität

beschichtet werden.

Die erfindungsgemässe Vorrichtung zum Beschichten von Leiterplatten mit einem durch elektromagnetische Strahlung, vorzugsweise UV-Strahlung, vernetzbaren Beschichtungsmittel ist eine Walzenbeschichtungsanlage mit wenigstens einer Auftragswalze und Einrichtungen zum Aufbringen des Beschichtungsmittels auf die Auftragswalze. Sie umfasst einen beheizbaren und temperierbaren Schmelztopf für ein fotopolymerisierbares, bei Raumtemperatur hochviskoses bis festes, schmelzbares, niedermolekulares Beschichtungsmittel mit einem mittleren Molekulargewicht von vorzugsweise 500-1500, von dem das aufgeschmolzene Beschichtungsmittel zur Auftragswalze sowie eine Vorwärmeinrichtung für die zu beschichtenden Oberfläche der Leiterplatten, in der die Leiterplattenoberfläche vor der Beschichtung auf eine Temperatur von etwa 10°C-50°C oberhalb der Auftragtemperatur des Beschichtungsmittels vorgeheizt wird, wobei die Temperatur der Leiterplattenoberfläche eine Temperatur von 70°C-160°C nicht überschreitet.

Durch die Verwendung einer gummierten Auftragswalze können die Unebenheiten von strukturierten Leiterplatten mit Leiterzügen noch besser ausgeglichen werden. Der Schmelzresist ist weitgehend lösungsmittelfrei und verfestigt bei Raumtemperatur im wesentlichen. Eine Aufheizvomchtung vor der Walzenbeschichtungsanlage sorgt dafür, dass die Temperatur der Leiterplatte grösser ist als die Auftragstemperatur des Beschichtungsmittels, jedoch 160°C nicht überschreitet. Dadurch ist sichergestellt, dass das Beschichtungsmittel erst auf der Leiterplatte höheren Temperaturen ausgesetzt ist, dort seine Viskosität verringert, sodass es in die kleinsten Zwischenräume fliessen kann und alle Bereiche gut abdecken kann. Andererseits ist die Leiterplattentemperatur nicht so hoch, dass Bindungen des Beschichtungsmittels degradieren können. Die Auftragviskosität des Beschichtungsmittels ist jedoch so hoch, dass Durchkontaktierbohrungen zuverlässig abgedeckt werden.

Im folgenden wird die Erfindung mit den ihr als wesentlich zugehörigen Einzelheiten unter Bezugnahme auf die einzige Figur, die eine schematische Darstellung einer erfindungsgemässen Walzenbeschichtungsanlage ist, näher erläutert.

Die Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens erfolgt mit einer Walzen¬ beschichtungsanlage. Je nach der gewünschten Beschichtungsart, einseitig oder beidseitig, kann es sich dabei um eine einzelne Walzenbeschichtungsanlage für einseitige

Beschichtung handeln, oder es können zwei einseitige Walzenbeschichtungsanlagen hintereinandergeschaltet werden. Im letzteren Fall ist dann zwischen den Anlagen eine Wendestation angeordnet. Vorzugsweise wird für die beidseitige Beschichtung von Leiterplatten jedoch eine doppelseitige Walzenbeschichtungsanlage 10 eingesetzt, wie sie beispielsweise in der einzigen Figur dargestellt ist. Bei der dargestellten Anlage handelt es sich insbesondere um eine doppelseitige Walzenbeschichtungsanlage 10, welche für die gleichzeitige beidseitige Beschichtung der Leiterplatten ausgerüstet ist und über zwei beheizbare Auftragwalzen 1,3 verfügen. Die Auftragfläche der Auftragwalzen 1,3 ist vorzugsweise gummiert. Die Flexibilität der Gummierung ist dabei derart gewählt, dass Unebenheiten der Leiterplattenoberfläche, wie sie beispielsweise durch unterschiedlich hohe Leiterzüge verursacht werden, gut ausgeglichen werden können. Unmittelbar benachbart zu jeder Auftragwalze 1,3 ist eine gleichfalls beheizbare Dosierwalze 2,4 angeordnet. Dabei sind die Dosierwalzen derart angeordnet, dass jeweils zwischen der Dosierwalze 2,4 und der Auftragwalze ein schmaler Spalt freibleibt. Die Spaltweite definiert die Dicke des Beschichtungsmittelfilms, der sich auf der Auftragwalze 1,3 bildet. Zur Versorgung mit dem Beschichtungsmittel ist vorzugsweise oberhalb der Auftragswalzen 1,3 ein beheizbarer Vorratsbehälter 5 für das Beschichtungsmittel vorgesehen, von dem thermisch isolierte bzw. heizbare Versorgungsleitungen 6,7 zu den jeweiligen Walzenpaaren 1,2 bzw. 3,4 führen. Die obere und die untere Auftragwalze 1,3 sind vorzugsweise einen Abstand voneinander entfernt, der etwa 50%-95 der Leiterplattendicke entspricht.

Die Dosierspalte zwischen den auf 60°C-110°C beheizbaren gummierten Auftragswalzen 1,3 und den auf 70°C bis 160°C aufheizbaren Dosierwalzen 2,4 wird derart eingestellt, dass zwischen ihnen eine Lackwanne entsteht. Das bei Raumtemperatur hochviskose bis feste Beschichtungsmittel wird im Vorratsbehälter 5 soweit verflüssigt, dass es den beiden Walzenpaaren 1,2 bzw. 3,4 zugeführt werden kann. Zur Beschichtung werden die Leiterplatten L mit einer Geschwindigkeit von etwa 5-20 m/min durch den Durch tritts spalt zwischen den beiden Auftragwalzen 1,3 hindurchtransportiert. Dadurch dass die Auftragwalzen und die Dosierwalzen beheizbar sind, kann das Beschichtungsmittel erst unmittelbar vor dem Auftrag auf die Leiterplattenoberfläche auf die erforderliche Auftragtemperatur und die erforderliche Auftragviskosität gebracht werden. Das verwendete schmelzbare Beschichtungsmittel weist dabei vorzugsweise einen Erweichungsbereich von etwa 20°C-80°C auf.

Vor der Beschichtung werden die Leiterplatten L in einer vor der

Walzenbeschichtungsanlage 10 angeordneten Temperiereinrichtung 8 auf die gewünschte Beschichtungstemperatur gebracht. Insbesondere werden die Leiterplatten L vor der Beschichtung in der Temperiereinrichtung 8 derart aufgeheizt, so dass ihre Oberfläche eine um 10°C-50°C höhere Temperatur aufweist als das aufgetragene Beschichtungsmittel. Auf diese Weise wird erreicht, dass das Beschichtungsmittel auf der Leiterplattenoberfläche noch weiter verflüssigt wird, um Unebenheiten besser auszugleichen. Die Auftragsviskosität des Beschichtungsmittels beträgt dabei etwa 1000-20'000 mPas, vorzugsweise etwa 8O00-12O0O mPas. Durch diese relativ hohe Auftragviskosität des Beschichtungsmittels ist gewährleistet, dass Durchkontaktierungsbohrungen gut mit dem Beschichtungsmittel überdeckt werden. Die Temperatur der Leiterplattenoberfläche ist so eingestellt, dass die Viskosität des Beschichtungsmittels über den Bohrungen nur gerade soweit herabgesetzt wird, dass das Beschichtungsmittel nicht abfliessen kann, sondern die Überdeckung erhalten bleibt.

In einer der Walzenbeschichtungsanlage 10 nachgeschalten Temperstation 9 werden die beschichteten Leiterplatten L gegebenenfalls getempert, um so eine klebfreie Oberfläche zu erzielen. Es kann aber auch eine Belichtungsstation nachgeschaltet sein, in der die beschichtete Leiterplattenoberfläche kurzfristig mit UV-Strahlung belichtet wird, um eine oberflächliche Vorvemetzung zu erreichen und so eine klebfreie Oberfläche zu erzielen. Auch eine Kombination von Temperstation 9 und Belichtungstation ist möglich.

Die Beschichtung kann als Ätz- bzw. Galvanoresist eingesetzt werden, der nach der entsprechenden Behandlung der Leiterplatten wieder entfernt wird. Sie kann aber auch als Permanentresist für Additivverfahren verwendet werden, als Lötstoppmaske oder als Maske für die Erstellung von hohen Lötdepots eingesetzt werden.

Die Erfindung soll anhand der nachfolgenden Beispiele näher erläutert werden. Zur Herstellung der verschiedenen beispielsweisen Beschichtungsmittel werden folgende Harzkomponenten eingesetzt:

Harzkomponente A: Mittels Strahlen vernetzbares, bei Raumtemperatur festes Harz mit einem mittleren Molekulargewicht von 860, einem Erweichungsbereich von 30 bis 40°C und einer Viskosität bei 70°C von 10000 bis 20000 mPa-s, das erhalten wird, indem man 1 Äquivalent eines Bisphenol A-diglycidylethers vom Molekulargewicht 188 bis 220 mit 1J Äquivalenten Acrylsäure umsetzt und anschliessend das Umsetzungsprodukt mit 0,8 Äquivalenten Hexahydrophthalsäureanhydrid zur Reaktion bringt, wobei die Umsetzung

während 3 Stunden bei 80°C durchgeführt wird.

Harzkomponente B: Mittels Strahlen vernetzbares und thermisch härtbares Harz, welches bei Raumtemperatur fest ist und einen Erweichungspunkt von 20 bis 30°C hat und bei 80°C eine Viskosität von 2000 bis 5000 mPa-s aufweist. Dieses Harz wird erhalten, indem man 1 Mol eines Kresolnovolaktriglycidylethers mit einem Molekulargewicht von etwa 580 mit 1 Mol Acrylsäure umsetzt.

Harzkomponente B 1 : Mittels Strahlen vernetzbares Harz, das erhalten wird, indem man die oben beschriebene Harzkomponente B während 3 Stunden bei 60°C mit einem ungesättigten Isocyanatocarbamatester mit einem Molekulargewicht von 290 umsetzt, der durch Umsetzung von 1 Mol Toluylen-2,4- und -2,6-diisocyanat-Isomerengemisch mit 1 Mol Hydroxyethylacrylat gemäss EP-A-0 194 360, Beispiel 2, erhalten wurde. Die Harzkomponente Bl hat ein Molekuarge wicht von 950, ein Epoxidäquivalent von 475, und die Viskosität beträgt bei Raumtemperatur 200'000 mPa-s und bei 70°C 500 bis 1000 mPa-s.

Harzkomponente C: Verlaufsmittel und einen Fotoinitiator enthaltender Kresolnovolak mit einem Molekulargewicht von 534 der folgenden Zusammensetzung: 60 Gewichtsteile Kresolnovolak mit einem Molekulargewicht von 460, 30 Gewichtsteile 2-Ethylanthrachinon,

5 Gewichtsteile Savinylblau und

5 Gewichtsteile Verlaufsmittel Byk®361.

Harzkomponente D: Verlaufsmittel, Fotoinitiator und Härtungsbeschleuniger enthaltender Kresolnovolak mit einem Molekulargewicht von 534 der folgenden Zusammensetzung: 50 Gewichtsteile Kresolnovolak mit einem Molekulargewicht von 460, 10 Gewichtsteile 2-Methylimidazol, 30 Gewichtsteile 2-Ethylanthrachinon,

5 Gewichtsteile Helio-echtgrün und

5 Gewichtsteile Verlaufsmittel Byk®361.

Beispiel 1:

Es soll ein Ätz- bzw. Galvanoresist auf die Leiterplattenoberfläche(n) aufgetragen werden.

Leiterplatte: Basismaterial FR 4, Dicke: 1.6 mm

Kupferkaschierung: 17.5 μm

Temperatur: 120°C

Beschichtungsmittel 1: 64 Gewichtsteile Harzkomponente A, 32 Gewichtsteile Harzkomponente B 1 , 3 Gewichtsteile 2-Ethylanthrachinon, 0,5 Gewichtsteile Verlaufsmittel Byk®361 und 0,5 Gewichtsteile Savinylblau.

Zur Erstellung eines Atzresists bzw. eines Galvanoresists wird das Beschichtungsmittel 1 mit einer Walzenbeschichtungsanlage auf die Leiterplatten aufgetragen.

Auftragwalzentemperatur: 80°C

Auftragviskosität des Beschichtungsmittels 1: 1000 mPas

Beschichtungsdicke bei Ätzresist: 10 μm Leiterplattentransportgeschwindigkeit bei Beschichtung: 20 m min

Beschichtungsdicke bei Galvanoresist: 40 μm Leiterplattentransportgesch windigkeit bei Beschichtung: 10 m/min

Die beschichtete Leiterplatte wird in senkrechter Stellung während 3-10 min bei einer Temperatur von 110°C-120°C getempert. Dabei vorvernetzen die Komponenten der Beschichtung und ergeben nach dem Abkühlen der Leiterplatte auf Raumtemperatur eine klebfreie Oberfläche.

Beispiel 2:

Im beidseitigen Walzenbeschichtungsverfahren wird eine bei Raumtemperatur feste Beschichtung auf die Leiterplattenoberflächen aufgetragen, die nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur eine klebfreie Oberfläche ergibt.

Leiterplatte: Basismaterial FR 4, Dicke: 1.6 mm

Kupferkaschierung: 17.5 μm

Temperatur: 140°C

Beschichtungsmittel 2: 90 Gewichtsteile Harzkomponente A und

10 Harzkomponente C.

Das schmelzbare Beschichtungsmittel wird zur Erstellung eines klebfreien Ätz- oder Galvanoresists aufgetragen.

Auftragwalzentemperatur: 110°C

Auftragviskosität des Beschichtungsmittels: 1000 mPas

Beschichtungsdicke bei Ätzresist: 10 μm Leiterplattentransportgeschwindigkeit bei Beschichtung: 20 m/min

Beschichtungsdicke bei Galvanoresist: 40 μm Leiterplattentransportgeschwindigkeit bei Beschichtung: 10 m/min

Die beschichteten Leiterplatten werden in senkrechter Stellung erkalten gelassen und besitzen bei Raumtemperatur eine klebfreie Oberfläche.

Beispiel 3:

Es werden Lötstoppmasken in Dicken von 30 μm und 100 μm durch Auftrag eines bei Raumtemperatur festen und schmelzbaren Beschichtungsmittels im Walzenbeschichtungsverfahren hergestellt.

Leiterplatte:Basismaterial FR 4, Dicke: 1.6 mm

Leiterhöhe: 60 μm

Leiterbreite: 100 μm

Leiterabstand: 150 μm

Temperatur: 90°C

Beschichtungsmittel 3: 50 Gewichtsteile Harzkomponente A, 40 Gewichtsteile Harzkomponente B und 10 Gewichtsteile Harzkomponente D.

Auftragwalzentemperatur: 70°C

Auftragviskosität des Beschichtungsmittels 3: lO'OOO mPas

Beschichtungsdicke: 30 μm

Transportgeschwindigkeit der Leiterplatten bei Beschichtung: 20 m/min

Beschichtungsdicke: 100 μm

Transportgeschwindigkeit der Leiterplatten bei Beschichtung: 15 m/min

Nach dem Beschichten erkalten die Leiterplatten in senkrechter Stellung auf Raumtemperatur. Ihre beschichtete Oberfläche ist bei Raumtemperatur klebfrei.