第1の実施の形態
 本発明は、サスペンション用基板、および� ��の製造方法に関する。
 以下、本発明の第1の実施の形態によるサス ペンション用基板およびサスペンション用基 板の製造方法について詳細に説明する。

A.サスペンション用基板
 本発明のサスペンション用基板は、金属基� ��と、上記金属基板上に形成され、絶縁層形� ��材料からなる絶縁層と、上記絶縁層上に形� ��された配線層と、上記絶縁層上に形成され� ��少なくとも上記配線層の一部を覆う、カバ� ��層形成材料からなるカバー層とを有する。� ��のようなサスペンション用基材は、上記絶� ��層形成材料およびカバー層形成材料が異な� ��材料からなり、かつ当該非感光性材料の吸� ��膨張係数が、0/%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿� �張係数の差が、5×10 ^-6 /%RH以下の範囲内であるもの(第1態様)と、上� �絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が� �一の非感光性材料からなり、かつこの非感� �材料の吸湿膨張係数が、0/%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内であるもの(第2態様)との2つの態� ��に分けることができる。以下、本発明のサ� ��ペンション用基板を、各態様に分けて説明� ��る。

1.第1態様
 まず、本発明のサスペンション用基板の第1 態様について説明する。本態様のサスペンシ ョン用基板は、上述したサスペンション用基 板において、上記絶縁層形成材料およびカバ ー層形成材料が同一又は異なる材料からなり 、かつ両者の吸湿膨張係数が、0/%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿� �張係数の差が、5×10 ^-6 /%RH以下の範囲内である。

 このような本態様のサスペンション用基板� ��、図を参照して説明する。図1(a)は、本態様 のサスペンション用基板の一例を示す概略断 面図である。図1(a)に例示するように、本態� �のサスペンション用基板10は、金属基板1と� �上記金属基板1上に形成された絶縁層2と、上 記絶縁層2上に形成された配線層3と、上記絶� ��層2上に形成され、少なくとも上記配線層3� �一部を覆うカバー層4とを有する。また、上� ��配線層3は、保護めっき層5によって覆われ� �いる。サスペンション用基板10の低剛性化の ため、金属基板1の一部が除去され、絶縁層2� ��は、絶縁層2の一方の表面が金属基板1によ� �て被覆されていない、低剛性化領域6が形成� ��れている。
 またこのようなサスペンション用基板10か� �なる磁気ヘッドサスペンション31と、磁気ヘ ッドサスペンション31の先端に保持された磁� ��ヘッド32とにより、ハードディスクドライ� �30が構成されている(図10参照)。

 ここで、上記絶縁層およびカバー層は、そ� ��ぞれ絶縁層形成材料およびカバー層形成材� ��によって形成されており、上記絶縁層形成� ��料およびカバー層形成材料が、同一又は異� ��る材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数� ��、0/%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿� �張係数の差が、5×10 ^-6 /%RH以下の範囲内である材料である。

 ここで、吸湿膨張係数の測定方法について� ��記に記載する。
 S-TMA:温度を25℃に固定し、湿度を15%、20%、50 %と変化させた。湿度20%と50%の伸び量から湿� �1%あたりの伸びを計算し、湿度膨張係数とし た。
 なお、計算式は次式の通り。
 湿度膨張率[ppm%RH]=湿度1%あたりの伸び/初期� ��×1000000
         =湿度20~50%の伸び量/30/初期長×10 00000
1)サンプル形態
  サンプルサイズ  幅5mm×長さ15mm(掴み+5mm)
  厚み       7~8μm程度
  初期状態     十分に乾燥した状態
2)測定条件
  装置       RIGAKU製 S-TMA(湿度発生装置� ��きTMA)
  加重       5g
  温度       25℃
3)測定方法
  1.サンプルの環境が湿度15%Rhで安定し、サ� ��プル長が一定となり変化しなく
    なってから、0.5h以上保持
  2.次にサンプルの環境が湿度20%Rhで安定し� ��サンプル長が一定となり変化し
    なくなってから、0.5h以上保持(サンプ� �長を測定)
  3.引き続いてサンプルの環境が湿度50%Rhで� ��定し、サンプル長が一定となり
    変化しなくなってから、0.5h以上保持(� �ンプル長を測定)
  4.湿度20%時と湿度50%時の値の差を計算し、 1/30して湿度1%あたりの
    伸び量を出す
  5.湿度1%あたりの伸び量を初期長(15μm)で割 り、変化率とする

 本態様によれば、上記絶縁層形成材料お� ��びカバー層形成材料の吸湿膨張係数と、両� ��の上記吸湿膨張係数の差とが、上記範囲で� ��ることにより、本態様のサスペンション用� ��板を低剛性化した場合であっても、吸湿に� ��る反りが少ないものとすることができる。

 ここで、上記絶縁層形成材料およびカバ� ��層形成材料が、上述した吸湿膨張係数の範� ��内であり、かつ、両者の上記吸湿膨張係数� ��差が上記範囲内であることにより、金属基� ��の割合を少なくし、低剛性化した場合であ� ��ても、吸湿による反りが少ないもサスペン� ��ョン用基材とすることができる理由として� ��、以下のようなものである。

 すなわち、従来、絶縁層は、その一方の� ��面が、金属基板によって被覆されている面� ��が大きく、吸湿しにくい状況にあった。こ� ��ため、上記絶縁層の吸湿膨張係数が大きい� ��合であっても、吸湿膨張をほとんどしない� ��とから、吸湿膨張による反りはほとんど生� ��なかった。このため上記金属基板と、上記� ��縁層との熱膨張係数さえ合わせればサスペ� ��ション用基板の反りをある程度抑制するこ� ��ができていた。

 ところが低剛性化のため、金属基板の残� ��割合が減少した場合には、絶縁層の金属基� ��側に、金属基板によって被覆されていない� ��域が広がり、上記絶縁層が、容易に吸湿し� ��張し得る状況となった。従来であれば、金� ��基板は、このような膨張に対して十分抵抗� ��ることができていたが、低剛性化のため残� ��割合が小さくなったことにより、吸湿膨張� ��数が大きい絶縁層およびカバー層が吸湿膨� ��した場合に生じる応力に抵抗することが困� ��となった。このため、上記絶縁層形成材料� ��よびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が大� ��い場合には、両者の吸湿膨張がサスペンシ� ��ン用基板に反りを生じさせることになった� ��

 一方、本態様においては、上記絶縁層お� ��びカバー層を形成する絶縁層形成材料およ� ��カバー層形成材料の吸湿膨張係数が上述し� ��範囲内であることにより、低剛性化された� ��合であっても、上記絶縁層およびカバー層� ��吸湿膨張が原因となる反りの発生を少ない� ��のとすることができる。

 また、従来であれば、高剛性の材料である� ��属基板の残存割合が大きいことにより、上� ��絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の� ��湿膨張係数の差が大きくても上記絶縁層お� ��びカバー層の吸湿膨張の差により反りをあ� ��程度抑制することができた。しかしながら� ��剛性化されて残存割合が低下した金属基板� ��は、上記絶縁層形成材料およびカバー層形� ��材料の吸湿膨張係数の差が大きい場合に、� ��者の吸湿膨張の差により生じる応力に抵抗� ��ることができず、サスペンション用基板に� ��りを生じさせることになった。
 一方、本態様においては、上記絶縁層形成� ��料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数� ��差が上記範囲であることにより、低剛性化� ��れた場合であっても、上記カバー層形成材� ��と、絶縁層形成材料との吸湿膨張係数の差� ��よる反りの発生を少ないものとすることが� ��きる。

 また、上記絶縁層形成材料およびカバー層� ��成材料が異なる材料であることにより、以
下のような利点がある。

 すなわち、上記絶縁層形成材料およびカ� ��ー層形成材料が同一材料である場合には、� ��えば、後述する金属基板上に形成され、絶� ��層形成材料からなる絶縁層上に、カバー層� ��成材料からなるカバー層形成用層を積層し� ��次いでカバー層形成用層をパターン状に溶� ��することによって、パターン状のカバー層� ��形成する際に、カバー層形成用層をパター� ��状に溶解する溶剤によって、絶縁層までも� ��時に溶解されてしまうことも考えられる。� ��のため、上記カバー層をパターン状に形成� ��る際には、予め絶縁層を強く焼き固めて、� ��バー層をパターン状に溶解する溶剤によっ� ��溶解されないようにしたり、カバー層の形� ��の後に絶縁層をパターン状に形成する場合� ��おいては、絶縁層(絶縁層形成用層)が強く� �き固めらていることにより、上記絶縁層を� �ターン状に形成することが困難となること� �考えられる。

 また、上記サスペンション用基板が、金� ��基板、絶縁層、配線層、カバー層の材料が� ��層された積層体からなり、また上述した材� ��間が接着性良く積層されていることが要求� ��れるものであることから、例えば、絶縁層� ��、金属基板および配線層との接着性が良好� ��あることが求められ、カバー層は、絶縁層� ��よび配線層との接着性が良好であることが� ��められる。しかしながら、上記絶縁層およ� ��カバー層を形成する絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料が同一材料である場合には� ��このような別部材への接着性を同時に満た� ��ことは困難であり、材料選択性が非常に狭� ��なるといった問題が生じる。

 本態様においては、上記絶縁層形成材料� ��よびカバー層形成材料が異なる材料である� ��とにより、例えば、上記カバー層の形成の� ��に、上記絶縁層が溶解することがない材料� ��上記絶縁層形成材料として用いることがで� ��、それぞれに要求される接着性に適した材� ��の選択を容易に行うことができる。したが� ��て、上記絶縁層形成材料およびカバー層形� ��材料が異なる材料であることにより、例え� ��、カバー層の形成の際に、上記絶縁層が溶� ��することがない材料とすること等を容易な� ��のとすることができる。

 本態様のサスペンション用基板は、金属基� ��、絶縁層、配線層、およびカバー層を少な� ��とも有する。
 以下、本態様のサスペンション用基板の各� ��成について詳細に説明する。

(1)絶縁層2およびカバー層4
 本態様に用いられる絶縁層は、後述する金� ��基板上に形成されるものであり、絶縁層形� ��材料からなる。
 また、本態様に用いられるカバー層は、上� ��絶縁層上に形成され、少なくとも後述する� ��線層の一部を覆う、カバー層形成材料から� ��る。
 絶縁層、及び、カバー層は、単一の材料に� ��り構成されていてもよいし、異なる材料が2 層以上積層されたものであってもよい。絶縁 層、または、カバー層が異なる材料の積層物 であった場合は、絶縁層及びカバー層それぞ れ、その2層以上の積層物全体としての吸湿� �張や線熱膨張などの特性を、本発明におけ� �絶縁層、及びカバー層の特性とする。
 サスペンションを、ステンレスー絶縁層―� ��という構成の積層体から作成する場合に、� ��れら3種を、ラミネートし作成する場合には 、絶縁層が、接着性材料―低膨張性材料―接 着性材料という3層構成である場合が多い、� �れは一般に低膨張性材料の接着性が乏しい� �とに由来する。このようにラミネートによ� �て形成された金属と絶縁層の積層体は、圧� �銅や合金銅を用いることが出来るという利� �を有し、且つ、絶縁層と金属層の密着性が� �いという特徴を有する。一方で、ラミネー� �の安定性の観点から用いる銅箔の厚みに制� �があり、銅層を薄くしにくいという欠点も� �る。
 一方、上記の積層体を作成する方法として� ��ステンレス上に、絶縁層を形成した後に、� ��パッタやめっきによって銅層を形成する方� ��もある。この場合、絶縁層は1種類の材料に よって形成することも可能であり、銅層を薄 く形成することもできるが、電解銅箔しか形 成できないという欠点がある。

(a)絶縁層形成材料2″およびカバー層形成材� �4″
 本態様に用いられる絶縁層形成材料2″およ びカバー層4″形成材料は、同一又は異なる� �料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、0/ %RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿� �張係数の差が、5×10 ^-6 /%RH以下の範囲内である。
 なお、上記絶縁層形成材料およびカバー層� ��成材料が、異なる材料であるとは、含まれ� ��ポリマーの主鎖または置換基の、種類およ� ��含有量が異なることをいい、後述する光開� ��剤や添加剤の種類および含有量が異なる場� ��は含まない。

 本態様によれば、上記絶縁層形成材料およ� ��カバー層形成材料の吸湿膨張係数と、両者� ��上記吸湿膨張係数の差とが、上記範囲であ� ��ことにより、本態様のサスペンション用基� ��を低剛性化した場合であっても、吸湿によ� ��反りが少なくなる。
 また、上記絶縁層形成材料およびカバー層� ��成材料が異なる材料であるため、例えば、� ��バー層の形成の際に、上記絶縁層が溶解す� ��ことがない材料とすること等を容易なもの� ��することができる。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料の吸湿膨張係数は、0/%RH~30× 10 ^-6 /%RHの範囲内であれば良いが、なかでも0/%RH~20 ×10 ^-6 /%RHの範囲内であることが好ましく、特に0/%RH ~12×10 ^-6 /%RHの範囲内であることが好ましい。

 一般に、本用途に適用可能な吸湿に伴い収� ��するようなマイナスの湿度膨張係数有する� ��料は、非常に稀でありそのような場合、材� ��選択の幅が狭くなることから好ましくない� ��上記範囲より大きいと、吸湿による反りが� ��きいものとなることから好ましくない。
 なお、上記吸湿膨張係数とは、相対湿度の� ��化に対する、材料の長さの変化率である。� ��こで、材料の長さとは、各相対湿度の環境� ��に置くことで、各材料が、各相対湿度の環� ��下における平衡含水率となった際の長さで� ��る。また、材料の長さの変化率とは、相対� ��度が変化した際の、長さの変化(変化後の材 料の長さから変化前の材料の長さを差し引い たもの)を、材料の全長で除した値である。

 また、吸湿膨張係数の値が正である場合� ��は、相対湿度が上昇した際に、材料の長さ� ��長くなることを示し、吸湿膨張係数の値が� ��である場合には、相対湿度が上昇した際に� ��材料の長さが短くなることを示す。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料の吸湿膨張係数の差は5×10 ^-6 /%RH以下であれば良いが、なかでも4×10 ^-6 /%RH以下であることが好ましく、特に3×10 ^-6 /%RH以下であることが好ましい。上記範囲で� �ることにより、本態様のサスペンション用� �板を低剛性化した場合であっても、吸湿に� �る反りをより少ないものとすることができ� �からである。
 また、上記絶縁層形成材料およびカバー層� ��成材料の吸湿膨張係数の差とは、上記絶縁� ��形成材料とカバー層形成材料との吸湿膨張� ��数の差の絶対値である。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料の吸水係数としては、0.01%~2 .5%の範囲内であることが好ましく、なかでも 0.1%~1.5%の範囲内であることが好ましい。上記 範囲であることにより、上記絶縁層およびカ バー層の吸湿を少ないものとすることができ 、上記絶縁層およびカバー層が吸湿膨張する ことを抑制することができるからである。こ のため、後述する金属基板の残存割合を減少 させ、本態様のサスペンション用基板を低剛 性化した場合であっても反りが少ないものと することができるからである。また、上記範 囲より小さいと、カバー層と絶縁層との密着 性が低下する可能性があるからであり、上記 範囲より大きいと、吸湿による反りが大きい ものとなるからである。
 ここで、吸水係数とは、上記絶縁層形成材� ��およびカバー層形成材料を、85℃、85%RHの環 境下で1時間静置して吸水させた際の吸水率� �飽和水分率とするカールフッシー法を用い� �飽和水分率とした場合および乾燥させた場� �の重量変化率であり、飽和水分率時の重量� �ら乾燥時の重量を引いたものを乾燥時の重� �で除した値である。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料の熱膨張係数としては、上� ��サスペンション用基板を、後述する金属基� ��と、上記絶縁層形成材料およびカバー層形� ��材料との熱膨張係数の差による反りが少な� ��ものとすることができるものであれば良い� ��、15×10 ^-6 /℃~30×10 ^-6 /℃の範囲内であることが好ましく、なかで� �15×10 ^-6 /℃~25×10 ^-6 /℃の範囲内であることが好ましく、特に15×1 0 ^-6 /℃~20×10 ^-6 /℃の範囲内であることが好ましい。上記範� �であることにより、本態様のサスペンショ� �用基板を低剛性化した場合であっても、温� �変化による反りが少ないものとすることが� �きるからである。
 なお、上記熱膨張係数とは、温度の変化に� ��する、材料の長さの変化率である。ここで� ��材料の長さとは、材料が、各温度となった� ��の材料の長さである。また、材料の長さの� ��化率とは、各材料の温度が変化した際の、� ��さの変化(変化後の材料の長さから変化前の 材料の長さを差し引いたもの)を、材料の全� �で除した値である。
 また、熱膨張係数の値が正である場合には� ��材料の温度が上昇した際に、材料の長さが� ��くなることを示し、熱膨張係数の値が負で� ��る場合には、材料の温度が上昇した際に、� ��料の長さが短くなることを示す。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料の熱膨張係数の差は10×10 ^-6 /℃以下の範囲内であることが好ましく、特� �5×10 ^-6 /℃以下の範囲内であることが好ましい。上� �範囲であることにより、本態様のサスペン� �ョン用基板を低剛性化した場合であっても� �温度変化による反りをより少ないものとす� �ことができるからである。
 また、上記絶縁層形成材料およびカバー層� ��成材料の熱膨張係数の差とは、上記絶縁層� ��成材料とカバー層形成材料との熱膨張係数� ��差の絶対値である。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料は、吸湿膨張係数が上述し� ��範囲内であり、絶縁性を有するものであれ� ��特に限定されるものではなく、感光性材料� ��あっても良く、非感光性材料であっても良� ��。本態様においては、なかでも非感光性材� ��であることが好ましい。
 この場合、非感光性材料とは、その材料の� ��では光の作用によるパターン形成が出来な� ��材料のことを言い、金属やレジストによっ� ��形成されたマスクによって設けられた開口� ��を通して、液体や気体、プラズマによって� ��要部を除去する、または、インクジェット� ��スクリーン印刷などの手法によって、予め� ��ターンの形状に塗布される、などの手法に� ��ってパターンを形成する必要がある材料の� ��とを言う。
 より一般的には、感光性成分を含有しない� ��態でパターンを形成する材料のことを言う� ��
 非感光性材料を用いることで、パターン形� ��プロセスは煩雑になるものの、感光性成分� ��含まないより純粋な材料を適用できること� ��より、広範囲の材料を選択できるメリット� ��あり、それによって、本発明に必要な低吸� ��膨張、低線熱膨張という特性を兼ね備えた� ��料を適用することが可能となる。

 上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材� ��が感光性材料である場合、後述する非感光� ��絶縁性材料の分子骨格中に感光基を導入し� ��感光性絶縁性材料を、光重合開始剤と共に� ��合させたり、上記絶縁層形成材料およびカ� ��ー層形成材料に、上記非感光性絶縁性材料� ��たは感光性絶縁性材料とは別に感光性モノ� ��ーを添加し、光重合開始剤と共に重合させ� ��り、もしくは光の作用によって溶解性が変� ��する感光剤を添加する必要がある。このた� ��、加熱などの後工程を経た後でも、上記感� ��性付与成分やその分解残渣が材料中に残存� ��、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成� ��料の吸湿膨張係数が大きくなったり、接着� ��の適正化が非常に困難なものとなる場合が� ��るからである。
 感光性絶縁性材料として、一般的に用いら� ��る感光性ポリイミド系樹脂(PI)は、γ-ブチロ ラクトン、N-メチルピロリドン、ジメチルア� ��トアミド等の高沸点溶媒を現像溶媒として� ��いる必要があり、乾燥に時間を要する。ま� ��上述した感光性ポリイミド系樹脂用の現像� ��媒は、それ自身が高価であり、また現像時� ��設備を防爆型にしなければならず、コスト� ��で非常に不利となる。また、上述した感光� ��ポリイミド系樹脂用の現像溶媒は、上記感� ��性ポリイミド系樹脂自身にダメージを与え� ��しまう恐れがあるといった問題もある。
 一方、上記絶縁層形成材料およびカバー層� ��成材料が非感光性材料である場合、上記非� ��光性絶縁性材料への感光基の導入や、他の� ��加剤が不要であることにより、上記吸湿膨� ��係数等の調整が容易なものとすることがで� ��る。また現像に際しては、有機および無機� ��ルカリを用いることができ、上述したよう� ��防爆型設備も不要であることから、上記絶� ��層およびカバー層を低コストで形成可能と� ��、さらにダメージも小さいものとすること� ��できる

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料が非感光性である場合、上� ��絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は� ��通常、非感光性の絶縁特性をもつ。
 このような非感光性絶縁性材料としては、� ��リイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエ� ��テルニトリル系樹脂、ポリエーテルスルホ� ��系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹� ��、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリ� ��化ビニル系樹脂などの合成樹脂を用いるこ� ��ができ、なかでもポリイミド系樹脂を好ま� ��く用いることができる。絶縁性、耐熱性及� ��耐薬品性に優れた化合物であるからである� ��

 また、本態様に用いられる絶縁層形成材� ��およびカバー層形成材料が感光性である場� ��、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成� ��料は、通常、上述した非感光性絶縁性材料� ��感光基を導入した感光性絶縁性材料または� ��光性モノマーの重合物を有する。

 上記感光性絶縁性材料としては、感光性� ��リイミド系樹脂、感光性アクリル系樹脂、� ��光性ポリエーテルニトリル系樹脂、感光性� ��リエーテルスルホン系樹脂、感光性ポリエ� ��レンテレフタレート系樹脂、感光性ポリエ� ��レンナフタレート系樹脂、感光性ポリ塩化� ��ニル系樹脂などの感光性の合成樹脂を好ま� ��く用いることができ、なかでも感光性ポリ� ��ミド系樹脂を好ましく用いることができる� ��この感光性ポリイミド素材樹脂は絶縁性に� ��れた化合物であり、絶縁性、耐熱性及び耐� ��品性に優れた化合物である。

 上記感光基、感光性モノマー、および重� ��の際に用いられる光重合開始剤としては、� ��スペンション用基板の絶縁層およびカバー� ��を露光、現像により形成する場合に一般的� ��使われるものを用いることができる。

 また本態様に用いられる絶縁層形成材料お� ��びカバー層形成材料は、必要に応じて、増� ��剤、重合停止剤、連鎖移動剤、レベリング� ��、可塑剤、界面活性剤、消泡剤等の添加剤� ��含むものであっても良い。
(R1は4価の有機基、R2は2価の有機基、R1及びR2� ��、単一構造でもよく2種以上の組み合わせで もよい。nは1以上の自然数)

 式(1)において、一般に、R ¹ は、テトラカルボン酸二無水物由来の構造で あり、R ² はジアミン由来の構造である。
 本発明に用いられるポリイミドに適用可能� ��酸二無水物としては、例えば、エチレンテ� ��ラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカル� ��ン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボ� ��酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボ� ��酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3� ��,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二� �水物、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカル ボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテト� ��カルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニ� �テトラカルボン酸二無水物、2,2’,6,6’-ビフ ェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3 ,4-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物� �2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパン� ��無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エ� ��テル二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェ� �ル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボ� ��シフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3-ジカ� ��ボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4-� ��カルボキシフェニル)メタン二無水物、2,2-� �ス(3,4-ジカルボキシフェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキ� ��フルオロプロパン二無水物、2,2-ビス(2,3-ジ� ��ルボキシフェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオ� �プロパン二無水物、1,3-ビス〔(3,4-ジカルボ� �シ)ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、1,4-ビス 〔(3,4-ジカルボキシ)ベンゾイル〕ベンゼン二 無水物、2,2-ビス{4-〔4-(1,2-ジカルボキシ)フェ ノキシ〕フェニル}プロパン二無水物、
 2,2-ビス{4-〔3-(1,2-ジカルボキシ)フェノキシ� ��フェニル}プロパン二無水物、ビス{4-〔4-(1,2 -ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン 二無水物、ビス{4-〔3-(1,2-ジカルボキシ)フェ� ��キシ〕フェニル}ケトン二無水物、4,4’-ビ� �〔4-(1,2-ジカルボキシ)フェノキシ〕ビフェニ ル二無水物、4,4’-ビス〔3-(1,2-ジカルボキシ) フェノキシ〕ビフェニル二無水物、ビス{4-〔 4-(1,2-ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケ トン二無水物、ビス{4-〔3-(1,2-ジカルボキシ)� ��ェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス {4-〔4-(1,2-ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニ� ��}スルホン二無水物、ビス{4-〔3-(1,2-ジカル� �キシ)フェノキシ〕フェニル}スルホン二無水 物、ビス{4-〔4-(1,2-ジカルボキシ)フェノキシ� ��フェニル}スルフィド二無水物、ビス{4-〔3-( 1,2-ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スル フィド二無水物、2,2-ビス{4-〔4-(1,2-ジカルボ� ��シ)フェノキシ〕フェニル}-1,1,1,3,3,3-ヘキサ� ��ルプロパン二無水物、2,2-ビス{4-〔3-(1,2-ジ� �ルボキシ)フェノキシ〕フェニル}-1,1,1,3,3,3-� �ロパン二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカ ルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラ� ��ルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテト� �カルボン酸二無水物、1,2,3,4-ベンゼンテトラ カルボン酸二無水物、3,4,9,10-ぺリレンテトラ カルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテ� ��ラカルボン酸二無水物、1,2,7,8-フェナント� �ンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられ� �。
 これらは単独あるいは2種以上混合して用い られる。
 本発明に用いられるポリイミドの耐熱性、� ��熱膨張係数などの観点から好ましく用いら� ��るテトラカルボン酸二無水物は、芳香族テ� ��ラカルボン酸二無水物であることが好まし� ��、特に好ましく用いられるテトラカルボン� ��二無水物としてピロメリット酸二無水物、� ��ロファン酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフ� �ノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’- ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3� ��,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物� ��2,3,2’,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二� �水物、2,2’,6,6’-ビフェニルテトラカルボン 酸二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル) エーテル二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシ フェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン� ��無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エ� ��テル二無水物が挙げられる。
 なかでも、吸湿膨張を低減させる観点から� ��3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二� �水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン 酸二無水物、2,3,2’,3’-ビフェニルテトラカ� ��ボン酸二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフ� �ニル)エーテル二無水物が特に好ましい。
 併用する酸二無水物としてフッ素が導入さ� ��た酸二無水物を用いると、ポリイミドの吸� ��膨張率が低下する。しかし、フッ素を含ん� ��骨格を有するポリイミドの前駆体は、塩基� ��水溶液に溶解しにくく、アルコール等の有� ��溶媒と塩基性水溶液との混合溶液によって� ��像を行う必要がある。
 また、ピロメリット酸二無水物、メロファ� ��酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラ� �ルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテ トラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’-ビフェ� ��ルテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフ� �レンテトラカルボン酸二無水物などの剛直� �酸二無水物を用いると、最終的に得られる� �リイミドの線熱膨張係数が小さくなるので� �ましい。なかでも、線膨張係数と湿度膨張� �数とのバランスの観点から、3,3’,4,4’-ビフ ェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4� �-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3, 2’,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水� �、が特に好ましい。
 酸二無水物として脂環骨格を有する場合、� ��リイミド前駆体のが向上するため、高感度� ��感光性樹脂組成物となる。一方で、ポリイ� ��ドとした後の耐熱性や絶縁性が芳香族ポリ� ��ミドと比較して劣る傾向にある。。
 芳香族のテトラカルボン酸二無水物を用い� ��場合、耐熱性に優れ、低線熱膨張係数を示� ��ポリイミドとなるというメリットがある。� ��って、本発明の感光性樹脂組成物において� ��、前記ポリイミドにおいて、前記式(1)中のR ¹ のうち33モル%以上が、下記式(3)で表わされる 構造であることが好ましい。
 上記のような構造を有するポリイミドは、� ��耐熱、低線熱膨張率を示すポリイミドであ� ��。その為、上記式(2)で表わされる構造の含� ��量は前記式(1)中のR ¹ のうち100モル%に近ければ近いほど、本発明� �目標を達成しやすくなるが、少なくとも前� �式(1)中のR ¹ のうち33%以上含有すれば目的を達成できる。 中でも上記式(2)で表わされる構造の含有量は 前記式(1)中のR ¹ のうち50モル%以上であることが好ましく、更 に、70モル%以上であることが好ましい。
 一方、本発明のポリイミドに適用可能なジ� ��ミン成分も、1種類のジアミン単独で、また は2種類以上のジアミンを併用して用いるこ� �ができる。用いられるジアミン成分は限定� �れるわけではないが、p-フェニレンジアミン 、m-フェニレンジアミン、o-フェニレンジア� �ン、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4� ��-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジア� �ノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフ� ��ニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニル スルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスル� �ィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3 ,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジ� �ミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノベ� ��ゾフェノン、4,4’-ジアミノベンゾフェノン 、
 3,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,3’-ジア� �ノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェ� ��ルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン 、2,2-ジ(3-アミノフェニル)プロパン、2,2-ジ(4- アミノフェニル)プロパン、2-(3-アミノフェニ ル)-2-(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ジ(3-ア ミノフェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロ� ��ン、2,2-ジ(4-アミノフェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキ� ��フルオロプロパン、2-(3-アミノフェニル)-2-( 4-アミノフェニル)-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ� �ロパン、1,1-ジ(3-アミノフェニル)-1-フェニル エタン、1,1-ジ(4-アミノフェニル)-1-フェニル� ��タン、1-(3-アミノフェニル)-1-(4-アミノフェ� ��ル)-1-フェニルエタン、1,3-ビス(3-アミノフ� �ノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキ シ)ベンゼン、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベ ンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼ� ��、1,3-ビス(3-アミノベンゾイル)ベンゼン、1, 3-ビス(4-アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4-ビ� �(3-アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4-ビス(4-ア ミノベンゾイル)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノ- α,α-ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3-ビス(4-� ��ミノ-α,α-ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4-� ��ス(3-アミノ-α,α-ジメチルベンジル)ベンゼ� �、1,4-ビス(4-アミノ-α,α-ジメチルベンジル)� �ンゼン、1,3-ビス(3-アミノ-α,α-ジトリフルオ ロメチルベンジル)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミ� ��-α,α-ジトリフルオロメチルベンジル)ベン� �ン、1,4-ビス(3-アミノ-α,α-ジトリフルオロメ チルベンジル)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノ-α, α-ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン� �2,6-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゾニトリル 、2,6-ビス(3-アミノフェノキシ)ピリジン、4,4� ��-ビス(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4� �-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス [4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビ� ��[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、� �ス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルフィ ド、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ス� ��フィド、
 ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スル� �ン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ス ルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニ� �]エーテル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェ ニル]エーテル、2,2-ビス[4-(3-アミノフェノキ� ��)フェニル]プロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノフ� ��ノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[3-(3-ア� ��ノフェノキシ)フェニル]-1,1,1,3,3,3-ヘキサフ� ��オロプロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキ シ)フェニル]-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパ ン、1,3-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ベンゾイ� ��]ベンゼン、1,3-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)� ��ンゾイル]ベンゼン、1,4-ビス[4-(3-アミノフ� �ノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4-ビス[4-(4-� �ミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3-� �ス[4-(3-アミノフェノキシ)-α,α-ジメチルベン ジル]ベンゼン、1,3-ビス[4-(4-アミノフェノキ� ��)-α,α-ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4-ビス [4-(3-アミノフェノキシ)-α,α-ジメチルベンジ� ��]ベンゼン、1,4-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)- α,α-ジメチルベンジル]ベンゼン、4,4’-ビス[ 4-(4-アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニ� �エーテル、4,4’-ビス[4-(4-アミノ-α,α-ジメチ ルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4� ��-ビス[4-(4-アミノ-α,α-ジメチルベンジル)フ� ��ノキシ]ジフェニルスルホン、4,4’-ビス[4-(4 -アミノフェノキシ)フェノキシ]ジフェニルス ルホン、3,3’-ジアミノ-4,4’-ジフェノキシベ ンゾフェノン、3,3’-ジアミノ-4,4’-ジビフェ ノキシベンゾフェノン、3,3’-ジアミノ-4-フ� �ノキシベンゾフェノン、3,3’-ジアミノ-4-ビ� ��ェノキシベンゾフェノン、6,6’-ビス(3-アミ ノフェノキシ)-3,3,3’,3’-テトラメチル-1,1’- スピロビインダン、6,6’-ビス(4-アミノフェ� �キシ)-3,3,3’,3’-テトラメチル-1,1’-スピロ� �インダン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラ メチルジシロキサン、1,3-ビス(4-アミノブチ� �)テトラメチルジシロキサン、α,ω-ビス(3-ア� ��ノプロピル)ポリジメチルシロキサン、α,ω- ビス(3-アミノブチル)ポリジメチルシロキサ� �、ビス(アミノメチル)エーテル、ビス(2-アミ ノエチル)エーテル、ビス(3-アミノプロピル)� ��ーテル、ビス(2-アミノメトキシ)エチル]エ� �テル、ビス[2-(2-アミノエトキシ)エチル]エー テル、ビス[2-(3-アミノプロトキシ)エチル]エ� ��テル、
 1,2-ビス(アミノメトキシ)エタン、1,2-ビス(2- アミノエトキシ)エタン、1,2-ビス[2-(アミノメ トキシ)エトキシ]エタン、1,2-ビス[2-(2-アミノ エトキシ)エトキシ]エタン、エチレングリコ� ��ルビス(3-アミノプロピル)エーテル、ジエチ レングリコールビス(3-アミノプロピル)エー� �ル、トリエチレングリコールビス(3-アミノ� �ロピル)エーテル、エチレンジアミン、1,3-ジ アミノプロパン、1,4-ジアミノブタン、1,5-ジ� ��ミノペンタン、1,6-ジアミノヘキサン、1,7-� �アミノヘプタン、1,8-ジアミノオクタン、1,9- ジアミノノナン、1,10-ジアミノデカン、1,11-� �アミノウンデカン、1,12-ジアミノドデカン、 1,2-ジアミノシクロヘキサン、1,3-ジアミノシ� ��ロヘキサン、1,4-ジアミノシクロヘキサン、 1,2-ジ(2-アミノエチル)シクロヘキサン、1,3-ジ (2-アミノエチル)シクロヘキサン、1,4-ジ(2-ア� ��ノエチル)シクロヘキサン、ビス(4-アミノシ クロへキシル)メタン、2,6-ビス(アミノメチル )ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、2,5-ビス(アミノメ� �ル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、また、上記ジア ミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全て をフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリ フルオロメチル基、又はトリフルオロメトキ シ基から選ばれた置換基で置換したジアミン も使用することができる。
 さらに目的に応じ、架橋点となるエチニル� ��、ベンゾシクロブテン-4’-イル基、ビニル� ��、アリル基、シアノ基、イソシアネート基� ��及びイソプロペニル基のいずれか1種又は2� �以上を、上記ジアミンの芳香環上水素原子� �一部若しくは全てに置換基として導入して� �使用することができる。
 ジアミンは、目的の物性によって選択する� ��とができ、p-フェニレンジアミンなどの剛� �なジアミンを用いれば、最終的に得られる� �リイミドは低膨張率となる。剛直なジアミ� �としては、同一の芳香環に2つアミノ基が結� ��しているジアミンとして、p-フェニレンジ� �ミン、m-フェニレンジアミン、1,4-ジアミノ� �フタレン、1,5-ジアミノナフタレン、2、6-ジ� ��ミノナフタレン、2,7-ジアミノナフタレン、 1,4-ジアミノアントラセンなどが挙げられる� �
 さらに、2つ以上の芳香族環が単結合により 結合し、2つ以上のアミノ基がそれぞれ別々� �芳香族環上に直接又は置換基の一部として� �合しているジアミンが挙げられ、例えば、� �記式(3)により表されるものがある。具体例� �しては、ベンジジン等が挙げられる。
(aは0または1以上の自然数、アミノ基はベン� �ン環同士の結合に対して、メタ位または、� �ラ位に結合する。)

 さらに、上記式(5)において、他のベンゼン� ��との結合に関与せず、ベンゼン環上のアミ� ��基が置換していない位置に置換基を有する� ��アミンも用いることができる。これら置換� ��は、1価の有機基であるがそれらは互いに結 合していてもよい。
 具体例としては、2,2’-ジメチル-4,4’-ジア� ��ノビフェニル、2,2’-ジトリフルオロメチル -4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジクロロ-4, 4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメトキシ-4, 4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4� �-ジアミノビフェニル等が挙げられる。
 また、芳香環の置換基としてフッ素を導入� ��ると吸湿膨張率を低減させることができる� ��しかし、フッ素を含むポリイミド前駆体、� ��にポリアミック酸は、塩基性水溶液に溶解� ��にくく、アルコールなどの有機溶媒との混� ��溶液で現像する必要がある場合がある。

[規則26に基づく差替え 25.04.2008]
 一方、ジアミンとして、1,3-ビス(3-アミノプ ロピル)テトラメチルジシロキサンなどのシ� �キサン骨格を有するジアミンを用いると、� �板との密着性を改善したり最終的に得られ� �ポリイミドの弾性率が低下し、ガラス転移� �度を低下させることができる。
 ここで、選択されるジアミンは耐熱性の観� ��より芳香族ジアミンが好ましいが、目的の� ��性に応じてジアミンの全体の60モル%、好ま� ��くは40モル%を超えない範囲で、脂肪族ジア� ��ンやシロキサン系ジアミン等の芳香族以外� ��ジアミンを用いても良い。
 また、前記ポリイミドにおいては、前記式( 1)中のR ² のうち33モル%以上が下記式(4)で表わされる構 造であることが好ましい。
(R ³ は2価の有機基、酸素原子、硫黄原子、又は� �ルホン基であり、R ⁴ 及びR ⁵ は1価の有機基、又はハロゲン原子である。)
 上記のような構造を有する場合、最終的に� ��られるポリイミドの耐熱性が向上し、線熱� ��張係数が小さくなる。その為、前記式(1)中� ��R ² のうち100モル%に近ければ近いほど、本発明� �目標を達成しやすくなるが、前記式(1)中のR ² のうち少なくとも33%以上含有すれば目的を達 成できる。中でも上記式(4)で表わされる構造 の含有量は前記式(1)中のR ² のうち50モル%以上であることが好ましく、更 に、70モル%以上であることが好ましい。
 上記のポリイミドに加えて必要に応じて適� ��、接着性のポリイミドなどと組み合わせて� ��本発明における絶縁層、及びカバー層とし� ��用いてもよい。
 また、上記のポリイミドを感光性ポリイミ� ��として利用する際には、公知の手法を用い� ��ことができる。たとえば、ポリアミック酸� ��カルボキシル基にエステル結合やイオン結� ��でエチレン性2重結合を導入し得られるポリ イミド前駆体に、光ラジカル開始剤を混合し 、溶剤現像ネガ型感光性ポリイミドとするも の。ポリアミック酸やその部分エステル化物 にナフトキノンジアジド化合物を添加し、ア ルカリ現像ポジ型感光性ポリイミドとするも の、ポリアミック酸にニフェジピン系化合物 を添加しアルカリ現像ネガ型感光性ポリイミ ドとするものなどが挙げられるが、これに限 定されない。
 これらの感光性ポリイミドはポリイミドの� ��量に対して15%~35%の感光性付与成分が添加さ れている、その為、パターン形成後に300℃~40 0℃で加熱したとしても、感光性付与成分由� �の残差がポリイミド中に残存する。これら� �残存物が線膨張係数や吸湿膨張係数を大き� �する原因となることから、本発明において� �光性ポリイミドを用いることは好ましくな� �。
 なお絶縁層形成材料およびカバー層形成材� ��のいずれか、または両方の前駆体が塩基性� ��溶液によって現像可能となっている。ここ� ��塩基性水溶液とは、pHが8以上の水溶液で、� ��機溶媒の含有量が、塩基性水溶液の重量の2 0重量%未満であることが好ましく、pHが8以上� ��水溶液で、有機溶媒を含まないことがさら� ��好ましい。塩基性水溶液に含まれる塩基性� ��質は、何でも良く公知の有機・無機の塩基� ��物質であれば特に限定されないが、現像後� ��パターン中のイオン残渣や絶縁信頼性の観� ��から水酸化テトラメチルアンモニウムであ� ��ことが好ましい。

(b)絶縁層2
 本態様に用いられる絶縁層の膜厚としては� ��所望の絶縁性を発揮することができるもの� ��あれば特に限定されるものではないが、例� ��ば5μm~30μmの範囲内であることが好ましく、 なかでも5μm~18μmの範囲内であることが好ま� �く、特に5μm~12μmの範囲内であることが好ま� ��い。上記範囲より薄いと、充分な絶縁性を� ��揮できない可能性があり、上記範囲より厚� ��と、サスペンション用基板の低剛性化を図� ��ことが困難だからである。

 本態様に用いられる絶縁層の下面が金属基� ��によって被覆されている割合(低剛性化領域 以外の割合)としては、本態様のサスペンシ� �ン用基板を、反りが少ないものとすること� �できるものであれば良く、具体的には30%~70%� ��範囲内であることが好ましく、なかでも40%~ 70%の範囲内であることが好ましい。上記範囲 であることにより、本態様のサスペンション 用基板の低剛性化を図ることができ、本態様 の効果をより発揮することができる。
 なお、上記絶縁層の残存割合とは、本態様� ��サスペンション用基板の平面視面積に占め� ��、上記絶縁層の平面視面積の割合をいうも� ��である。また上記サスペンション用基板の� ��面視面積とは、上記サスペンション用基板� ��外径線によって囲まれる面積であり、内部� ��貫通孔が形成されている場合は、その貫通� ��の平面視面積をも含むものである。

(c)カバー層4
 本態様に用いられるカバー層の膜厚として� ��、少なくとも後述する配線層の一部を覆う� ��うに形成されるものであれば特に限定され� ��ものではないが、例えば3μm~30μmの範囲内で あることが好ましく、なかでも3μm~15μmの範� �内であることが好ましく、特に、3μm~10μmの� ��囲内であることが好ましい。上記範囲より� ��いと、上記配線層上を覆い、上記配線層を� ��食等から保護することが困難となるからで� ��り、上記範囲より厚いと、本態様のサスペ� ��ション用基板の低剛性化を図ることが困難� ��なるからである。

(2)金属基板1
 本態様に用いられる金属基板は、導電性を� ��し、さらにサスペンション用途に用いられ� ��ため、通常、適度なばね性を有するもので� ��る。

 上記金属基板の材料としては、例えば、S US等を挙げることができる。

 本態様においては、上記金属基板はグラ� ��ド端子が形成される表面側に、導電層を有� ��ている。この場合、導電層を設けることに� ��り、グランド端子による導通がより効率的� ��なる。上記導電層の材料としては、具体的� ��は、銅(Cu)等を挙げることができる。上記導 電層は、例えばめっき法等により形成するこ とができる。

 上記金属基板の厚さとしては、所望のば� ��特性を発揮することができるものであれば� ��に限定されるものではなく、金属基板の材� ��等により異なるものであるが、通常、10μm~3 0μmの範囲内であるが、なかでも15μm~25μmの範 囲内であることが好ましい。金属基板の膜厚 が薄すぎると、機械的強度が低下する可能性 があり、金属基板の膜厚が厚すぎると、本態 様のサスペンション用基板の低剛性化を図る ことが困難だからである。

 本態様に用いられる金属基板の残存割合と� ��ては、本態様のサスペンション用基板を反� ��が少ないものとすることができるものであ� ��ば良く、具体的には30%~100%の範囲内である� �とが好ましく、なかでも30%~60%の範囲内であ� ��ことが好ましい。上記範囲であることによ� ��、本態様のサスペンション用基板の低剛性� ��を十分に図ることができ、本態様の効果を� ��り発揮することができるからである。
 なお、上記金属基板の残存割合とは、本態� ��のサスペンション用基板の平面視面積に占� ��る、上記金属基板の平面視面積の割合をい� ��ものである。また上記サスペンション用基� ��の平面視面積とは、上記サスペンション用� ��板の外径線によって囲まれる面積であり、� ��部に貫通孔が形成されている場合は、その� ��通孔の平面視面積をも含むものである。

(3)配線層3
 本態様に用いられる配線層は、上述した絶� ��層上に形成されるものであり、本態様のサ� ��ペンション用基板をHDDに用いた場合に、ス� ��イダーを介してディスクに書き込まれるデ� ��タや、ディスクから読み出されたデータを� ��電気信号として伝送するものである。

 本態様に用いられる配線層の材料として� ��、例えば銅(Cu:圧延銅、電解銅)等を挙げる� �とができる。

 本態様に用いられる配線層の厚みとして� ��、所望の導電性を発揮することができれば� ��特に限定されるものではないが、通常、6μm ~18μmの範囲内であることが好ましく、なかで も8μm~12μmの範囲内であることが好ましい。� �記範囲であることにより、本態様のサスペ� �ション用基板の低剛性化を図ることができ� �からである。

 本態様に用いられる配線層の線幅として� ��、所望の導電性を発揮することができるも� ��であれば特に限定されるものではないが、1 0μm~100μmの範囲内であることが好ましく、な� ��でも15μm~50μmの範囲内であることが好まし� �。上記範囲であることにより、本態様のサ� �ペンション用基板の低剛性化を図ることが� �きるからである。

 本態様に用いられる配線層は、通常、その� ��面にニッケル(Ni)や、金(Au)による保護めっ� �層が形成されていることが好ましい。上記� �線層を腐食に強いものとすることができる� �らである。
 また、上記保護めっき層の膜厚としては、5 μm以下であることが好ましく、なかでも1μm~2 μmの範囲内であることが好ましい。

(4)サスペンション用基板10
 本態様のサスペンション用基板の製造方法� ��しては、金属基板、絶縁層、配線層、およ� ��カバー層が、精度良く、かつ密着性良く積� ��されたものとすることができる方法であれ� ��特に限定されるものではなく、一般的なサ� ��ペンション用基板の製造方法を用いること� ��でき、具体的には、後述する「B.サスペン� �ョン用基板の製造方法」の項に記載するも� �と同様の方法を用いることができる。

(5)用途
 本態様のサスペンション用基板の用途とし� ��は、ハードディスクドライブ(HDD)の磁気ヘ� �ドサスペンション等に用いられ、なかでも� �剛性化された場合であっても反りが少ない� �とが要求されるハードディスクドライブ(HDD) の磁気ヘッドサスペンションに好適に用いら れる。

2.第2態様
 本発明のサスペンション用基板の第2態様に ついて説明する。本態様のサスペンション用 基板は、上述したサスペンション用基板にお いて、上記絶縁層形成材料およびカバー層形 成材料が、同一の非感光性材料であり、かつ 両者の吸湿膨張係数が、0/%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内である態様である。

 このような本態様のサスペンション用基板� ��しては、既に説明した図1に示すものと同様 のものとすることができる。
 ここで、上記絶縁層2およびカバー層4を構� �する絶縁層形成材料およびカバー層形成材� �が、同一の非感光性材料であり、かつ両者� �吸湿膨張係数が、0/%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内の材料である。

 本態様によれば、上記絶縁層形成材料およ� ��カバー層形成材料を形成する非感光生材料� ��吸湿膨張係数が、上記範囲であることによ� ��、本態様のサスペンション用基板を低剛性� ��した場合であっても、吸湿による反りが少� ��くなる。
 また、上記絶縁層形成材料およびカバー層� ��成材料が同一の非感光性材料からなること� ��より、上記絶縁層形成材料およびカバー層� ��成材料の吸湿膨張係数等の物性値の差がな� ��なる、さらに上記絶縁層形成材料およびカ� ��ー層形成材料によって形成される絶縁層お� ��びカバー層の吸湿による膨張割合の差によ� ��反りの発生がなくなる。また、上記絶縁層� ��成材料およびカバー層形成材料が同一の非� ��光性材料からなることにより、上記吸湿膨� ��係数等の物性の調整等が容易なものとする� ��とができ、さらに高価な溶媒等が不要であ� ��ことからコストの低減を図ることができる� ��

 本態様のサスペンション用基板は、金属基� ��、絶縁層、配線層、およびカバー層を少な� ��とも有する。
 以下、本態様のサスペンション用基板の各� ��成について説明する。なお、上記金属基板� ��よび配線層については、上記「1.第1態様」� ��項に記載したものと同様のものを用いるこ� ��ができるため、ここでの記載は省略する。

(1)絶縁層2およびカバー層4
 本態様に用いられる絶縁層は、上記金属基� ��上に形成されるものであり、絶縁層形成材� ��からなるものである。
 また、本態様に用いられるカバー層は、上� ��絶縁層上に形成され、上記配線層の一部を� ��う、カバー層形成材料からなる。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料は、同一の非感光性材料か� ��なり、かつ両者の吸湿膨張係数が、0/%RH~30× 10 ^-6 /%RHの範囲内のものである。
 なお、上記絶縁層形成材料およびカバー層� ��成材料が、同一の材料であるとは、含まれ� ��ポリマーの主鎖または置換基の、種類およ� ��含有量が同一であれば良く、後述する添加� ��の種類、含有量の同一までも要するもので� ��ない。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料の吸湿膨張係数は0/%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内であれば良いが、なかでも5×10 ^-6 /%RH~20×10 ^-6 /%RHの範囲内であることが好ましく、特に5×10 ^-6 /%RH~15×10 ^-6 /%RHの範囲内であることが好ましい。上記範� �であることにより、本態様のサスペンショ� �用基板を低剛性化した場合であっても、吸� �による反りをより少ないものとすることが� �きるからである。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料およ� ��カバー層形成材料の吸水係数としては、0.01 %~2.5%の範囲内であることが好ましく、なかで も0.7%~1.5%の範囲内であることが好ましい。上 記範囲であることにより、上記絶縁層および カバー層の吸湿を少ないものとすることがで き、上記絶縁層およびカバー層が吸湿膨張す ることを抑制することができるからである。 このため、上記金属基板の残存割合を減少さ せ、本態様のサスペンション用基板を低剛性 化した場合であっても反りが少ないものとす ることができるからである。また、上記範囲 より小さいと、カバー層と絶縁層との密着性 が低下する可能性があるからであり、上記範 囲より大きいと、吸湿による反りが大きいも のとなるからである。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料の熱膨張係数としては、本� ��様のサスペンション用基板を、上記金属基� ��と、上記絶縁層形成材料およびカバー層形� ��材料との熱膨張係数の差による反りが少な� ��ものとすることができれば良いが、15×10 ^-6 /℃~30×10 ^-6 /℃の範囲内であることが好ましく、なかで� �15×10 ^-6 /℃~25×10 ^-6 /℃の範囲内であることが好ましく、特に15×1 0 ^-6 /℃~20×10 ^-6 /℃の範囲内であることが好ましい。上記範� �であることにより、本態様のサスペンショ� �用基板を低剛性化した場合であっても、温� �変化による反りがより少ないものとするこ� �ができるからである。

 本態様に用いられる絶縁層形成材料および� ��バー層形成材料は、両者の吸湿膨張係数を� ��述した範囲内とすることができ、さらに絶� ��性を有するものであれば良く、通常、絶縁� ��の絶縁性材料を含むものである。
 このような絶縁性材料としては、上記「1.� �1態様」の項に記載した非感光性絶縁性材料� ��同様のものとすることができるため、ここ� ��の記載を省略する。

 また本態様に用いられる絶縁層形成材料� ��よびカバー層形成材料は、必要に応じて、� ��塑剤、界面活性剤、消泡剤等の添加剤を含� ��ものであっても良い。

 なお、上述した絶縁層形成材料およびカ� ��ー層形成材料によって形成される絶縁層お� ��びカバー層としては、上記「1.第1態様」の� ��に記載したものと同様の内容とすることが� ��きるので、ここでの記載を省略する。

(2)サスペンション用基板10
 本態様のサスペンション用基板の製造方法� ��しては、金属基板、絶縁層、配線層、およ� ��カバー層が、精度良く、かつ密着性良く積� ��されたものとすることができる方法であれ� ��特に限定されるものではなく、一般的なサ� ��ペンション用基板の製造方法を用いること� ��でき、具体的には、後述する「B.サスペン� �ョン用基板の製造方法」の項に記載するも� �と同様の方法を用いることができる。

(3)用途
 本態様のサスペンション用基板の用途とし� ��は、ハードディスクドライブ(HDD)の磁気ヘ� �ドサスペンション等に用いられ、なかでも� �剛性化された場合であっても反りが少ない� �とが要求されるハードディスクドライブ(HDD) の磁気ヘッドサスペンションに好適に用いら れる。

B.サスペンション用基板の製造方法
 本発明のサスペンション用基板の製造方法� ��、金属基板と、上記金属基板上に形成され� ��絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線� ��と、上記絶縁層上に形成され、少なくとも� ��記配線層の一部を覆うカバー層とを有する� ��スペンション用基板の製造方法であって、� ��記金属基板上に、絶縁層形成材料からなる� ��記絶縁層をパターン状に形成する絶縁層形� ��工程と、上記絶縁層上に、カバー層形成材� ��からなる上記カバー層をパターン状に形成� ��るカバー層形成工程とを有し、上記絶縁層� ��成材料およびカバー層形成材料が異なる材� ��であり、かつ両者の吸湿膨張係数が、0/%RH~3 0×10 ^-6 /%RHの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿� �張係数の差が、5×10 ^-6 /%RH以下の範囲内であることを特徴とするも� �である。

 このような本発明のサスペンション用基板� ��製造方法を、図を参照して説明する。図2は 、本発明のサスペンション用基板の製造方法 の一例を示す工程図である。本発明のサスペ ンション用基板の製造方法は、図2(a)に示す� �うに、金属基板用層1´と、上記絶縁層形成� �料からなる絶縁層形成用層2´と、配線層形� �用層3´とが積層した積層体を準備した後、� �ライフィルム等のフォトレジスト層11を設け 、所定の形状にパターニングする(図2(b))。次 いで、金属基板用層1´および配線層形成用層 3´をエッチングによりパターニングし、上記 フォトレジスト層11を剥離することにより、� ��属基板1および配線層3をパターン状に形成� �る(図2(c))。次いで、ドライフィルム等のフ� �トレジスト層11を設け、所定の形状にパター ニングし(図2(d))、絶縁層形成用層2´をエッチ ングによりパターニングした後(図2(e))、上記 フォトレジスト層11を剥離することにより、� ��縁層2をパターン状に形成する(図2(f))。
 さらに、配線層3を給電層として電解メッキ することにより、配線層3の表面に保護めっ� �層5を形成する(図2(g))。

 続いて、図3(a)に示すように、絶縁層2上� �上記カバー層形成材料からなるカバー層形� �用層4´を形成し、さらに上記カバー層形成� �層4´上にドライフィルム等のフォトレジス� �層11を設け(図3(b))、フォトレジスト層11を所� ��の形状にパターニングする(図3(c))。次いで� ��カバー層形成用層4´をエッチングによりパ� ��ーニングし、カバー層4を形成する(図3(d))。 次に上記フォトレジスト層11を剥離しサスペ� ��ション用基板10を製造する(図3(e))。また、� �成されたサスペンション用基板10に含まれる 絶縁層2には、低剛性化のため、金属基板1が� ��去され、絶縁層2の一方の表面が金属基板1� �よって被覆されていない、低剛性化領域6が� ��成されている。

 ここで、上記絶縁層形成材料およびカバー� ��形成材料は、両者が異なる材料であり、か� ��両者の吸湿膨張係数が、0/%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿� �張係数の差が、5×10 ^-6 /%RH以下の範囲内である材料である。
 なお、図2(a)~(c)が、金属基板および配線層� �成工程であり、図2(d)~(f)が、絶縁層形成工程 である。また、図2(g)が保護めっき層形成工� �であり、図3(a)~(e)がカバー層形成工程である 。

 本発明によれば、上記カバー層形成材料� ��よび絶縁層形成材料の吸湿膨張係数および� ��両者の上記吸湿膨張係数の差が、上記範囲� ��あるような材料を用いて、絶縁層およびカ� ��ー層を形成することにより、本発明の製造� ��法によって製造されるサスペンション用基� ��が、低剛性化されたものである場合であっ� ��も、吸湿による反りが少ないものとするこ� ��ができる。

 本発明のサスペンション用基板の製造方� ��は、少なくとも絶縁層形成工程と、カバー� ��形成工程とを有するものである。以下、本� ��明のサスペンション用基板の製造方法の各� ��程について詳細に説明する。

1.絶縁層形成工程
 本発明における絶縁層形成工程は、上記金� ��基板上に、絶縁層形成材料からなる絶縁層� ��パターン状に形成する工程である。

 本工程に用いられる絶縁層形成材料は、後� ��するカバー層形成工程において用いられる� ��バー層形成材料とは異なる材料であり、か� ��吸湿膨張係数が、0/%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内であり、後述するカバー層形成� �料との吸湿膨張係数の差が、5×10 ^-6 /%RH以下の範囲内であるものである。このよ� �な絶縁層形成材料としては、特性およびそ� �を構成する材料が、上記「A.サスペンション 用基板」の項に記載されたものと同様のもの を用いることができるため、ここでの記載を 省略する。

 本工程において、絶縁層をパターン状に� ��成する方法としては、上述した絶縁層形成� ��料からなる絶縁層を、所望のパターン状に� ��成することができる方法であれば特に限定� ��れるものではなく、例えば、上記金属基板� ��全面に、上記絶縁層形成材料からなる絶縁� ��形成用層を形成した後、既に説明した図2(d) に示すように、上記絶縁層形成用層2´のエッ チングしない領域上にパターン状のフォトレ ジスト層11を形成し、所定のエッチング液で� ��縁層形成用層2´をエッチングし絶縁層2を形 成し(図2(e))、その後、図2(f)に示すようにフ� �トレジスト層11を除去する方法等を挙げるこ とができる。

 上記絶縁層形成材料からなる絶縁層形成用� ��の形成方法としては、上記絶縁層形成用層� ��均一な膜厚で形成することができるもので� ��れば特に限定されるものではなく、上記絶� ��層形成材料を直接塗布して形成する方法を� ��いても良く、上記絶縁層形成材料を溶媒中� ��分散または溶解させ、液状絶縁層形成用材� ��としたものを塗布し、乾燥させることによ� ��形成する方法を用いても良い。
 また、塗布方法としては、上記絶縁層形成� ��層の膜厚を均一なものとすることができる� ��法であれば特に限定されるものではなく、� ��イコート法等公知の方法を用いることがで� ��る。

 また、上記パターン状のフォトレジスト層� ��形成方法としては、液状の感光性樹脂を塗� ��・乾燥させることでフォトレジスト層とし� ��もの、あるいはドライフィルム状の感光性� ��脂であるドライフィルムレジストをフォト� ��ジスト層として上記絶縁層の全面に貼り合� ��せたものを、フォトマスク等を介して露光� ��、現像する方法を挙げることができる。
 また、上記感光性樹脂、および露光・現像� ��方法としては、サスペンション用基板の製� ��に一般的に使用されている方法を用いるこ� ��ができる。

 なお、上記金属基板および形成された絶� ��層としては、上述した「A.サスペンション� �基板」の項に記載したものと同様の内容と� �ることができるため、ここでの記載は省略� �る。

2.カバー層形成工程
 本発明におけるカバー層形成工程は、上記� ��縁層形成工程によって形成された絶縁層上� ��、カバー層形成材料からなり、少なくとも� ��記配線層の一部を覆うカバー層をパターン� ��に形成する工程である。

 本工程に用いられるカバー層形成材料は、� ��記絶縁層形成工程において用いられる絶縁� ��形成材料とは異なる材料であり、かつ吸湿� ��張係数が、3×10 ^-6 /%RH~30×10 ^-6 /%RHの範囲内であり、上記絶縁層形成材料と� �吸湿膨張係数の差が、5×10 ^-6 /%RH以下の範囲内であるものである。このよ� �なカバー層形成材料としては、特性および� �れを構成する材料が、上記「A.サスペンショ ン用基板」の項に記載されたものと同様の内 容とすることができるため、ここでの記載を 省略する。

 本工程において、カバー層をパターン状� ��形成する方法としては、上述したカバー層� ��成材料からなるカバー層を、所望のパター� ��状に形成することができる方法であれば特� ��限定されるものではなく、例えば、既に説� ��した図3に示すように、上記絶縁層形成工程 によって形成された絶縁層2の全面に、カバ� �層形成材料からなるカバー層形成用層4´を� �成する(図3(a))。次いで、カバー層形成用層4� �のエッチングしない領域にパターン状のフ� �トレジスト層11を形成した後(図3(b)~(c))、所� �のエッチング液でカバー層形成用層4´をエ� �チングすることで現像し、カバー層4を形成� ��る(図3(d))。その後、フォトレジスト層11を� �去する方法を挙げることができる。ここで� �エッチングしない領域は、少なくとも、上� �配線層の一部と重なるように選択されるも� �である。

 本工程においては、なかでも、上記カバ� ��層形成材料が、非感光性である場合におい� ��、上記絶縁層2の全面に、非感光性のカバー 層形成材料からなる非感光性カバー層形成用 層4″と、上記非感光性カバー層形成用層4″� ��の感光性樹脂からなるフォトレジスト層と� ��形成された積層体11Aを設ける。次にこの積� ��体11Aの上記フォトレジスト層11を、パター� �状に露光し、パターン状に露光されたフォ� �レジスト層11の現像と同時に、上記非感光性 カバー層形成用層4″の現像を行うことで、� �記カバー層4をパターン状に形成することが� ��ましい。

 上記カバー層形成工程が、上記フォトレ� ��スト層11をパターン状に露光し、上記露光� �れたフォトレジスト層11の現像と同時に、上 記非感光性カバー層形成用層4″の現像を行� �ことで、上記カバー層4をパターン状に形成� ��ることにより、上記カバー層4の形成に必要 となる作業数を少ないものとすることができ る。

 上記カバー層形成材料からなるカバー層� ��成用層の形成方法としては、上記カバー層� ��成用層を均一な膜厚で形成することができ� ��ものであれば特に限定されるものではなく� ��例えば、フィルム状のカバー層形成材料を� ��バー層形成用層として上記絶縁層の全面に� ��り合わせて形成するものであっても良く、� ��記カバー層形成材料を溶媒中に分散または� ��解させ、液状カバー層形成用材料としたも� ��を塗布し、乾燥させることにより形成する� ��法を用いても良い。

 本工程においては、なかでも、上記カバー� ��が、上記カバー層形成材料を含む液状カバ� ��層形成材料を塗布することにより形成され� ��カバー層形成用層を用いて形成されること� ��好ましい。上記カバー層が、上記カバー層� ��成材料を含む液状カバー層形成材料を用い� ��形成されることにより、上記カバー層の薄� ��化が容易となる。
 ここで、上記カバー層形成材料が、感光性� ��料である場合には、上記液状カバー層形成� ��料として、上記感光性絶縁性材料または感� ��性モノマーと、光重合開始剤とを含むもの� ��用いても良い。

 また、上記パターン状のフォトレジスト層� ��形成方法としては、上記「1.絶縁層形成工� �」の項に記載したものと同様の方法を用い� �ことができる。
 また、上記配線層および形成されたカバー� ��としては、上記「A.サスペンション用基板� �の項に記載したものと同様の内容とするこ� �ができる。

3.サスペンション用基板の製造方法
 本発明のサスペンション用基板の製造方法� ��、少なくとも上記絶縁層形成工程およびカ� ��ー層形成工程を有するものであれば良く、� ��常、金属基板を所望のパターンに形成する� ��属基板形成工程および配線層を所望のパタ� ��ンに形成する配線層形成工程を有するもの� ��ある。また、必要に応じて、配線層の表面� ��保護めっき層を形成する保護めっき層形成� ��程を有するものであっても良い。

 このような金属基板形成工程および配線層� ��成工程において、金属基板および配線層を� ��成する方法としては、それぞれ金属基板、� ��線層を所望の位置に精度良く形成すること� ��できる方法であれば良く、具体的には、上� ��した絶縁層形成工程およびカバー層形成工� ��と同様に、エッチングしない領域にパター� ��状のフォトレジスト層を形成し、その後、� ��定のエッチング液でエッチングする方法等� ��挙げることができる。
 また、上記保護めっき層形成工程において� ��保護めっき層を形成する方法としては、上� ��配線層を給電層として用いて、電解めっき� ��ることにより、保護めっき層を形成するこ� ��ができる。

 また、本発明においては、上記絶縁層形� ��工程およびカバー層形成工程の形成順番と� ��ては、いずれが先であっても良く、本発明� ��製造方法によって製造されるサスペンショ� ��用基板の用途等に応じて適宜設定すること� ��できる。

 本発明のサスペンション用基板の製造方� ��によって製造されるサスペンション用基板� ��用途としては、ハードディスクドライブ(HDD )の磁気ヘッドサスペンション等に用いられ� �なかでも低剛性化された場合であっても反� �が少ないことが要求されるハードディスク� �ライブ(HDD)の磁気ヘッドサスペンションに好 適に用いられる。

 なお、本発明は、上記実施形態に限定さ� ��るものではない。上記実施形態は例示であ� ��、本発明の特許請求の範囲に記載された技� ��的思想と、実質的に同一の構成を有し、同� ��な作用効果を奏するものは、いかなる場合� ��あっても本発明の技術的範囲に包含される� ��