TECHNISCHES GEBIET

[0001] Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf Vakuumprozesssysteme, insbesondere auf Beschichtungssysteme und auf den Transport von Substraten, insbesondere mittels Stützstrukturen, z.B. Halte- und/oder Transportstrukturen, in einem Vakuumprozesssystem.

STAND DER TECHNIK

[0002] Zu den Techniken für die Schichtenabscheidung auf ein Substrat gehören z.B. die Kathodenzerstäubungsabscheidung, die thermische Verdampfung und die chemische Gasphasenabscheidung. Beispielsweise können Materialschichten auf das Substrat abgeschieden werden, z.B. eine Schicht aus einem leitenden Material oder einem isolierenden Material. Beschichtete Materialien können in mehreren Anwendungen und in mehreren technischen Bereichen verwendet werden. Eine Anwendung hegt z.B. im Bereich der Mikroelektronik, z.B. zur Erzeugung von Halbleiterbauelementen. Auch Substrate für Displays werden oft durch physikalische Abscheidung aus der Gasphase (PVD), z.B. durch ein S putterverfahren, oder durch chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD) beschichtet. Weitere Anwendungen sind Isolierplatten, Substrate mit TFT, Farbfilter, Batteriekomponenten oder ähnliches.

[0003] Für die Beschichtung von Material auf Substrate werden Prozesssysteme verwendet, die mehrere Vakuumkammem mit verschiedenen Bedingungen bereitstellen. Carrier oder Träger dienen zum Transport der Substrate durch die Prozesssysteme. Die Substrate werden in die Träger, die zumeist in Form von Rahmen bereitgestellt sind, eingespannt oder eingelegt, in das System geladen, durch das System transportiert, im System prozessiert und wieder aus dem System ausgeschleust.

[0004] Die transportieren Substrate weisen im Vergleich zum Träger eine geringe Dicke auf, sodass beim Transport unterschiedliche Probleme auftreten, die sich vor allem in Bezug auf die unterschiedlichen Bedingungen in den Vakuumkammem ergeben können. [0005] Im Hinblick auf das Vorstehende ist es daher vorteilhaft, verbesserte Vorrichtungen, Systeme und Verfahren bereitzustellen, um zumindest einige entscheidende Probleme des Stands der Technik zu überwinden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

[0006] Im Hinblick auf das Vorstehende wird ein Vakuumprozesssystem zum Prozessieren eines Substrats bereitgestellt. Das Vakuumprozesssystem umfasst eine erste Vakuumkammer mit einem ersten Gasdruck, eine zweite Vakuumkammer mit einem zweiten Gasdruck und eine Gastrenneinheit zwischen der ersten Vakuumkammer und der zweiten Vakuumkammer. Die Gastrenneinheit stellt eine Verbindung zwischen der ersten Vakuumkammer und der zweiten Vakuumkammer bereit. Die Gastrenneinheit ist angepasst, mit einer oder mehreren Stützstrukturen zusammenzuwirken, um einen Gasfluss von der ersten Vakuumkammer zur zweiten Vakuumkammer und/oder umgekehrt zu minimieren.

[0007] Gemäß einem Aspekt wird eine Stützstruktur zum Transportieren eines Substrats in einer Vakuumkammer bereitgestellt. Die Stützstruktur umfasst einen Körper, der angepasst ist, das Substrat zu halten und eine Transportvorrichtung, die angepasst ist, den Körper in einem Vakuumprozesssystem in eine Transportrichtung T zu transportieren. Der Körper ist ferner angepasst, einen Gasfluss im Bereich einer Gastrenneinheit in dem Vakuumprozesssystem zu minimieren.

[0008] Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Transportieren eines Substrats in einem Vakuumprozesssystem bereitgestellt. Das Verfahren umfasst Bereitstellen eines Vakuumprozesssystems gemäß hierin beschriebener Ausfiihrungsformen, Bereitstellen einer oder mehrerer Stützstrukturen, und Transportieren eines Substrates mittels der ein oder mehreren Stützstrukturen durch das Vakuumprozesssystem in mindestens einer Transportrichtung.

[0009] Ausführungsformen richten sich auch auf Vorrichtungen zur Durchführung der offengelegten Verfahren und umfassen Teile der Vorrichtung zur Durchführung jedes beschriebenen Verfahrensaspekts. Diese Verfahrensaspekte können durch Hardwarekomponenten, einen mit geeigneter Software programmierten Computer, durch eine beliebige Kombination der beiden oder auf andere Weise durchgeführt werden. Darüber hinaus richten sich Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung auch auf Verfahren zum Betrieb der beschriebenen Vorrichtungen. Sie umfasst Verfahrensaspekte zur Ausführung jeder Funktion der Vorrichtung.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

[0010] Damit die Art und Weise, in der die oben angeführten Merkmale der vorliegenden Offenbarung im Detail verstanden werden können, kann eine konkretere Beschreibung der Offenbarung, die oben kurz zusammengefasst wurde, durch Bezugnahme auf Ausführungsformen erfolgen. Die begleitenden Zeichnungen beziehen sich auf Ausfiührungsformen der Offenbarung und werden im Folgenden beschrieben:

Figs. 1 A und IB zeigen schematisch eine Draufsicht auf ein Vakuumprozesssystem gemäß hierin beschriebener Ausfiührungsformen;

Fig. 2 zeigt schematisch einen Querschnitt eines Vakuumprozesssystems gemäß hierin beschriebener Ausfiührungsformen;

Fig. 3 zeigt schematisch eine Draufsicht auf ein Vakuumprozesssystem gemäß hierin beschriebener Ausfiührungsformen;

Fig. 4 zeigt schematisch einen Querschnitt eines Vakuumprozesssystems gemäß hierin beschriebener Ausfiührungsformen;

Fig. 5 zeigt eine Seitenansicht einer Stützstruktur gemäß hierin beschriebener

Ausfiührungsformen;

Fig. 6 zeigt schematisch eine Draufsicht auf ein Vakuumprozesssystem gemäß hierin beschriebener Ausfiührungsformen;

Fig. 7 zeigt schematisch eine Draufsicht auf ein Vakuumprozesssystem gemäß hierin beschriebener Ausfiührungsformen; und

Fig. 8 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens gemäß hierin beschriebener

Ausfiührungsformen. WEGE ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG

[0011] Es wird nun im Einzelnen auf die verschiedenen Ausführungsformen der Offenlegung eingegangen, von denen ein oder mehrere Beispiele in den Abbildungen illustriert sind. In der folgenden Beschreibung der Zeichnungen beziehen sich die gleichen Referenznummern auf die gleichen Komponenten. Generell werden nur die Unterschiede in Bezug auf einzelne Ausführungsformen beschrieben. Jedes Beispiel dient der Erläuterung der Offenbarung und ist nicht als eine Einschränkung der Offenbarung gedacht. Ferner können Merkmale, die als Teil einer Ausführungsform dargestellt oder beschrieben sind, auf oder in Verbindung mit anderen Ausführungsformen angewendet werden, um eine weitere Ausfiihrungsform zu erhalten. Es ist beabsichtigt, dass die Beschreibung solche Modifikationen und Variationen enthält.

[0012] Ist im Nachfolgenden von „Stützstruktur“ die Rede, so beziehen sich diese Absätze gleichwohl auf eine Stützstruktur oder auf mehrere Stützstrukturen. Insbesondere können die mehreren Stützstrukturen in Reihe geschaltet vorkommen, d.h. mehrere Stützstrukturen können hintereinander aneinandergereiht und/oder gekoppelt sein.

[0013] Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Vakuumprozesssystem und eine Stützstruktur zur Verbesserung der Gastrennung innerhalb oder zwischen Vakuumkammem. Vor allem am Übergang zwischen Vakuumkammern in einem Vakuumprozesssystem können Gasflüsse z.B. durch Druck- bzw. Partialdruckdifferenzen entstehen. Dies kann damit Zusammenhängen, dass die Substrate eine geringere Dicke als die Träger, die die Substrate durch das System transportieren, aufweisen. Hierdurch entsteht ein großer Querschnitt, durch den Gas von einer Vakuumkammer in eine benachbarte Vakuumkammer strömen kann und die jeweiligen Vakuumbedingungen nachteilig beeinflusst. Das offenbarte Vakuumprozesssystem und die Vorrichtung sowie korrespondierende Verfahren verhindern bzw. minimieren einen solchen Gasfluss und stellen ein verbessertes System, verbesserte Vorrichtungen und Verfahren bereit.

[0014] Des Weiteren betrifft die vorliegende Offenbarung ein Vakuumprozesssystem und eine Stützstruktur zur Umsetzung hoher Gastrennfaktoren in einem Vakuumsystem. Zum Beispiel können das beschriebene Vakuumprozesssystem und/oder die beschriebene Stützstruktur zum Transportieren von Substraten Gastrennfaktoren zwischen 50 und 1000, je nach Länge und Anzahl der Gastrennungseinheiten in Transportrichtung, erreichen. [0015] Die hierein beschriebenen Ausführungsformen können sich beispielsweise sowohl auf eine Gastrennung zwischen zwei Vakuumkammem mit unterschiedlichen Partialdrücken von Gasgemischen, z.B. zwischen zwei Prozesskammern, als auch auf eine Gastrennung zwischen Bereichen mit unterschiedlichen Gesamtdrücken, z.B. zwischen atmosphärischen Bereichen im System und Vakuumkammem, z.B. auf die Gastrennung an Schleusen, beziehen.

[0016] Beispielsweise kann die Gastrennung im Wesentlichen dazu dienen, in Vakuumkammern, z.B. in Prozesskammem, verwendete Gase, z. B. Prozessgase voneinander zu trennen. Dabei können in jeder Vakuumkammer verschiedene Gasgemische vorhanden sein. Daraus können sich verschiedene Partialdrücke der Gase bzw. Gasgemische ergeben, was zu einem Gasfluss zwischen den Vakuumkammern führen kann, vor allem, wenn ein Transport eines Substrats von einer Vakuumkammer zu einer anderen Vakuumkammer stattfmdet. Die Vakuumkammem können von einander abgeschlossen bereitgestellt werden. Beispielsweise kann ein Transport eines Substrats durch das Öffnen und Schließen der Vakuumkammern stattfmden. Oder aber kann erfindungsgemäß auf das Öffnen und Schließen der Vakuumkammem verzichtet werden.

[0017] Beispielweise kann in einer ersten Prozesskammer ein sogenannter „Reaktiver Sputterprozess“ mit Sauerstoff und Argon als Prozessgase stattfmden. In einer zweiten Prozesskammer kann z.B. ein (rein metallischer) Sputterprozess ohne Sauerstoff und mit Argon stattfmden. Durch eine Gastrennung kann ein Sauerstoffpartialdruck in der zweiten Prozesskammer niedrig gehalten werden. Somit kann dort die Initialisierung eines reaktiven Prozesses bzw. die Kontamination der zweiten Prozesskammer mit Sauerstoff verhindert werden.

[0018] Ferner kann beispielsweise die Gastrennung im Wesentlichen dazu dienen, den Gesamtdruck in einem Vakuumprozesssystem stufenweise zu verändern. Beispielsweise kann über ein dynamisches Schleusen-Vakuumprozesssystem der Gesamtdruck von atmosphärischem Druck hin zu einem Hochvakuum und umgekehrt ab- bzw. aufgebaut werden. Die Gastrennungen oder Stufen können den Gesamtdruck z.B. einen Luftdruck, von atmosphärischen Bedingungen zu einem Grobvakuum und über ein Feinvakuum zu einem Hochvakuum hin abbauen. In dem dynamischen Schleusen-Vakuumprozesssystem können Übergänge zwischen einzelnen Bereichen und/oder Vakuumkammem durchgängig sein, d.h. es muss kein Verschluss der einzelnen Bereiche und/oder Vakuumkammern bereitgestellt werden. Vielmehr können die Bereiche und/oder Vakuumkammem über eine Gastrenneinheit von einander abgetrennt sein. Mit anderen Worden kann ein dynamisches Schleusen- Vakuumprozesssystem an den Übergängen zwischen verschiedenen Bereichen und/oder Vakuumkammern jeweils eine Öffnung (ohne Verschlussvorrichtung) umfassen.

[0019] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können und wie beispielhaft in Fig. 1 A gezeigt, wird ein Vakuumprozesssystem 100 zum Prozessieren eines Substrats bereitgestellt. Das Vakuumprozesssystem 100 umfasst eine erste Vakuumkammer 105 mit einem ersten Gasdruck, eine zweite Vakuumkammer 106 mit einem zweiten Gasdruck und eine Gastrenneinheit 120 zwischen der ersten Vakuumkammer 105 und der zweiten Vakuumkammer 106. Die Gastrenneinheit 120 stellt eine Verbindung zwischen der ersten Vakuumkammer und der zweiten Vakuumkammer bereit. Die Gastrenneinheit 120 ist angepasst, mit einer oder mehreren Stützstrukturen 110 zusammenzuwirken, um einen Gasfluss von der ersten Vakuumkammer 105 zur zweiten Vakuumkammer 106 und/oder umgekehrt zu minimieren. Die Gastrenneinheit 120 kann innerhalb der ersten und/oder zweiten Vakuumkammer angebracht sein. Das Vakuumprozesssystem kann eine oder mehrere Vakuumpumpen, Vakuumpumpstände und/oder Vakuumpumpdruckstufen umfassen.

[0020] Der Begriff „Gasdruck“ wie hierin verwendet, kann sowohl den Gesamtdruck im Vakuumprozesssystem bzw. einer oder mehrerer Vakuumkammem und/oder einen Partialdruck, insbesondere ein Gaspartialdruck eines Gases bzw. eines Gasgemisches z.B. in einer Vakuumkammer, umfassen. Ferner kann der Begriff „Gasfluss“ wie hierin verwendet, sowohl eine Gasströmung, einen Gasaustausch und/oder die Diffusion von Gasen bzw. Gasmolekülen umfassen.

[0021] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann das Vakuumprozesssystem ein Beschichtungsprozesssystem sein, insbesondere kann das Vakuumprozesssystem ein Beschichtungsprozesssystem mittels physikalischer und/oder chemischer Gasphasenabscheidung (PVD oder CVD), ein Beschichtungsprozesssystem mittels thermischem Verdampfen organischer (z.B. OLED- Materialien) als auch nichtorganischer (z.B. Lithium) Materialien und/oder ein Beschichtungsprozesssystem mittels Kathodenzerstäubung sein. Das Vakuumprozesssystem kann angepasst sein, ein oder mehrere Substrate zu prozessieren z.B. mit einem oder mehreren Materialien zu beschichten. Die ein oder mehreren Stützstrukturen können angepasst sein, dass eine oder die mehreren Substrate durch das Vakuumprozesssystem zu transportieren. Die ein oder mehreren Stützstrukturen können Halte- und/oder Transportstrukturen sein.

[0022] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann das Vakuumprozesssystem mehrere Vakuumkammem umfassen. Insbesondere kann das Vakuumprozesssystem zwei Vakuumkammem, weiter insbesondere vier Vakuumkammem, weiter insbesondere sechs Vakuumkammem umfassen. Jede Vakuumkammer kann einen von den anderen Vakuumkammern verschiedenen Gasdruck aufweisen. Die Vakuumkammem können in Reihe geschaltet sein, d.h. die Vakuumkammem können jeweils entlang einer Transportrichtung miteinander sequentiell verbunden sein.

[0023] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, können die Vakuumkammem ausgewählt sein aus Schleusenkammern, Transferkammem, Prozesskammem und/oder Kombinationen. Beispielsweise kann insbesondere vor der ersten Vakuumkammer ein atmosphärischer Bereich sein, d.h. ein Bereich mit atmosphärischem Dmck zum Be- und/oder Entladen von Substraten in bzw. aus den Vakuumkammem. Beispielsweise kann das Vakuumprozesssystem in dieser Reihenfolge eine oder mehrere Schleusenkammern, eine oder mehrere Transferkammern und eine oder mehrere Prozesskammern umfassen.

[0024] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können und wie beispielhaft in Fig. 1B dargestellt, können die Vakuumkammem eine oder mehrere Pumpen 107 umfassen. Zusätzlich oder alternativ können die Vakuumkammem ein oder mehrere Pumpstände, z.B. Vakuumpumpstände, umfassen. Die Pumpen 107 können Vakuumpumpen sein. Durch die Pumpen kann in jeder Vakuumkammer ein vorbestimmter Druck eingestellt und/oder aufrechterhalten werden. Ferner können die Vakuumkammem, insbesondere die Prozesskammern einen oder mehrere Gaseinlässe umfassen. Dementsprechend kann in den Vakuumkammem, insbesondere in den Prozesskammern, ein oder mehrere Gase, insbesondere ein oder mehrere Prozessgase bereitgestellt werden.

[0025] Beispielsweise kann das Vakuumprozesssystem zumindest zwei Prozesskammern umfassen. In einer ersten Prozesskammer kann ein erster Gasdruck, insbesondere ein erster Gaspartialdruck, vorherrschen und in einer zweiten Prozesskammer kann ein zweiter Gasdmck, insbesondere ein zweiter Gaspartialdruck, vorherrschen. Die erste und die zweite Prozesskammer können über eine Gastrenneinheit verbunden sein.

[0026] Weiter beispielsweise kann das Vakuumprozesssystem Bereiche mit atmosphärischem Druck aufweisen. Zum Beispiel kann ein Bereich mit atmosphärischem Druck an eine erste Vakuumkammer angrenzen. Die erste Vakuumkammer einen ersten, insbesondere niedrigeren Gasdruck als der atmosphärische Bereich aufweisen, während eine zweite Vakuumkammer, die an die erste Vakuumkammer angrenzen kann, einen zweiten, z.B. niedrigeren Gasdruck als die erste Vakuumkammer aufweisen kann, etc. Insbesondere kann sich der Gasdruck von der ersten Vakuumkammer hin zu weiteren Vakuumkammern, z.B. bis hin zur vierten oder sechsten Vakuumkammer verringern. Beispielweise kann bei einem Vakuumprozesssystem mit vier Vakuumkammem in der ersten Vakuumkammer ein erster Vakuumdruck, z.B. ein Gr ob vakuum vorherrschen und in der vierten Vakuumkammer ein Hochvakuum vorherrschen. Das Vakuumprozesssystem kann auch eine ungerade Anzahl an Vakuumkammem aufweisen z.B. drei Vakuumkammem oder fünf Vakuumkammern.

[0027] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann der atmosphärische Bereich an eine Kammer angrenzen, in der ein Überdruck vorherrscht. Vorteilhafterweise kann ein Ansaugen von Luft aus dem atmosphärischen Bereich in die erste Vakuumkammer, also eine Kammer, in der ein Vakuum angelegt ist, verhindert werden. Somit kann eine hohe Partikelbelastung der ersten Vakuumkammer verhindert werden.

[0028] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, können ein oder mehrere Substrate kontinuierlich im atmosphärischen Bereich in das Vakuumprozesssystem, z.B. auf eine oder mehrere Stützstrukturen, wie hierin gemäß Ausführungsformen beschrieben, geladen werden. Vorteilhafterweise kann ein kontinuierlicher Substratladefluss von Atmosphäre zu Hochvakuum und zurück zur Atmosphäre gewährleistet werden. Dies kann ferner ermöglichen, dass eine Beschleunigungsstrecke für die eine oder mehreren, mit dem Substrat beladenen Stützstrukturen entfallt oder verkürzt werden kann. Eine Transportgeschwindigkeit der Stützstrukturen bzw. Substrate kann für alle Stützstrukturen bzw. Substrate konstant sein. Vorteilhafterweise kann eine Größe, z.B. die Länge des Vakuumprozesssystems in Transportrichtung, des Vakuumprozesssystems verringert werden und/oder gleichzeitig die Transportgeschwindigkeit und damit der Durchsatz/Produktivität der Anlage erhöht werden und somit Kosten gespart werden. Eine Beschränkung der Produktivität durch einen Schleusentakt kann somit vollständig entfallen.

[0029] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, können die Prozesskammern eine oder mehrere Vorrichtungen zur Prozessierung eines Substrats umfassen. Beispielsweise können die Prozesskammern Vorrichtungen zur Verdampfung von Beschichtungsmaterial auf das Substrat umfassen. Ferner können die Prozesskammem Kathodenanordnungen zum Sputtern von Material und/oder Verdampferanordnungen zum Verdampfen von Material umfassen.

[0030] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann zwischen jeder der Vakuumkammern eine Gastrenneinheit vorhanden sein. Beispielsweise kann die erste Vakuumkammer mit der zweiten Vakuumkammer über eine Gastrenneinheit verbunden sein. Die zweite Vakuumkammer kann über eine weitere Gastrenneinheit mit einer dritten Vakuumkammer verbunden sein, und die dritte Vakuumkammer kann über eine weitere Gastrenneinheit mit einer vierten Vakuumkammer verbunden sein, etc. Zusätzlich oder alternativ kann die Gastrenneinheit in einer Vakuumkammer vorhanden sein und die Vakuumkammer in zwei oder bei mehreren Gastrenneinheiten in mehrere Vakuumbereiche trennen.

[0031] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann das Vakuumprozesssystem ein dynamisches System sein. Als dynamisches System ist ein System zu verstehen, dass die Substrate kontinuierlich an Quellen, die z.B. Material für die Beschichtung der Substrate bereitstellen, während der Beschichtung vorbeifuhren kann und somit - im Gegensatz zu statischen Beschichtungen - in Transportrichtung eine sehr hohe Schichtgleichmäßigkeit erreichen kann. Zwischen den Prozesskammern kann auf Verriegelungen verzichtet werden. In konventionellen Vakuumprozesssystemen können die Vakuumkammem häufig verriegelt werden, um z.B. einen Gasfluss von einer Vakuumkammer in eine benachbarte Vakuumkammer zu verhindern. Nach dem Übergang einer Transportstruktur, die ein Substrat durch das Vakuumprozesssystem transportiert, kann die Vakuumkammer verriegelt werden und ein Prozess-Gasdruck z.B. durch einen Gaseinlass und gleichzeitiges Pumpen in der Kammer, eingestellt werden. In einem dynamischen System, das einen hohem Gastrennfaktor erreichen kann, kann eine Verriegelung der Vakuumkammern entfallen. Gemäß Ausführungsformen kann die Transportgeschwindigkeit der Stützstrukturen bzw. Substrate von der Prozessierungs- bzw. Beschichtungsrate des Substrats/der Substrate abhängig sein. Vorteilhafterweise kann ein dynamisches System einen hohen Prozessierungsdurchsatz bzw. Beschichtungsdurchsatz der Substrate gewährleisten.

[0032] Ferner vorteilhafterweise wird die Lebenszeit, insbesondere die Lebenszeit der zum Ein- und Ausschleusen verwendeten Vakuumkammern verlängert, da die Vakuumkammern bzw. Vakuumkammerwände keinen großen Druckschwankungen mit Taktfrequenz ausgesetzt sind, sodass Schweißnähte und/oder das Material nicht stark schwellend und/oder wechselnd belastet werden.

[0033] Vorteilhafterweise kann die Gastrenneinheit und/oder eine Stützstruktur wie hierin beschrieben einen Gasfluss in Richtung des niedrigeren Gasdrucks bzw. Partialdruckes, d.h. in Richtung der Kammer mit einem anderen bzw. niedrigeren Gasdruck und/oder Partialdruck im Vergleich zu benachbarten Vakuumkammem, minimieren oder verhindern. Durch die Trennung und Stabilisierung der jeweiligen Prozessgasumgebungen werden stabile Druckverhältnisse bzw. Partialdrücke in den jeweiligen Kammern und ein reibungsloser Prozessablauf sichergestellt. Ferner können Kosten eingespart werden und die Prozesszeit optimiert werden, da die Druckverhältnisse nicht mehr oder nur noch in geringem Umfang (nach)reguliert werden müssen. So kann ein störungsfreier, dynamischer Prozess mit optimaler Separation unterschiedlicher Prozesse und Transport des oder der zu prozessierenden und/oder der prozessierten Substrate im System sichergestellt werden.

[0034] Weiter vorteilhaft kann die Stützstruktur im Zusammenwirken mit der Gastrenneinheit einen Übergang bzw. Querschnitt zwischen den Vakuumkammern blockieren bzw. minimieren, sodass ein Gasfluss bzw. Gasaustausch zwischen den Vakuumkammern durch Minimierung des Leitwerts zwischen den Kammern, nahezu verhindert oder minimiert werden.

[0035] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können und wie beispielhaft in Fig. 1 A gezeigt, kann die Gastrenneinheit 120 eine Querschnittsbreite 121 aufweisen. Die Gastrenneinheit kann eine konstante Querschnittsbreite aufweisen, d.h. eine konstante Querschnittsbreite entlang einer Erstreckung der Gastrenneinheit in Transportrichtung. Als „Querschnittsbreite“ wie hierin verwendet, ist eine Ausdehnungsdimension der Gastrenneinheit, in eine Richtung anders als einer Transportrichtung T, zu verstehen. Insbesondere ist die Querschnittsbreite der Gastrenneinheit als kürzester Abstand zwischen zwei parallelen Wänden der Gastrenneinheit zu verstehen, deren längliche Ausdehnung parallel zur Transportrichtung T verläuft. Mit anderen Worten kann die Querschnittsbreite der Gastrenneinheit der kürzeste Abstand zwischen zwei parallelen Seitenwänden der Gastrenneinheit sein, wobei sich eine Länge dieser Seitenwände in Transportrichtung erstreckt. Auf ein kartesisches Koordinatensystem bezogen wie in Fig. 1 dargestellt, kann sich die Querschnittsbreite der Gastrenneinheit in eine z-Richtung erstrecken.

[0036] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Querschnittsbreite 121 der Gastrenneinheit so mit einer Querschnittsbreite 111 der ein oder mehreren Stützstrukturen Zusammenwirken, dass sich ein maximaler Spalt zwischen der Gastrenneinheit und der ein oder mehreren Stützstrukturen mit einer Querschnittsbreite zwischen 0,2 mm bis 5 mm, insbesondere zwischen 0,5 mm und 4 mm, weiter insbesondere von 2,5 mm ergibt. Als „Spalt“ bzw. Querschnittsbreite eines Spalts wie hierin verwendet, kann eine Strecke zwischen der Gastrenneinheit und der ein oder mehreren Stützstrukturen verstanden werden, die sich aus einem Abstand der ein oder mehreren Stützstrukturen von der Gastrenneinheit, insbesondere von den sich in Transportrichtung erstreckenden, parallelen Wänden der Gastrenneinheit, ergeben kann. Der Abstand kann dabei die Länge der kürzesten Strecke zwischen der Gastrenneinheit und der Stützstruktur sein. Ferner kann sich die Querschnittsbreite des Spaltes, d.h. eine Gesamtquerschnittsbreite des Spaltes, aus der Querschnittsbreite einzelner Spalte zwischen den parallelen Wänden der Gastrenneinheit und sich gegenüberliegenden Seitenflächen der ein oder mehreren Stützstrukturen ergeben. Zusätzlich oder alternativ kann der Spalt eine, um die ein oder mehrere Stützstrukturen, umlaufende Querschnittsbreite zwischen 0,2 mm bis 5 mm, insbesondere zwischen 0,5 mm und 4 mm, weiter insbesondere zwischen 1,5 mm und 3 mm aufweisen. Der Spalt kann einen Abstand zwischen der einen oder mehreren Stützstrukturen und einem Transportsystem des Vakuumprozesssystems umfassen.

[0037] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Querschnittsbreite 111 der ein oder mehreren Stützstrukturen zwischen 25 mm und 120 mm sein, insbesondere zwischen 40 mm und 100 mm, weiter insbesondere zwischen 60 mm und 90 mm.

[0038] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Querschnittsbreite 121 der Gastrenneinheit zwischen 101% und 108%, insbesondere zwischen 103% und 116%, weiter insbesondere zwischen 105% und 124% der Querschnittsbreite 111 der ein oder mehreren Stützstrukturen 110 entsprechen. Beispielsweise kann die Stützstruktur ein Substrat halten. Die Querschnittsbreite 111 der Stützstruktur kann eine Querschnittsbreite eines gehaltenen Substrats 10 umfassen, d.h. die Querschnittsbreite der Stützstruktur kann eine Querschnittsbreite eines Körpers der Stützstruktur und die Querschnittsbreite des Substrats umfassen.

[0039] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können und wie beispielhaft in Fig. 2 gezeigt, kann das Vakuumprozesssystem ein Transportsystem 230 umfassen. Das Transportsystem kann angepasst sein, die eine oder mehreren Stützstrukturen zu transportieren. Insbesondere kann das Transportsystem 230 angepasst sein, die ein oder mehrere Stützstrukturen durch das Vakuumprozesssystem, z.B. von einer Vakuumkammer zu einer weiteren Vakuumkammer zu transportieren. Die Stützstruktur kann die Gastrenneinheit durchlaufen. Das Transportsystem kann in der Gastrenneinheit angebracht sein. Das Transportsystem kann ausgewählt sein aus einem Magnetsystem, einem mechanischen System oder einer Kombination beider Systeme.

[0040] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann das Transportsystem eine erste Antriebseinheit umfassen. Die erste Antriebseinheit kann eine aktive Antriebseinheit, z.B. ein Motor sein. Beispielsweise kann die erste Antriebseinheit ein Linearmotor sein. Die erste Antriebseinheit kann außerhalb der Vakuumkammer angebracht sein. Vorteilhafterweise kann im Falle eines dynamischen Schleusen- Vakuumsystems auf Vakuumdrehdurchführungen und/oder jeder Art von (rotierenden oder linearen) Motoren und/oder Antrieben und/oder Durchführungen innerhalb der Vakuumkammer verzichtet werden. Das Transportsystem 230 kann angepasst sein, mit einer Transportvorrichtung 122 an der Stützstruktur zusammenzuwirken, um einen Transport der Stützstruktur durch das Vakuumprozesssystem zu ermöglichen. Die Transportvorrichtung 122 kann zusätzlich oder alternativ eine zweite Antriebseinheit umfassen. Die zweite Antriebseinheit kann innerhalb der Stützstruktur angebracht sein. Vorteilhafterweise kann auf eine vakuumkompatible aktive Antriebseinheit innerhalb der Vakuumkammem verzichtet werden bzw. eine notwendige Anzahl aktiver Antriebseinheiten stark reduziert werden.

[0041] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Transportvorrichtung 122 der Stützstruktur eine oder mehrere Rollen 232 umfassen. Beispielsweise kann das Transportsystem 230 eine Schiene umfassen, die angepasst ist, die eine oder mehrere Rollen 232, die an der einen oder mehreren Stützstrukturen angebracht sein können, zu befördern. Zusätzlich oder alternativ kann das Transportsystem einen oder mehrere Magnete umfassen, um einen kontaktlosen oder im Wesentlichen kontaktlosen Transport der einen oder mehreren Stützstrukturen zu gewährleisten. Die Transportvorrichtung 122 an der Stützstruktur kann einen oder mehrere Magnete umfassen. Beispielsweise kann das Transportsystem bzw. die ein oder mehrere Magnete des Transportsystems mit dem einem oder mehreren Magneten angebracht an der einen oder mehreren Stützstrukturen interagieren um einen Vortrieb und/oder eine Schwebeposition der einen oder mehreren Stützstrukturen zu erzeugen.

[0042] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Gastrenneinheit mindestens eine U-förmige Schiene umfassen. Insbesondere kann die Gastrenneinheit zwei U-förmige Schienen umfassen. Eine U- förmige Schiene kann an einer oberen Wand der Vakuumkammer und eine weitere U-förmige Schiene kann an einer unteren Wand der Vakuumkammer angebracht sein. Die U-förmige Schiene kann an der Vakuumkammer befestigt sein. Die U-förmige Schiene kann eine Trennung verschiedener Vakuumbereiche der Vakuumkammer bereitstellen.

[0043] Vorteilhafterweise kann so ein Gasaustausch zwischen einer ersten Seite der einen oder mehreren Stützstrukturen, auf der das Substrat gehalten werden kann und einer zweiten, der ersten Seite gegenüberliegenden, Seite verhindert oder minimiert werden. Die Gastrenneinheit und/oder die Stützstruktur kann die Vakuumkammer in zwei, z.B. sich gegenüberliegende, Vakuumkammerbereiche teilen. In Bezug auf Fig. 2 kann sich neben der Gastrenneinheit in der Frontansicht ein linker Vakuumkammerbereich und ein rechter Vakuumkammerbereich ergeben. Ein Gastrennfaktor zwischen diesen Vakuumkammerbereichen kann ungefähr 100 sein. Die beiden Vakuumkammerbereiche der Vakuumkammer können durch die Gastrenneinheit im Zusammenspiel mit der Stützstruktur getrennt sein. [0044] Vorteilhafterweise kann die Stützstruktur wie gemäß Ausfiihrungsformen, die mit sämtlichen beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, beschrieben, einen Ausgaseffekt um mehr als Faktor 2 reduzieren. Typische Trägersysteme für Substrate stellen große Bereiche, z.B. einen Rahmen für das Substrat, bereit, die Gase und/oder Feuchtigkeit absorbieren können, was im Vakuum zu einem unerwünschten Ausgaseffekt führt. Durch den entstehenden Gastrennfaktor zwischen den beiden Bereichen der Vakuumkammer bzw. -kammem durch die Gastrenneinheit, besteht auf der Seite der Stützstruktur, an der das Substrat angebracht ist und der dem Substrat gegenüberliegenden Seite bzw. zweiten Seitenfläche der Stützstruktur, eine Trennung. Partikel bzw. Gase und/oder Dämpfe, die sich an der Stützstruktur anlagem, können ungehindert nur von kleinen Bereichen außerhalb des Bereiches, an dem das Substrat befestigt ist, ausgasen. Das Lösen von Partikeln, bzw. die Abgabe von Gasen und/oder Dämpfen, die an der dem Substrat gegenüberliegenden Seite bzw. zweiten Seitenfläche der Stützstruktur angelagert sind, findet somit in einer separaten Vakuumzone ohne Beeinflussung des Substrats bzw. Beschichtungsprozesses statt. Dementsprechend kann ein Ausgaseffekt auf der Seite, an der das Substrat befestigt ist, reduziert werden. Auch eine rückseitige Desorption des Substrates kann vermindert werden und kann den Prozess weniger störend beeinflussen.

[0045] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die mindestens einen U-förmige Schiene das Transportsystem bereitstellen. Die U-förmige Schiene kann zwei parallele Wände umfassen, bzw. kann die U- förmige Schiene die beiden parallelen Seitenwände der Gastrenneinheit bereitstellen, zwischen denen die Querschnittsbreite 121 besteht. Die zwei parallelen Wände können jeweils einen Abstand zu der einen oder den mehreren Stützstrukturen von 1 mm bis 3 mm, insbesondere 1 mm bis 2 mm, aufweisen, wenn die eine oder mehreren Stützstrukturen die Gastrenneinheit passieren. Mit anderen Worten kann die Querschnittsbreite 121 der Gastrenneinheit um 1 mm bis 6 mm breiter sein, insbesondere um 2 mm breiter sein, als die Querschnittsbreite 111 der Stützstruktur. Insbesondere kann die U-förmige Schiene in Kombination mit einem mechanischen Transportsystem bereitgestellt werden, z.B. kann die U-förmige Schiene eine Schiene für die eine oder mehreren Rollen 232 bereitstellen.

[0046] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann eine U-förmige Schiene an der oberen Kammerwand angebracht sein. Diese obere U-förmige Schiene kann einen Abstandshalterelement, z.B. ein oder mehrere berührungslose magnetische Federelemente oder eine Rolle oder eine Kombination von berührungslosen und berührenden Abstandselementen umfassen, sodass ein Abstand zwischen der U-förmigen Schiene und der Stützstruktur sichergestellt werden kann.

[0047] Vorteilhafterweise kann die U-förmige Schiene Partikel, die durch den mechanischen und/oder magnetischen Transport im System generiert werden können, auffangen und so eine Kontamination des Vakuumprozesssystems effizient reduzieren oder verhindern.

[0048] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Gastrenneinheit eine geschlossene Gastrenneinheit sein. Die Gastrenneinheit kann einen Raum vollständig umschließen. Insbesondere kann die Gastrenneinheit einen Transportraum für die eine oder mehreren Stützstrukturen vollständig umschließen.

[0049] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können und wie beispielhaft in Fig. 3 gezeigt, kann die Gastrenneinheit 120 an der ersten Vakuumkammer 105 und/oder der zweiten Vakuumkammer 106 bzw. an den Vakuumkammem befestigt sein. Zusätzlich oder alternativ kann die Gastrenneinheit an eine Vakuumkammerwand der ersten und/oder zweiten Vakuumkammer bzw. der Vakuumkammern angrenzen. Die Gastrenneinheit kann eine erstes Befestigungselement aufweisen. Beispielweise kann das erste Befestigungselement an ein zweites Befestigungselement der Vakuumkammerwand angrenzen bzw. an dem zweiten Befestigungselement der Vakuumkammerwand befestigt sein. Das erste und das zweite Befestigungselement können sich im befestigten oder angrenzenden Zustand überlappen. Die Vakuumkammerwand kann insbesondere eine Seitenwand der Vakuumkammer sein. Weiter insbesondere kann die Gastrenneinheit an gegenüberliegenden Vakuumkammerwänden angrenzen, bzw. kann das erste Befestigungselement der Gastrenneinheit an gegenüberliegende Vakuumkammerwände, z.B. Vakuumkammerseitenwände angrenzen und/oder dort befestigt sein. Zusätzlich oder alternativ kann die Vakuumkammerwand die obere Kammerwand, d.h. die Deckenwand der Vakuumkammer sein. Zwischen dem zweiten Befestigungselement an der Kammerwand und dem ersten Befestigungselement der Gastrenneinheit kann eine Dichtung, z.B. ein O-Ring angebracht sein, um einen zusätzlichen Austausch von Gas zwischen benachbarten Vakuumkammem, z.B. einen Bypass, zu verhindern und kann den Leitwert minimieren. [0050] Vorteilhafterweise bleibt so die Gastrenneinheit unabhängig von der Vakuumkammer, sodass Vibrationen, Bewegungen, (thermische) Ausdehnung oder Vakuum bedingte Verformungen der Vakuumkammer bzw. Vakuumkammem keinen oder nur einen geringen Einfluss auf die Gastrenneinheit haben d.h. die Gastrenneinheit ist keinen äußeren Einflüssen durch die Vakuumkammer ausgesetzt, die z.B. die Querschnittsbreite des Spalts zwischen der Gastrenneinheit und der ein oder mehreren Stützstrukturen gravierend verändern könnten.

[0051] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können und wie beispielhaft in Fig. 4 gezeigt, kann die mindestens eine Eiförmige Schiene der Gastrenneinheit mit einem Füllkörper 423 versehen sein. Insbesondere kann die U-förmige Schiene, die an der oberen Vakuumkammerwand befestigt sein kann, mit dem Füllkörper versehen sein. So können thermische Prozesse, z.B. Prozesse mit hohen Prozesstemperaturen, umgesetzt werden ohne, dass eine mögliche thermische Beeinflussung der Stützstruktur, wie z.B. eine thermische Ausdehnung des Materials, die Gastrennung in der Gastrenneinheit besteht. Vorteilhafterweise kann Füllkörper eine Ausdehnung der Stützstruktur z.B. eine thermische Ausdehnung kompensieren bzw. den Spalt zwischen der U-förmigen Schiene und der Stützstruktur so gering wie möglich halten. So kann ein Gasfluss in bzw. entgegen der Transportrichtung und/oder von der ersten Seite der Stützstruktur zur zweiten Seite der Stützstruktur und umgekehrt effektiv verhindert bzw. minimiert werden. Zusätzlich oder alternativ kann der Füllkörper variabel anpassbar sein. Beispielsweise kann der Füllkörper so ausgestaltet sein, dass ein variabler Abstand zu der ein oder mehreren Stützstrukturen eingestellt werden kann. Ferner zusätzlich oder alternativ kann ein Abstand der oberen U-förmigen Schiene zu der ein oder mehreren Stützstrukturen eingestellt werden. Beispielsweise kann die U-förmige Schiene über ein variables Element an der oberen Wand der Vakuumkammer befestigt sein. Somit kann der Abstand bzw. Spalt zwischen der U-förmigen Schiene und der ein oder mehreren Stützstrukturen minimal eingestellt bzw. gehalten werden.

[0052] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Gastrenneinheit einen Rahmen 424 umfassen. Der Rahmen kann insbesondere eine Steifigkeit für die Gastrenneinheit bereitstellen bzw. die Steifigkeit der Gastrenneinheit erhöhen. Der Rahmen kann an die Wände der Gastrenneinheit gedrückt sein. Der Rahmen kann mit dem ersten Befestigungselement der Gastrenneinheit verbunden sein. Der Rahmen kann die mechanische Entkopplung der Gastrenneinheit von der Vakuumkammerwand unterstützen. Ferner kann die Form und Position der Gastrenneinheit stabil gehalten werden, sodass keine (zusätzlichen) Räume oder Lücken entstehen, die einen Gasfluss durch die Gastrenneinheit erlauben würden.

[0053] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, wird eine Stützstruktur zum Transportieren eines Substrats in einer Vakuumprozesskammer bereitgestellt. Die Stützstruktur umfasst einen Körper 112, der angepasst ist, das Substrat 10 zu halten. Ferner umfasst die Stützstruktur eine Transportvorrichtung 122, die angepasst ist, den Körper in einem Vakuumprozesssystem 100 in eine Transportrichtung T zu transportieren. Der Körper 112 ist ferner angepasst, einen Gasfluss im Bereich einer Gastrenneinheit 130 in dem Vakuumprozesssystem zu minimieren.

[0054] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur 110 bzw. der Körper 112 einen konstanten Querschnitt in der Transportrichtung T aufweisen. Mit anderen Worten kann eine Querschnittsbreite der Stützstruktur in die z-Richtung wie in Fig. 4 dargestellt, entlang einer Erstreckung der Stützstruktur in der Transportrichtung T, konstant sein. Mit anderen Worten kann die Stützstruktur bzw. der Körper 112 der Stützstruktur eine Querschnittsbreite 111 umfassen. Die Querschnittsbreite kann als längenmäßige bzw. flächenmäßige Ausdehnung der Stützstruktur bzw. des Körpers in z-Richtung eines kartesischen Koordinatensystems wie in Fig. 4 gezeigt, verstanden werden. Die Fläche, die sich aus der Ausdehnung in z-Richtung und einer Ausdehnung in y- Richtung ergibt, kann als Frontfläche oder Frontseite der Stützstruktur bzw. des Körpers verstanden werden.

[0055] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur mehrere Substrate gleichzeitig transportieren. Die Substrate können eng aneinander hegen, beispielsweise mit einem Abstand von nur wenigen Millimetern bzw. <1 mm bei sehr geringer thermischer Belastung. Vorteilhafterweise kann so eine Prozessierungsrate bzw. -effizienz erhöht werden, da weniger Material auf die Stützstruktur beschichtet wird, bzw. mehr Material das Substrat bzw. die Substrate erreichen kann.

[0056] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur, insbesondere im Fall eines dynamischen Schleusen-Vakuumprozesssystems, ein kontinuierliches Substrat transportieren. Ein kontinuierliches Substrat kann z.B. eine Folie oder ultradünnes Glas oder ein Band sein. Beispielsweise kann das kontinuierliche Substrat über auf- bzw. abwickelbare Rollen und durch das Vakuumprozesssystem auf der Stützstruktur bereitgestellt werden.

[0057] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Gastrenneinheit 120 einen konstanten Strömungsquerschnitt über die Länge der Gastrenneinheit in Transportrichtung bereitstellen und der Körper 112 zwischen 80% und 99%, insbesondere zwischen 86% und 97%, weiter insbesondere 90% des Strömungsquerschnitts über die Länge der Gastrenneinheit ausfullen, wenn der Körper 112 durch die Gastrenneinheit transportiert wird.

[0058] Vorteilhafterweise führt der konstante Querschnitt der Stützstruktur bzw. die konstante Querschnittsbreite der Stützstruktur entlang der Transportrichtung und/oder das Ausfüllen des Strömungsvolumens der Gastrenneinheit durch die Stützstruktur dazu, dass beim Transport der Stützstruktur durch die Gastrenneinheit ein Gasfluss zu minimieren bzw. zu verhindern. Unterschiedliche Gasdrücke bzw. Partialdrücke in benachbarten Vakuumkammern, die über die Gastrenneinheit verbunden sein können, führen typischerweise zu einem Gasfluss zwischen den Vakuumkammem um die Druckdifferenz auszugleichen. Herkömmliche Transportsysteme, wie z.B. Carrier, die als Rahmen um ein zu transportierendes Substrat angebracht sein können, stellen durch den Unterschied in der Querschnittsbreite von Carrier und Substrat, beispielsweise zwischen 20 mm bis 30 mm für den Carrier sowie 0.3 mm bis 0.8 mm für das Substrat, ein Querschnitt z.B. an den vom Carrier abgewandten Seiten des Substrates bereit, über das einen Gasfluss in der Gastrenneinheit zwischen den Vakuumkammem ermöglicht werden kann. Ein konstanter Querschnitt der Stützstruktur verhindert bzw. verringert somit das Vorhandensein des Querschnitts und kann so einen Gasfluss bzw. Gasdiffüsion im Vakuumprozesssystem, z.B. zwischen benachbarten Vakuumkammern verhindern bzw. minimieren.

[0059] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur aus Metall bestehen. Beispielsweise kann die Stützstruktur aus Aluminium, Edelstahl und/oder Titan bestehen. [0060] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur 110 angepasst sein, einen molekularen Gastrennfaktor von 50, insbesondere einen molekularen Gastrennfaktor von 100, über eine Gastrennungsstrecke der Gastrenneinheit, die entlang der Transportrichtung T verläuft, von 0,5 m bereitzustellen. Zusätzlich oder alternativ kann die Stützstruktur 110 angepasst sein einen Gastrennfaktor von 1000 über eine Gas trennungs strecke der Gastrenneinheit, die entlang der Transportrichtung verläuft, von 1 m bis 2 m bereitzustellen. Zusätzlich oder alternativ kann das Vakuumprozesssystem, abhängig von der Gesamtanzahl an Gastrenneinheiten, molekulare Gastrennfaktoren zwischen 10 ² bis 10 ¹² realisieren. Beispielsweise kann beim Einsatz von vier Gastrenneinheiten im Vakuumprozesssystem ein Gastrennfaktor zwischen 10 ⁶ und 10 ⁸ realisiert werden.

[0061] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur im Wesentlichen vertikal im Vakuumprozesssystem angeordnet sein. D.h. die Stützstruktur kann im Wesentlichen vertikal im bzw. durch das Vakuumprozesssystem transportiert werden und/oder im Wesentlichen vertikal an einem bestimmten Ort im Vakuumprozesssystem verbleiben, z.B. während das Substrat 10 prozessiert wird. Im Wesentlichen vertikal ist dabei so zu verstehen, dass eine vertikale Orientierung der Stützstruktur von einer genau vertikalen Orientierung um bis zu ±15°, insbesondere um bis zu ±10°, abweichen kann.

[0062] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur ein oder mehrere Substrate transportieren. Die Substrate können in wesentlich vertikaler, d.h. z.B. aufrechtstehender, Orientierung transportiert werden. Gemäß Ausfiihrungsformen, die mit anderen hier beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann das Substrat ein großflächiges Substrat sein. Das großflächige Substrat kann eine Größe von mindestens 0,01 m ² , genauer mindestens 0,1 m ² , und genauer mindestens 0,5 m ² haben. Zum Beispiel kann ein großflächiges Substrat oder ein großflächiger Träger GEN 4,5 sein, was etwa 0,67 m ² Substraten (0,73 x 0,92 m) entspricht, GEN 5, was etwa 1,4 m ² Substraten (1,1 m x 1,3 m) entspricht, GEN 7.5, was etwa 4,29 m ² Substraten (1,95 m x 2,2 m) entspricht, GEN 8,5, was etwa 5,7 m ² Substraten (2,2 m x 2,5 m) entspricht, oder sogar GEN 10, was etwa 8,7 m ² Substraten (2,85 m x 3,05 m) entspricht. Auch größere Generationen wie GEN 11 und GEN 12 und entsprechende Substratflächen können in ähnlicher Weise realisiert werden.

Zusätzlich oder alternativ kann ein kontinuierliches Substrat transportiert werden.

[0063] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann das Substrat eine Dicke kleiner als 0,4 mm aufweisen. Das Substrat kann eine Folie oder ein Band sein. Das Substrat kann ein Glassubstrat sein. Vorteilhafterweise kann die Stützstruktur angepasst sein, jedmögliche Substratdicke zu transportieren. Die Querschnittsbreite der Stützstruktur kann an die Dicke des zu transportierenden Substrats angepasst sein. Weiter vorteilhaft verhindert die Stützstruktur ein Biegen oder Brechen des Substrats, da Vibrationen beim Transport durch große Dimensionen der Stützstruktur verhindert bzw. verringert werden können und das Substrat flächig und nicht nur am Rand fixiert werden kann.

[0064] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Transportvorrichtung 122, wie z.B. die eine oder mehrere Rollen 232, in die Stützstruktur integriert sein. Insbesondere kann die Transportvorrichtung an einem unteren Ende in die Stützstruktur integriert sein. So kann eine Partikelgenerierung vermindert werden und eine größere Fläche zum Tragen des Substrats bereitgestellt werden. Beispielsweise kann jede Rolle der ein oder mehreren Rollen in einem eigenen Gehäuse bereitgestellt werden. Somit kann einen Gasfluss an den Rollen in und/oder entgegen der Transportrichtung T verhindert werden.

[0065] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können und wie beispielsweise in Fig. 5 gezeigt, ist der Körper 112 angepasst, ein Substrat 10 zu halten. Der Körper 112 kann beispielsweise an einer ersten Seitenfläche, die sich entlang der Transportrichtung und in vertikaler Richtung erstreckt, eine oder mehrere Befestigungskassetten zum lösbaren Befestigen des Substrats 10 umfassen. Die eine oder mehrere Befestigungskassetten können angepasst sein, ein oder mehrere Befestigungsmittel 540 austauschbar bereitzustellen. Das ein oder die mehreren Befestigungsmittel 540 können klemmbare und/oder nicht-klemmbare Befestigungsmittel sein. Das bzw. die Befestigungsmittel können ausgewählt sein aus einem oder mehreren Pads, einer oder mehreren Klebeeinheiten oder deren Kombinationen. Beispielsweise können das eine oder die mehreren Befestigungsmittel adhäsive Pads oder Streifen, Gecko-Pads oder -Streifen oder adhäsive Gewebepads oder -streifen sein. Ferner kann die Stützstruktur eine Fassung am unteren Ende der Stützstruktur aufweisen, um ein Substrat abzustützen. Die Fassung kann mehrere Pins umfassen.

[0066] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur einen E-Chuck zum Tragen des Substrats umfassen. Der E-Chuck kann mehrere Segmente, z.B. Streifen umfassen. Die Segmente können in vertikaler Orientierung nebeneinander angeordnet sein. Die Segmente oder Streifen können einzeln regulierbar bzw. durch eine Steuereinheit steuerbar sein. Die Segmente oder Streifen können unabhängig voneinander aktiviert und/oder deaktiviert werden. Vorteilhafterweise kann das Substrat eng an der Stützstruktur anliegen. So kann ein Biegen oder Brechen des Substrates z.B. aufgrund von Vibrationen, Schichtspannungen und/oder Wärmespannungen effektiv verhindert bzw. verringert werden.

[0067] Vorteilhafterweise kann so ein Überschlag bzw. Funkenbildung durch Verwendung des E-Chucks während des Evakuierens einer Vakuumkammer oder bei Druckverhältnissen in einem kritischen Bereich der Paschenkurve in einer Vakuumkammer oder am Übergang von einer Vakuumkammer in eine benachbarte Vakuumkammer, verhindert werden. Die Segmente des E- Chucks, die sich im kritischen Druckbereich befinden, können selektiv deaktiviert werden während das Substrat durch die weiteren Segmente, die sich in nicht-kritischen Druckverhältnissen befinden, gehalten wird. Dies ist insbesondere bei der Prozessierung von großflächigen Substraten von Vorteil.

[0068] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur einen Regler umfassen. Die Stützstruktur kann eine interne CPU umfassen. Der Regler kann drahtlos angesteuert werden. Der Regler kann angepasst sein, den E-Chuck bzw. die einzelnen Segmente intelligent zu steuern. Beispielsweise kann der Regler je nach in der Vakuumkammer vorherrschenden Druckverhältnissen die Segmente des E-Chuck aktivieren und/oder deaktivieren. Die Stützstruktur kann ferner eine Backup -Batterie zur unabhängigen Stromversorgung umfassen. Die Stützstruktur kann eine induktive Stromübertragung umfassen.

[0069] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann Stützstruktur über einen externen Datenübertragungsweg gesteuert werden. Beispielsweise kann die Stützstruktur bzw. der Körper eine oder mehrere Schnittstellen zur Kommunikation mit einem oder mehreren Geräten umfassen. Die einen oder mehrere Schnittstellen können einen oder mehrere Schleifkontakte umfassen, z.B. angebracht an einer dem Substrat abgewandten Seite der Stützstruktur und/oder in einem Bereich der Stützstruktur, die mit der U-förmigen Schiene der Gastrenneinheit in Kontakt kommen kann.

[0070] Beispielsweise kann der eine oder die mehreren Schleifkontakte am Boden der Stützstruktur angebracht sein. Zusätzlich oder alternativ kann die Stützstruktur einen oder mehrere zentrale Frontkontakte umfassen. Also Frontkontakt ist ein Kontakt gemeint, der an einer Fläche der Stützstruktur angebracht ist, die der Transportrichtung T direkt zugewandt ist oder einer dieser Seite gegenüberliegenden Seite. Mit anderen Worten kann der Frontkontakt an einer Frontseite bzw. Frontfläche oder einer Rückseite bzw. Rückfläche bereitgestellt sein. Die ein oder mehreren Frontkontakte können optische Fasern für eine digitale Datenverbindung und/oder Hochspannungs- bzw. Stromübertragung umfassen und/oder Datenübertragung für ein BUS- system. Die Frontkontakte können drahtgebundene und/oder drahtlose Systeme umfassen wie beispielsweise WLAN, Funk, oder ähnliche drahtlose Systeme oder deren Kombinationen.

[0071] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur eine Kammerreinigungseinheit umfassen. Die Kammerreinigungseinheit kann an einer dem Substrat gegenüberliegenden Seite oder zweiten Seitenfläche der Stützstruktur bzw. des Körpers angebracht sein. Die Kammerreinigungseinheit kann zwei oder mehr Rollen umfassen. Eine erste Rolle kann zum Abwickeln einer Reinigungsvorrichtung angepasst sein. Eine zweite Rolle kann zum Aufwickeln einer Reinigungsvorrichtung angepasst sein. Zwischen der ersten und der zweiten Rolle kann ein Abstand bestehen, über den die Reinigungsvorrichtung zwischen der ersten Rolle und der zweiten Rolle gespannt sein kann. Eine oder mehrere Hilfsrollen können die Reinigungsvorrichtung mit der Vakuumkammer oder der Gastrenneinheit bzw. der U-förmigen Schiene oder dem Transportsystem in Kontakt bringen. Die Reinigungsvorrichtung kann z.B. eine Haftfolie sein, an der Partikel haften bleiben können. Beim Transport der Stützstruktur durch das Vakuumprozesssystem, können über ein Abwickeln und Aufwickeln der Reinigungsvorrichtung Partikel und/oder andere Kontaminationen aufgenommen und verwahrt werden, sodass keine erneute Kontamination mit bereits aufgenommenen Partikeln stattfmden kann. Vorteilhafterweise kann die Stützstruktur beim Einsatz im Vakuumprozesssystem das System zeitgleich reinigen um eine Kontamination des Substrates und hierdurch bedingte Generierung von Ausschusssubstraten zu verhindern. Insbesondere kann das weitere Zerkleinern von Partikeln oder Bruchstücken und damit die zusätzliche Generierung von weiteren Partikeln verhindert werden.

[0072] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur bzw. der Körper eine integrierte Heizeinheit umfassen. Die Heizeinheit kann beispielsweise ein Heizdraht, IR- Lampen, Hellstrahler, eine Induktionsheizung oder ähnliches sein. Die Heizeinheit kann über eine externe Stromversorgung und/oder eine interne Stromversorgung der Stützstruktur, wie z.B. die Backup-Batterie, mit Strom versorgt werden. So kann ein gleichmäßiges Heizen der Stützstruktur bzw. von mehreren Stützstrukturen sichergestellt werden.

[0073] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann ein Latentwärmespeicher bereitgestellt werden. Die Stützstruktur kann den Latentwärmespeicher enthalten. Die Stützstruktur und/oder der Latentwärmespeicher kann ein wärmespeicherndes Material, insbesondere ein Phasenänderungsmaterial (phase change material (PCM)) enthalten, das angepasst ist, Energie z.B. in Form von Wärme zu speichern. Der Latentwärmespeicher kann in einem oder mehreren Volumina bereitgestellt werden, wobei das eine oder die mehreren Volumina angepasst sind, das wärmespeichemde Material bereitzustellen. Das eine oder die mehrere Volumina können mit PCM-Mischungen oder jeweils mit verschiedenen PCM-Materialien bereitgestellt werden. Das eine oder die mehreren Volumina können ein erstes Ende und ein zweites Ende umfassen, wobei das erste Ende und das zweite Ende geschlossen werden können. Das eine oder die mehreren Volumina können z.B. Rohre sein. Das eine oder die mehreren Volumina können vertikal oder horizontal in der Stützstruktur angeordnet sein. Bei mehreren Volumina können unterschiedliche PCM-Materialien bereitgestellt werden, sodass ein Heizmanagement während Aufwärm- und/oder Abkühlungsphasen optimiert werden kann. Das eine oder die mehreren Rohre können aus dem gleichen Material hergestellt sein wie die Stützstruktur. Beispielsweise können eine oder mehrere Bohrungen in der Stützstruktur bereitgestellt werden, die mit dem PCM befällt werden können. Zusätzlich oder alternativ kann das eine oder die mehreren Rohre aus einem Material bestehen, das insbesondere eine gute Wärmeleitung bereitstellt. Das eine oder die mehreren Rohre können z.B. aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al) und/oder VA, d.h. ein korrosionsbeständiger Stahl wie z.B. V2A und V4B und/oder Kombinationen bestehen. Unter VA kann ferner z.B. ein Edelstahl als auch ein legierter Edelstahl, insbesondere ein mit 2% Molybdän (Mo) legierter Edelstahl, verstanden werden.

[0074] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann der Lantentwärmespeicher angepasst sein, eine Temperatur der Stützstruktur auf > 80°C zu halten. Der Latentwärmespeicher kann dazu ausgebildet sein, die Temperatur der Stützstruktur konstant zu halten - also auch z.B. konstant unter 80 °C. In anderen Worten kann die Temperatur der Stützstruktur vergleichsweise langsam absinken. Vorteilhafterweise kann Kondensation von im Prozess unerwünschten Stoffen entsprechend ihrer Dampfdruckkurve durch eine höhere bzw. gleichmäßigere Temperatur verhindert bzw. vermindert werden, ohne den Prozess zu unterbrechen. Vorteilhafterweise kann das PCM eine Puffereigenschaft aufweisen. Beispielsweise kann das PCM zusätzliche Energie, die die Temperatur der Stützstruktur erhöhen würde, gespeichert werden ohne, dass sich die Temperatur der Stützstruktur signifikant erhöht. Weiter vorteilhafterweise kann das PCM eine ungleiche Verteilung von Wärme über die Stützstruktur vermeiden und eine homogene Temperaturverteilung über die Stützstruktur sicherstellen.

[0075] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann der Latentwärmespeicher eine aktive integrierte Heizung wie z.B. eine Widerstandsheizung, z.B. einem Widerstandsheizdraht, umfassen. Die Widerstandsheizung kann konfiguriert sein, die Stützstruktur vorzuheizen. Die Widerstandsheizung kann eine elektrische Widerstandsheizung sein. Die Widerstandsheizung, insbesondere die elektrische Widerstandsheizung kann zu verschiedenen Zeitpunkten durch die im PCM gespeicherte Energie aktiviert werden. Ferner kann der Latentwärmespeicher in der Stützstruktur mit anderen externen Heizsystemen wie z.B. Strahlungsheizungen, Widerstandsheizungen, Wärmelampen, induktive Heizungen, Mikrowellenheizungen und/oder Direktheizungen bereitgestellt werden. Vorteilhafterweise kann so ein effizientes und angepasstes Heizsystem bereitgestellt werden.

[0076] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können und wie beispielhaft in Fig. 6 gezeigt, kann der Körper mindestens ein Kompartiment umfassen. Das mindestens eine Kompartiment, insbesondere ein oder mehrere vertikal orientierte Kompartimente, kann sich im Inneren der Stützstruktur bzw. des Körpers der Stützstruktur befinden. Vorteilhafterweise kann so das Gewicht der Stützstruktur - insbesondere bei Querschnitsbreiten von 50 mm und mehr - verringert werden. Die zweite Seitenfläche (also die Seitenfläche gegenüber der Seitenfläche, die das Substrat halten kann) und/oder die erste Seitenfläche (also die Seitenfläche, die das Substrat halten kann) kann eine oder mehrere Öffnungen umfassen, um in dem mindestens einen Kompartiment einen Gasdruck bereitzustellen. Beispielweise kann der Gasdruck in dem mindestens einen Kompartiment gleich einem Gasdruck der Vakuumkammer sein. Insbesondere kann der Gasdruck in dem mindestens einen Kompartiment gleich dem Gasdruck des durch die Gastrenneinheit bzw. durch die Stützstruktur abgetrennten Vakuumkammerbereich sein.

[0077] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann der Gasdruck in dem mindestens einen Kompartiment angepasst werden. Wird die Stützstruktur in eine benachbarte Vakuumkammer transportiert, die einen geringeren oder höheren Gasdruck aufweist, kann der Gasdruck in dem mindestens einen Kompartiment erneut eingestellt werden bzw. an den neuen Gasdruck in der benachbarten Kammer angepasst werden. Die Stützstruktur bzw. das mindestens eine Kompartiment kann einen Sensor umfassen, der einen Wert des Gasdrucks im Kompartiment misst und bereitstellt. Anhand eines Vergleichs von Gasdruckwerten in dem mindestens einen Kompartiment und der Vakuumkammer bzw. Vakuumkammerbereich, kann über einen Regler der Gasdruck (nach)reguliert werden.

[0078] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die eine Öffnung ein vertikaler Schlitz sein. Die mehreren Öffnungen können eine oder mehrere vertikale Reihen bilden. Die eine oder mehreren Öffnungen können vollständig bedeckt sein, wenn die Gastrenneinheit passiert wird. So kann ein Abkürzungsweg mit zusätzlicher Überströmung verhindert werden.

[0079] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, und wie beispielhaft in Fig. 7 dargestellt, können mehrere Stützstrukturen im Vakuumprozesssystem aneinandergereiht gekoppelt werden. Die gekoppelte Aneinanderreihung der Stützstrukturen kann magnetisch und/oder mechanisch und/oder elektromagnetisch sein. Beispielsweise können zwei oder mehr Stützstrukturen mechanisch gekoppelt sein. Ferner können zwei oder mehrere Stützstrukturen elektro-magnetisch und/oder elektrisch gesteuert mechanisch gekoppelt sein. Zwischen den zwei oder mehreren Stützstrukturen kann eine Dichtung, z.B. ein Elastomer, oder ein Stoßdämpfer oder eine labyrinth-ähnliche Struktur vorhanden sein. So kann eine Gastrennung zwischen den Vakuumkammerbereichen, die durch die Stützstruktur und/oder die Gastrenneinheit entstehen, noch zusätzlich verbessert werden.

[0080] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Frontfläche bzw. Rückfläche der jeweils aneinander gekoppelten Stützstrukturen eine ineinanderpassende Form aufweisen und mit einer z.B. labyrinthähnliche Struktur den Weg des Gases von einer Seite zur anderen verlängern. Beispielsweise kann die Rückfläche der einen Stützstruktur eine erste Form aufweisen, die genau in eine zweite Form der Frontfläche einer weiteren Struktur passt. Mit anderen Worten können die zwei oder mehreren Stützstrukturen über ihre jeweilige Frontfläche bzw. Rückfläche an- oder ineinander gesteckt werden. So kann die Abdichtung zwischen den Vakuumkammerbereichen verbessert werden, wodurch sich die Gastrennung zwischen den Vakuumkammerbereichen erhöht.

[0081] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur angepasst sein, ein oder mehrere großflächige Substrate zu transportieren. Insbesondere können mehrere, aneinander gekoppelte Stützstrukturen angepasst sein, großflächige Substrate zu transportieren. Durch die gekoppelte Aneinanderreihung mehrerer Stützstrukturen kann eine große erste Seitenfläche zum Halten des großflächigen Substrates generiert werden, die das Transportieren großflächiger Substrate erlaubt.

[0082] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen hierin beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können und wie beispielsweise in Fig. 8 dargestellt, wird ein Verfahren 800 zum Transportieren eines Substrats in einem Vakuumprozesssystem bereitgestellt. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen (wie durch Box 860 in Fig. 8 angedeutet) eines Vakuumprozesssystems gemäß beschriebener Ausfuhrungsformen, ein Bereitstellen (wie durch Box 870 in Fig. 8 angedeutet) einer oder mehrerer Stützstrukturen gemäß beschriebener Ausführungsformen, und ein Transportieren (wie durch Box 880 in Fig. 8 angedeutet) eines Substrates mittels der ein oder mehreren Stützstrukturen durch das Vakuumprozesssystem in mindestens einer Transportrichtung.

[0083] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, kann das Verfahren ein kontinuierliches, dynamisches Verfahren sein. Das Transportieren des Substrats kann das Transportieren mehrerer Substrate umfassen. Die zu transportierenden Substrate können unter atmosphärischen Druckbedingungen direkt nacheinander auf die Stützstruktur und in das Vakuumprozesssystem geladen werden. Die Substrate können ferner auf aneinander gekoppelte Stützstrukturen geladen werden.

[0084] Gemäß Ausführungsformen, die mit anderen beschriebenen Ausfuhrungsformen kombiniert werden können, kann die Stützstruktur durch eine Gastrenneinheit des Vakuumprozesssystems transportiert werden. Die Stützstruktur kann eine Querschnittsbreite umfassen, die ein Strömungsquerschnitt der Gastrenneinheit blockiert. Ein Gasfluss durch die Gastrenneinheit, z.B. von einer Vakuumkammer zu einer anderen Vakuumkammer oder von Atmosphäre in Richtung Vakuum, die durch die Gastrenneinheit verbunden sind, kann so verhindert bzw. minimiert werden.

[0085] Während sich das Vorstehende auf Ausführungsformen der Offenbarung bezieht, können andere und weitere Ausführungsformen der Offenbarung ausgearbeitet werden, ohne vom grundlegenden Umfang der Offenbarung abzuweichen, und der Umfang der Offenbarung wird durch die folgenden Ansprüche bestimmt.