Title:
高垂直磁気異方性材料用の均一な結晶性テクスチャを有する滑らかなシード層
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017516303
Kind Code:
A
Abstract:
垂直磁気トンネル接合（ｐＭＴＪ）デバイスを製作するための方法は、ｐＭＴＪデバイスの第１の電極上にシード層を成長させることを含む。シード層は、成長軸に沿った均一な所定の結晶方位を有する。方法はまた、シード層の均一な所定の結晶方位を維持しながら、シード層を平坦化することを含む。
Inventors:
Matthias Georg Gottwald
Jimmy Kang
Kang Hoi
Chand Park
Sun Hyuk Kang
Jimmy Kang
Kang Hoi
Chand Park
Sun Hyuk Kang
Application Number:
JP2016564599A
Publication Date:
June 15, 2017
Filing Date:
March 27, 2015
Export Citation:
Assignee:
Qualcomm, Inc.
International Classes:
H01L43/12; G01R33/09; H01F41/14; H01L21/8246; H01L27/105; H01L29/82; H01L43/08; H01L43/10
Domestic Patent References:
| JP2014049766A | 2014-03-17 | |||
| JP2013524515A | 2013-06-17 | |||
| JP2013102178A | 2013-05-23 |
Foreign References:
| US20120299134A1 | 2012-11-29 | |||
| US20130270523A1 | 2013-10-17 |
Attorney, Agent or Firm:
Yasuhiko Murayama
Kuroda Shinpei
Kuroda Shinpei