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Title:
正確なフォトレジスト輪郭予測のためのモデル
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017517868
Kind Code:
A
Abstract:
フォトレジストをモデル化するシステムは、フォトリソグラフィープロセスのための数学的モデルを含む。その数学的モデルは、コンピュータのプロセッサを用いて実行することができる。数学的モデルは、半導体ウェハの表面上に形成されるフォトレジストをモデル化するために用いられる。ブロックポリマー濃度勾配方程式は、数学的モデル内で実行することができる。ブロックポリマー濃度勾配方程式は、数学的モデルによりモデル化されるフォトレジスト内の最初のブロックポリマーの濃度勾配を表すことができる。

Inventors:
Smith mark dee
By For John J
Application Number:
JP2016558041A
Publication Date:
June 29, 2017
Filing Date:
March 16, 2015
Export Citation:
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Assignee:
KLA-Tenker Corporation
International Classes:
H01L21/027; G03F7/20; G03F7/26; G06F17/50
Domestic Patent References:
JP2008091721A2008-04-17
JP2011211197A2011-10-20
Other References:
CHRIS A. MACK: "Line−edge roughness and the ultimate limits of lit", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 7639, JPN6019008141, 25 March 2010 (2010-03-25), US, pages 1 - 16, ISSN: 0004071427
CHRIS A. MACK: "Line Edge Roughness, part3", THE LITHOGRAPHY EXPERT, vol. August 2007, JPN6019008142, 2007, US, pages 1 - 4, ISSN: 0004071422
JOHN J. BIAFORE, MARK D. SMITH: "Application of Stochastic Modeling to Resiist Opti", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 8325, JPN6019008143, 14 March 2012 (2012-03-14), US, pages 1 - 13, ISSN: 0003991786
MARK D. SMITH, CHRIS A. MACK: "Examination of a simplified reaction−diffusion mod", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 4345, JPN6019008144, 24 August 2001 (2001-08-24), US, pages 1022 - 1036, ISSN: 0003991787
MARK D. SMITH, JEFFREY D. BYERS, CHIRIS A. MACK: "The lithographic impact of resist model parameters", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 5376, JPN6019008146, 14 March 2004 (2004-03-14), US, pages 322 - 332, ISSN: 0003991788
TIMOTHY B. MICHAELSON ET AL.: "The effects of chemical gradients and photoresist ", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 5753, JPN6019008148, 4 May 2005 (2005-05-04), US, pages 368 - 379, ISSN: 0003991789
Attorney, Agent or Firm:
Patent Corporation yki International Patent Office