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Title:
セル内バイパスダイオード
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017517869
Kind Code:
A
Abstract:
太陽電池は、組み込み式バイパスダイオードを含み得る。一実施形態では、この太陽電池は、基板の第１部分内又は第１部分の上方に配置された、活性領域と、基板の第２部分内又は第２部分の上方に配置された、バイパスダイオードとを含み得る。基板の第１部分と第２部分とは、溝で物理的に隔てることができる。金属被覆構造体が、バイパスダイオードに活性領域を結合させることができる。

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Inventors:
Rim, Seven
Harley gabriel
Application Number:
JP2016558210A
Publication Date:
June 29, 2017
Filing Date:
May 22, 2015
Export Citation:
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Assignee:
Sunpower corporation
International Classes:
H01L31/0443
Domestic Patent References:
JPH0964397A1997-03-07
JP2013543279A2013-11-28
JP2000091616A2000-03-31
JPS57138184A1982-08-26
JP2012526396A2012-10-25
JP2008103720A2008-05-01
JP2007110123A2007-04-26
Foreign References:
US4612408A1986-09-16
US20130276872A12013-10-24
US20070089774A12007-04-26
US20120318321A12012-12-20
US20100089435A12010-04-15
Attorney, Agent or Firm:
Longhua International Patent Service Corporation



 
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