Title:
ＦＥＴ特性測定システム
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2006118244
Kind Code:
A1
Abstract:
（ＳＯＩ）ＭＯＳＦＥＴ、歪みシリコンＭＯＳＦＥＴ、Ｈｉｇｈ−ｋ（高誘電率）ゲート絶縁膜を使用したＭＯＳＦＥＴ等の先進のＦＥＴのＩＶ特性をより高精度に測定する。設定電圧（V_set）に基づく電圧を有したパルスジェネレータ（３）の出力パルスをＦＥＴ（１）のゲートに印加し、それに伴ってＦＥＴ（１）に流れるドレイン電流を測定するＦＥＴ特性測定システムである。パルスジェネレータ（３）から出力されるパルスを、ＦＥＴ（１）のゲートに印加する第１のパルスと電圧測定用の第２のパルスとに分割するデバイダ（２）と、第２のパルスの電圧（V_meas）を測定する電圧測定手段（９）と、第２のパルスの電圧（V_meas）に基づいて、ＦＥＴ（１）に所望のゲート印加電圧（V_dut）のパルスを印加するためのパルスジェネレータ（３）の目標設定電圧を決定し、第１のパルスの電圧が所望のゲート印加電圧（V_dut）となるように設定電圧（V_set）を目標設定電圧に調整する設定電圧調整手段（１１）と、を備える。
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Inventors:
Koji Okawa
Application Number:
JP2007514831A
Publication Date:
December 18, 2008
Filing Date:
April 28, 2006
Export Citation:
Assignee:
AGILENT TECHNOLOGIES, INC.
International Classes:
G01R31/26
Domestic Patent References:
| JPH09274064A | 1997-10-21 | |||
| JPS6394170A | 1988-04-25 | |||
| JP2000227455A | 2000-08-15 |
Attorney, Agent or Firm:
Kimihisa Kato
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