Title:
フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにそれらの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2007099910
Kind Code:
A1
Abstract:
遮光膜のウェットエッチング特性を最適化させることで断面形状の良好な遮光膜のパターンを形成することができ、更に、パターンのギザが極めて小さい遮光膜のパターンを形成することができるフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供する。透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてウェットエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するウェットエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、クロムを含む材料からなり、かつ、X線回折によるＣｒＮ（２００）の回折ピークから算出される結晶子サイズが１０ｎｍ以下である。また、前記遮光膜をウェットエッチング処理によりパターニングして前記基板上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスクを得る。
More Like This:
Inventors:
Takeyuki Yamada
Mitsui Masaru
Mitsui Masaru
Application Number:
JP2008502774A
Publication Date:
July 16, 2009
Filing Date:
February 26, 2007
Export Citation:
Assignee:
HOYA CORPORATION
International Classes:
C23C14/06; G03F1/54; G03F1/80
Attorney, Agent or Firm:
Takeshi Otsuka