Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014156849
Kind Code:
A1
Abstract:
ｎ-半導体基板の裏面の表面層には、活性領域（１０）からエッジ終端構造部（１１）にわたって、ｎ+カソード層（４）が設けられている。ｎ+カソード層（４）の表面全体に、カソード電極（７）が設けられている。ｎ-ドリフト領域（１）の内部のｎ+カソード層（４）側には、活性領域（１０）からエッジ終端構造部（１１）にわたってｎバッファ層（５）が設けられている。ｎ-ドリフト領域（１）の内部のｎ+カソード層（４）側には、基板裏面からｎ+カソード層（４）よりも深い位置にフローティングの埋め込みｐ層（６）が設けられている。埋め込みｐ層（６）は、ｎ+カソード層（４）に接する所定範囲に一様に設けられている。埋め込みｐ層（６）の端部（６ａ）は、ｎ-半導体基板の側面（１ａ）よりも内側に位置されている。これにより、ソフトリカバリー化を図ることができるとともに、逆回復耐量の大きい半導体装置を提供することができる。
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Inventors:
Yuichi Onozawa
Nao Yoshimura
Hiroshi Takishita
Nao Yoshimura
Hiroshi Takishita
Application Number:
JP2015508373A
Publication Date:
February 16, 2017
Filing Date:
March 18, 2014
Export Citation:
Assignee:
Fuji Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/861; H01L21/329; H01L29/06; H01L29/41; H01L29/868; H01L29/872
Attorney, Agent or Firm:
Akinori Sakai
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