Title:
半導体モジュールの回路構造
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2021002132
Kind Code:
A1
Abstract:
電流定格を拡大しつつも回路パターンの異常過熱を抑制すること。半導体モジュール（１）の回路構造は、絶縁板（３０）の上面に回路パターン（３１）が形成された絶縁回路基板（３）と、回路パターンの上面に配置される半導体素子（４）と、を備える。回路パターンは、所定方向に延びるストレート部（３５ａ）と、ストレート部の延在方向に対して異なる方向に屈曲するコーナー部（３５ｂ）と、を有する。ストレート部の上面には、コーナー部の外周側に偏ってストレート部の延在方向に沿う配線部材（Ｗ６）が配置される。
Inventors:
Makoto Isozaki
Takahashi Seiichi
Takahashi Seiichi
Application Number:
JP2021529927A
Publication Date:
November 04, 2021
Filing Date:
June 01, 2020
Export Citation:
Assignee:
Fuji Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L23/12; H01L25/07; H01L25/18; H05K1/02
Domestic Patent References:
| JP2000277872A | 2000-10-06 | |||
| JP2010251551A | 2010-11-04 | |||
| JPH0629646A | 1994-02-04 | |||
| JP2001085611A | 2001-03-30 |
Attorney, Agent or Firm:
Hiroyoshi Aoki
Amada Masayuki
Yoshimasa Okada
Amada Masayuki
Yoshimasa Okada