Title:
A manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device and a silicon carbide semiconductor device
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6115678
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】低オン抵抗を維持した状態でゲート閾値電圧のばらつきを低減することができ、かつリーク不良を低減することができる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】トレンチゲート構造の縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、エピタキシャル成長させたｐ型炭化珪素層２２からなるｐ型ベース領域４の内部には、チャネルが形成される部分を含むように高濃度インプラ領域１３が設けられる。高濃度インプラ領域１３は、ｐ型炭化珪素層２２へのｐ型不純物のイオン注入により形成される。高濃度インプラ領域１３は、ｐ型のイオン注入により形成され、ｐ型炭化珪素層２２よりも高不純物濃度のピーク１３ａで深さ方向に高低差をもつ山型の不純物濃度プロファイル３１を有する。ｐ型ベース領域４には、高濃度インプラ領域１３を形成するためのイオン注入により部分的に結晶構造にみだれが生じている。【選択図】図２
Inventors:
Masanobu Iwatani
Setsuko Wakimoto
Setsuko Wakimoto
Application Number:
JP2016165172A
Publication Date:
April 19, 2017
Filing Date:
August 25, 2016
Export Citation:
Assignee:
Fuji Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/78; H01L21/336; H01L29/12
Domestic Patent References:
| JP2012253276A | 2012-12-20 | |||
| JP2009283540A | 2009-12-03 | |||
| JP2015072999A | 2015-04-16 | |||
| JP2012069933A | 2012-04-05 | |||
| JP2012253276A | 2012-12-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Akinori Sakai