Title:
A sputtering target and a manufacturing method for the same
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6220091
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】軸線方向に湾曲変形したバッキングチューブであっても、ターゲット材との間の所要の接合材厚みを確保できるスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】セラミックス材料からなり、軸線方向に０．１５ｍｍ〜０．５０ｍｍの間隔を介して並べて配置した複数個の円筒状のターゲットセグメント２ａを有するターゲット材２と、前記ターゲット材２の内周側に配置した円筒状のバッキングチューブ３と、ターゲット材２とバッキングチューブ３との間に介在してそれらのターゲット材２とバッキングチューブ３とを接合する接合材とを備え、少なくとも一個のターゲットセグメント２ａの接合材の最小厚みが０．６ｍｍ以上かつ１．４ｍｍ以下であるスパッタリングターゲット１。【選択図】図１
Inventors:
Kozo Nagata
Yoshitaka Tsuruta
Satoshi Tateno
Yoshitaka Tsuruta
Satoshi Tateno
Application Number:
JP2017056493A
Publication Date:
October 25, 2017
Filing Date:
March 22, 2017
Export Citation:
Assignee:
JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
International Classes:
C23C14/34; C04B37/02
Domestic Patent References:
| JP2016180135A | 2016-10-13 | |||
| JP2015183284A | 2015-10-22 | |||
| JP2010100930A | 2010-05-06 |
Foreign References:
| WO2016067717A1 | 2016-05-06 | |||
| WO2016129622A1 | 2016-08-18 |
Attorney, Agent or Firm:
Axis International Patent Business Corporation
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