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Patent Searching and Data


Title:
CLEANING STENCIL MASKS WITH THE AID OF A GAS FLOW THAT PASSES THROUGH MASK OPENINGS
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2001/016653
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a method for cleaning a lithographic mask used for manufacturing, preferably, semiconductor structures. Said lithographic mask is rendered unclean by microparticles and has a membrane provided with structure-forming membrane openings. The invention is characterized in that fluid is induced to flow through the membrane in such a way that a fluid supply placed under a uniform pressure is provided on one side of the membrane, and the membrane is exposed to the fluid in an all over manner so that the fluid passes through the structure-forming membrane openings and exits the membrane on the other side thereof, whereby the microparticles are flushed out of at least the structure-forming membrane openings. The invention provides an extremely efficient method for cleaning stencil masks.

Inventors:
EHRMANN ALBRECHT (DE)
Application Number:
PCT/DE2000/002920
Publication Date:
March 08, 2001
Filing Date:
August 27, 2000
Export Citation:
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Assignee:
INFINEON TECHNOLOGIES AG (DE)
EHRMANN ALBRECHT (DE)
International Classes:
B08B3/10; B08B5/00; G03F1/00; (IPC1-7): G03F1/00; B08B3/00
Foreign References:
EP0297506A21989-01-04
US5063950A1991-11-12
Other References:
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 010, no. 259 (E - 434) 4 September 1986 (1986-09-04)
ZAPKA W ET AL: "LASER CLEANING OF WAFER SURFACES AND LITHOGRAPHY MASKS", MICROELECTRONIC ENGINEERING,NL,ELSEVIER PUBLISHERS BV., AMSTERDAM, vol. 13, no. 1 / 04, 1 March 1991 (1991-03-01), pages 547 - 550, XP000220017, ISSN: 0167-9317
Attorney, Agent or Firm:
Kindermann, Peter (Postfach 13 30 Karl-Böhm-Strasse 1 Grasbrunn, DE)
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Claims:
Patentansprüche
1. Verfahren zum Reinigen einer mit Mikropartikeln (4) verun reinigten lithographischen Maske (1), die eine Membran (2) mit strukturbildenden Membranöffnungen (3) aufweist, für die Fertigung von vorzugsweise Halbleiterstrukturen, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, daß eine Strömung eines Fluids durch die Membran hindurch in der Weise hervorgerufen wird, da$ auf einer Seite der Membran ein unter einem einheitlichen Druck stehender Vorrat eines Fluids bereitgestellt wird und dabei die Membran ganzflächig dem Fluid ausgesetzt wird, so daß das Fluid durch die strukturbildenden Membranöffnungen hindurchtritt und auf der anderen Seite der Membran aus die ser austritt und dabei die Mikropartikel (4) zumindest aus den strukturbildenden Membranöffnungen (3) entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strömung des Fluids dadurch erzeugt wird, daß das Fluid auf zumindest einer Seite der Membran gepumpt wird.
3. Verfahren nach nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran zwischen zwei Teilräume (R1, R2) eingebracht wird und in jedem Teilraum ein konstanter Druck (Pi. Ps) des Fluids eingestellt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, da$ zwischen den Teilräumen ferner ein Ventil (6) vorgesehen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Ventil je nach Stärke der Strömung des Fluids durch die Membranöffnungen dosiert geöffnet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Ventil bei Überschreiten eines für die Stabilität der Membran kritischen Differenzdrucks (PlP2) geöffnet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß Pi Atmosphärendruck ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Teilraum R2 evakuiert wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Ventil nach dem Reinigen geöffnet wird und beide Teilräume evakuiert werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid ein Gas ist.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gas Luft oder Stickstoff ist.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas ein Edelgas ist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Fluid in bezug auf die Mikropartikel chemisch aktiv ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran überwiegend aus Silizium besteht.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran im Bereich der strukturbildenden Membranöff nungen 0,110 Hm dick ist.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß die strukturbildenden Membranöffnungen 0,110 pm breit sind.
17. Verfahren nach einem. der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske eine Stencilmaske für die Ionenprojektionsli thographie ist.
Description:
Reinigung von Stencilmasken mit Hilfe einer durch Maskenöff- nungen hindurchtretenden Gasströmung Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen mit einer mit Mikropartikeln verunreinigten lithographischen Maske, die eine Membran mit strukturbildenden Membranöffnungen aufweist, für die Fertigung von vorzugsweise Halbleiterstrukturen.

Im Zuge der fortschreitenden Miniaturisierung von Halbleiter- schaltungen wird an Stelle optischer Belichtungsverfahren zuv nehmend die Ionenprojektionslithographie angewandt, bei der Elektronen oder ionisierte Atome durch sogenannte Stencilmas- ken hindurch auf eine ionenempfindliche Schicht projiziert werden. Stencilmasken bestehen im wesentlichen aus einer durch eine rückseitige Bulk-Ätzung erzeugten, wenige Sm dik- ken Halbleitermembran, die mit zahlreichen Öffnungen durch- setzt ist. Im Bereich dieser Membranöffnungen ist die Maske für auftreffende Ionen durchlässig ; die Öffnungen bilden so- mit die abzubildende Halbleiterstruktur.

Stencilmasken mit den strukturbilden Membranöffnungen sind im Vergleich zu Masken mit glatten Oberflächen oder allenfalls flachen Ausnehmungen an ihrer Oberfläche schwieriger zu rei- nigen. Gerade innerhalb der Membranöffnungen, wo Mikroparti- kel am schwierigsten zu erreichen sind oder sich während üb- licher Reinigungsverfahren leicht ablagern, ist die Wirkung der Partikel am schädlichsten, weil dort die zu projizieren- den Ionen ausgeblendet oder gestreut werden.

Neben herkömmlichen Reinigungstechniken wie mechanischem Mi- schen bzw. Bürsten, Ätzen oder der Anwendung von Ultraschall werden neuerdings auch Laserstrahlen zum Entfernen von Mikro- partikeln von Stencilmasken eingesetzt. Diese Technik ist je- doch aufwendig und erfordert ebenso wie die zuvor genannten Reinigungsmethoden einen eigenen Verfahrensschritt, der Zeit-

und Kostenaufwand in der Halbleiterfertigung erhöht. Vor al- lem jedoch ist die Reinigungswirkung auf der Oberfläche der Membran meist am größten, nicht aber innerhalb der Mem- branöffnungen, wo Mikropartikel zu allererst zu Abbildungs- fehlern führen.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Ver- fahren zum Reinigen lithographischer Masken bereitzustellen, das Verunreinigungen wie beispielsweise Mikropartikel bevor- zugt aus den strukturbildenden Membranöffnungen entfernt und' daher die Membran besonders wirkungsvoll reinigt. Das Verfah- ren soll ferner kostengünstig durchzuführen sein und mög- lichst im Rahmen eines bestehenden Verfahrensschrittes ohne großen apparativen Aufwand durchführbar sein.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine Strömung eines Fluids durch die Membran hindurch in der Weise hervorgerufen wird, daß auf einer Seite der Membran ein unter einem einheitlichen Druck stehender Vorrat eines Fluids be- reitgestellt wird und dabei die Membran ganzflächig dem Fluid ausgesetzt wird, so daß das Fluid durch die strukturbildenden Membranöffnungen hindurchtritt und auf der anderen Seite der Membran aus dieser austritt und dabei die Mikropartikel zu- mindest aus den strukturbildenden Membranöffnungen entfernt.

Erfindungsgemäß wird das Fluid auf einer Seite der Membran eingeschlossen, kann aber durch die Strukturöffnungen in der Membran entweichen und dabei in den Membranöffnungen oder in deren Nähe befindliche Mikropartikel mitreißen. Auf der ande- ren Seite der Membran wird das Fluid abgeführt, während eine entsprechende Menge des Fluids dem Vorrat auf der ersten Sei- te der Membran zugeführt wird. Durch den von selbst einset- zenden Konzentrationsausgleich von Gasen (bzw. den instanta- nen Druckausgleich von Flüssigkeiten) wird eine gleichmäßige und kontrollierte Strömung des Fluids durch die Öffnungen der Membran erzeugt, die die Partikel sehr effizient aus den

strukturbildenden Öffnungen beseitigt. Die Stärke der Strö- mung des Fluids durch die Membran wird durch die Differenz zwischen den Drücken auf beiden Seiten der Membran gesteuert.

Durch die Wahl der Absolutdrücke läßt sich das erfindungsge- mäße Verfahren leicht mit bestehenden Verfahrensschritten kombinieren ; insbesondere kann das Verfahren in einer Vakuum- schleuse durchgeführt werden, indem die Differenz zwischen Atmosphärendruck und einem kleineren Druck oder Vakuum zum Reinigen der Membran genutzt wird.

Eine bevorzugte Ausführungsform sieht vor, daß die Strömung des Fluids dadurch erzeugt wird, da$ das Fluid auf zumindest einer Seite der Membran gepumpt wird. Es kann dem Vorrat kon- tinuierlich zugeführt oder, wie im Falle der Evakuierungskam- mer, auf der anderen Seite der Membran abgeführt wird.

Eine alternative Ausführungsform sieht vor, daß die Membran zwischen zwei Teilräume eingebracht wird und in jedem Teil- raum ein konstanter Druck des Fluids eingestellt wird.

Weiterbildungen sehen vor, daß zwischen den Teilräumen außer dem Membran auch noch ein Ventil vorgesehen wird, das je nach Stärke der Strömung des Fluids durch die Membranöffnungen do- siert geöffnet werden kann. Dadurch läßt sich die Stärke der Strömung bei hohem Druckunterschied verringern, wodurch die typischerweise nur wenige Hm dicke Membran geschont wird. Dem Schutz der Membran dient auch eine Weiterbildung, der zufolge das Ventil bei Überschreiten eines für die Stabilität der Membran kritischen Differenzdrucks geöffnet wird. Weitere insbesondere auf eine Evakuierungskammer gerichtete Ausfüh- rungsform sehen vor, da$ der Druck auf einer Seite der Mem- bran Atmosphärendruck ist und das Fluid auf der anderen Seite evakuiert wird. Zum schnellen Evakuieren beidseitig der Mem- bran kann nach deren Reinigung das Ventil geöffnet werden.

Bevorzugte Ausführungsarten sehen vor, daß das Fluid ein Gas, insbesondere Luft, Stickstoff oder ein Edelgas ist. Eine al- ternative, besonders bevorzugte Ausführungsform sieht vor, daß das Fluid in bezug auf die Mikropartikel chemisch aktiv ist. Indem das Fluid so gewählt wird, daß es mit den Mikro- partikeln chemisch reagiert oder ihre Bindung an die Membran löst oder lockert, kann die Reinigungswirkung der Strömung durch eine chemische Reinigung unterstützt werden.

Weitere Ausführungsarten sehen vor, daß die Membran überwie- gend aus Silizium besteht, daß die Membran im Bereich der strukturbildenden Membranöffnungen 0,1 bis 10 hum dick und die strukturbildenden Membranöffnungen 0,1 bis 10 Hm breit sind, und da$ die Maske eine Stencilmaske für die Ionenprojektions- lithographie ist.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren 1 und 2 er- läutert.

Figur 1 zeigt eine mit Mikropartikeln verunreinigte Membran- maske und Figur 2 eine aus zwei Teilräumen bestehende Reinigungskammer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.

Die in Figur 1 abgebildete, aus einem Halbleitersubstrat her- gestellte lithographische Maske weist eine durch rückseitige Substratätzung gewonnene Membran 2 auf, die typischerweise 3 Mm dick ist und daher von einem stabilisierenden Substratrand von beispielsweise 675 Hm Dicke umgeben ist. Die Membran be- sitzt eine Vielzahl von Öffnungen 3, die insgesamt die abzu- bildende Struktur bilden. Bei der Ionenprojektionslithograhie treten Ionen durch die Öffnungen 3 hindurch, sofern sie nicht durch dort befindliche Mikropartikel 4 ausgeblendet werden.

Da die Ionen von der Membran zwischen ihren Öffnungen nicht durchgelassen werden, sind dort vorhandene Verunreinigungen

bzw. Mikropartikel 5 ohne Auswirkungen auf die abgebildete Struktur. Demgegenüber müssen in oder über den Membranoffnun gen befindlichen Mikropartikel auf jeden Fall entfernt wer- den.

Dies geschieht in der in Figur 2 dargestellten Reinigungskam- mer in der Weise, daß die Stencilmaske 1 zwischen zwei Teil- räumen R1 und R2 in eine Trennwand 7 eingebracht wird. Unter- schiedliche Drücke P1 und P2 in beiden Teilräumen führen zu einer durch einen Pfeil angedeuteten Strömung des Fluids durch die Maskenöffnungen hindurch, die dort vorhandene Mi- kropartikel in den Teilraum R2 mitführt. Die Stärke der Strö- mung kann durch die Einstellung der Drücke P1 und P2 und fer- ner durch die Öffnung oder teilweise Öffnung eines Ventils 6 in der Trennwand 7 gesteuert werden. Aufgrund des geringen Querschnitts der Membranöffnungen ist dort die Strömungsge- schwindigkeit und damit die Reinigungskraft am stärksten.

Die abgebildete Reinigungskammer erhält man bereits durch Einführen einer Trennwand in eine herkömmliche Evakuierungs- kammer, in die Stencilmasken kurz vor der Belichtung mit Io- nen eingebracht werden. Die Stencilmaske wird in der zweige- teilten Evakuierungskammer während des Evakuierens gereinigt.

Bei Bedarf kann auch eine Pumpe P über längere Zeit Luft oder auch ein chemisch aktives Gas nachführen.

Mit Hilfe der vorliegenden Erfindung wird also eine kosten- günstige, zeitsparende und dennoch sehr effiziente Reinigung von Stencilmasken ermöglicht. Weitere Ausführungsarten neben den bereits beschriebenen ergeben sich bei Anwendung der Kenntnisse und Fähigkeiten des Fachmanns.